| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Fie … MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką i obwodów układów scalonych. Jest to aktualnie podstawowa technologia produkcji większości układów scalonych stosowanych w komputerach i stanowi element technologii CMOS. W technologii MOSFET tranzystory są produkowane w formie trzech warstw. Dolna warstwa to płytka wycięta z monokryształu krzemu lub krzemu domieszkowanego germanem. Na płytkę tę napyla się bardzo cienką warstwę krzemionki lub innego tlenku metalu lub półmetalu, która pełni funkcję izolatora. Warstwa ta musi być ciągła (bez dziur), ale jak najcieńsza. Obecnie w najbardziej zaawansowanych technologicznie procesorach warstwa ta ma grubość pięciu cząsteczek tlenku. Na warstwę tlenku napyla się z kolei bardzo cienką warstwę dobrze przewodzącego metalu (np. złota). Układ trzech warstw tworzy prosty tranzystor lub pojedynczą bramkę logiczną układu procesora.jedynczą bramkę logiczną układu procesora.
, 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-S … 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成（inversion channel）。通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
, Transistor efek-medan semikonduktor logam- … Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (bahasa Inggris: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. MOSFET mencakup kanal dari bahan dan , dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, tetapi transistor sambungan dwikutub pada satu waktu lebih umum. MOSFET diciptakan oleh Mohamed M. Atalla dan Dawon Kahng di Bell Labs pada tahun 1959, dan pertama kali diperkenalkan pada Juni 1960. Perangkat ini merupakan perangkat pembangun dasar dari elektronika modern, dan merupakan perangkat elektronik yang paling banyak diproduksi dalam sejarah, dengan jumlah kira-kira 13 sekstiliun (1,3×1022) MOSFET yang diproduksi di antara tahun 1960 dan 2018. MOSFET merupakan alat semikonduktor yang doniman di dalam sirkuit terpadu (IC) digital ataupun , dan merupakan yang umum. MOSFET merupakan transistor padat yang diminiaturisasi dan diproduksi masal untuk , merevolusi industri elektronik dan ekonomi dunia, dan penting bagi revolusi digital, dan zaman informasi. Miniaturisasi MOSFET telah mendorong perkembangan cepat dari teknologi semikonduktor elektronik sejak 1960-an, dan memungkinkan seperti dan mikroprosesor.an memungkinkan seperti dan mikroprosesor.
, O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxi … O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925. vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.
, MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Ef … MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) är en typ av fälteffekttransistor. Till skillnad från bipolära transistorer och JFET-transistorer har MOSFET-transistorer fyra terminaler; source, drain, gate och body. En MOSFET är spänningsstyrd vilket innebär att strömmen från source till drain regleras av spänningen mellan gate och body. Gate är isolerad från substratet av metalloxid vilket ger hög ingångsimpedans. En MOSFET-transistor är relativt enkel och billig att tillverka, tar liten plats och kräver lite effekt för att fungera; en kombination av egenskaper som har gjort MOSFET-transistorer till de mest tillverkade elektroniska komponenterna någonsin. MOSFET-transistorer används i alla typer av elektronik från processorer till kraftelektronik.nik från processorer till kraftelektronik.
, Metal oxido erdieroalezko eremu-efektuko t … Metal oxido erdieroalezko eremu-efektuko transistorea —ingelesez: Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor, MOSFET— seinale elektronikoak kommutatzeko edo anplifikatzeko erabiltzen den transistore mota bat da. Gaur egun, industria mikroelektronikoan gehien erabiltzen den transistorea da, zirkuitu analogikoetan nahiz digitaletan. Hori dela eta, mikroprozesadore komertzialen gehiengoa MOSFET transistoreetan dago oinarritua. MOSFETak honako lau terminal ditu: iturria (S), drainatzailea (D), atea (G) eta oinarria (B). Dena den, oinarria iturriaren terminalera konektatua egon daiteke. Hori dela eta, hiru terminal dituzten MOSFETak ere aurki daitezke. MOSFET izenean metala aipatzen da, baina 1970ean metala silizio polikristalinoarekin ordezkatu zen, honek auto-lerrokatutako ateak sortzeko ahalmen handiagoa duelako. Baina ate hauek berriro metalezkoak egiten hasi dira, metalarekin lan egiteko azkartasuna irabazten delako. Ateetan isolatzaile modura erabiltzen den oxidoa ere beste material batzuekin ordezkatu da, tentsio txikietan lan egitean lotura sendoagoak lortzeko intentzioarekin.otura sendoagoak lortzeko intentzioarekin.
, Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttrans … Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h. eine Art elektronisches Ventil.In der Familie der Feldeffekttransistoren zeichnen sich MOSFETs durch ein isoliertes Gate (der Kontakt, mit dem das „Ventil“ angesteuert wird) aus einem Oxid aus und gehören damit zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET) bzw. Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET). MOSFETs basieren auf einer Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, d. h. einem schichtweisen Aufbaus aus einer isolierten metallischen Gate-Elektrode, einem Halbleiter und dem dazwischen befindlichen oxidischen Dielektrikum (also einem Isolierstoff). In modernen integrierten Schaltung wurde im Laufe der technischen Entwicklung das metallische Gate durch hochdotiertes Polysilizium mit metallähnlichen elektrischen Eigenschaften ersetzt. Trotz des abweichenden Aufbaus wurde auch für diese Variante die Bezeichnung MOSFET weitgehend beibehalten, siehe auch Abschnitt . Wie bei allen Feldeffekttransistoren erfolgt die Steuerung des Stromflusses im Halbleiterbereich zwischen den beiden elektrischen Anschlüssen Drain und Source über eine elektrische Steuerspannung (Gate-Source-Spannung) bzw. Steuerpotential (Gate-Potential), vgl. Abschnitt . Daher sind MOSFETs spannungsgesteuerte aktive elektrische Bauelemente und funktionieren grundlegend anders als bipolare Transistoren, einer anderen bedeutenden Gruppe von Transistoren die stromgesteuert arbeiten, d. h., umso mehr elektrischer Strom durchlassen, je mehr Strom in die Steuerelektrode fließt. Aufgrund fertigungstechnischer Vorteile ggü. anderen Varianten sind MOSFETs mit Silizium als Halbleitermaterial seit den 1970er Jahren zum meistverwendeten Transistortyp für analoge und digitale integrierte Schaltungen geworden. Hier kommen sie unter anderem als Teil von Logik-Gattern in digitalen Schaltungen zum Einsatz. Die Entwicklung in diesem Bereich ist für die stetige Skalierung der Transistoren bekannt. Hier konnten die Packungsdichte für diese Art von Transistoren um Größenordnungen erhöht und durch Massenfertigung die Herstellungskosten gering gehalten werden, so dass beispielsweise im Jahr 2008 in einem einzelnen Prozessor bis zu 1,9 Milliarden Transistoren verbaut wurden. Durch Nutzung neuer Varianten, wie den FinFETs, konnte die Skalierung weiter fortgesetzt werden. So ist es in 7-nm-Technik möglich, über 54 Milliarden Transistoren in einem Prozessor (Nvidia GA100 Ampere) zu verbauen. Auch bei anderen Anwendungen, wie Schalten von hohen Strömen oder mit hohen Spannungen (vgl. Leistungstransistor) sind Silizium-MOSFETs in vielen Bereichen vertreten oder gar Standard, andere Materialien sind Galliumarsenid oder auch organische Halbleiter. Zunehmend werden jedoch die physikalischen Grenzen von Silizium ausgereizt, und für besondere Anwendungen sind heute andere Halbleitermaterialien mit für diese Anwendung besseren Eigenschaften als Silizium interessant, wie Verbindungshalbleiter oder Halbleiter mit größeren Bandlücken, wie Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), auch wenn die Fertigungskosten derzeit noch beträchtlich höher liegen.en derzeit noch beträchtlich höher liegen.
, ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية ل … ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات (بالإنجليزية: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor اختصاراً MOSFET) وتُقرَأ موسفت، هو ترانزستور حقلي ذو قناة نقل تعتمد في بنائها على المواد شبه موصلة. يتكون من مصدر، ومصب، وبوابة، والجسم ويفصل بين الجسم والبوابة طبقة عازلة. يتحكم الجهد الكهربائي المطبق على البوابة في التيار الكهربي المار من المصدر إلى المصب - مثلما في الصمام الثلاثي حيث يتحكم جهد الشبكة في التيار المار من المهبط(كاثود) إلى المصعد(آنود). وظيفة الموسفت هو فتح وأغلاق دائرة كهربائية. ويوجد من الموسفت ثلاثة أنواع:
* Nmos
* Pmos
* Cmos والأنواع الثلاث مقسمة حسب أنواع الأكثرية في المقاحل: نوع n ، ونوع p ، والـ Cmos هو عبارة عن خليط من المقحلين الباقيين. كلمة موسفت MOSFET هي اختصار للاسم بالكامل:metal–oxide–semiconductor field-effect transistor كما تتداول له عدة أسماء نوع بي: موصّل-بي، قناة-بي، و «موس-بي»، كذلك بالنسبة للنوع إن: موصل-إن، قناة-إن، و «موس-إن». , إذا استخدم كلا المقحلين في دائرة رقمية مثلا فيستخدم لهما تعبير «موس متكامل» (Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS .ementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS .
, MOSFET je nejrozšířenější druh tranzistorů … MOSFET je nejrozšířenější druh tranzistorů řízených elektrickým polem, u nichž je vodivost kanálu mezi elektrodami S a D řízena napětím mezi elektrodou G, která je tvořena kovem (nebo polykrystalickým křemíkem) odizolovaným od zbytku struktury tenkou vrstvičkou oxidu křemičitého. Zkratka vyjadřuje:
* M (Metal) – řídicí elektroda je tvořena kovem (hliníkem)
* O (Oxide) – řídicí elektroda je izolována tenkou vrstvičkou oxidu křemičitého
* S (Semiconductor) – oxid je vytvořen na polovodičové destičce
* FET (Field effect transistor) – výsledkem je tranzistor řízený elektrickým polem MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) je polem řízený tranzistor, u kterého je vodivost kanálu mezi elektrodami Source a Drain ovládána elektrickým polem vytvářeným ve struktuře kov(M)–oxid(O)–polovodič(S) napětím přiloženým mezi hradlo (Gate) a Source. Hradlo je odděleno od polovodiče vrstvou oxidu křemíku – odtud oxid v názvu tohoto typu tranzistoru.dtud oxid v názvu tohoto typu tranzistoru.
, Un transistor à effet de champ à grille is … Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille. Il trouve ses applications dans les circuits intégrés numériques, en particulier avec la technologie CMOS, ainsi que dans l'électronique de puissance. Ces transistors se divisent en deux catégories :
* les MOSFET à enrichissement. Ils sont les plus utilisés du fait de leur non conduction en l'absence de polarisation, de leur forte capacité d'intégration ainsi que pour leur fabrication plus aisée.
* les MOSFET à appauvrissement. Ceux-ci se caractérisent par un canal conducteur en l'absence de polarisation de grille. De plus, le transistor est caractérisé par la charge de ses porteurs majoritaires qui détermine s'il est de type P ou N. Les symboles du MOSFET permettent de différencier son type et sa catégorie. Les lettres sur les trois électrodes correspondent à gate ou grille, drain et source.pondent à gate ou grille, drain et source.
, МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рны … МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращённо «MOSFET») — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора. МОП-транзистор имеет три вывода: затвор, исток, сток (см. рис.). Тыльный контакт (B) обычно соединяется с истоком. В области вблизи поверхности полупроводника создаётся при изготовлении или индуцируется (возникает при приложении напряжений) так называемый канал. Величина тока в нём (тока исток—сток) зависит от напряжений исток—затвор и исток—сток. Полупроводниковым материалом чаще всего является кремний (Si), а металлический затвор отделяется от канала тонким слоем изолятора — диоксида кремния (SiO2). Если SiO2 заменён неоксидным диэлектриком (Д), используется название МДП-транзистор (англ. MISFET, I = insulator). В отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как затвор изолирован от стока и истока; такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением. МОП-транзисторы — основа современной электроники. Они являются самым массово производимым промышленным изделием, с 1960 года по 2018 год их было произведено около 13 секстиллионов (1.3×1021). Такие транзисторы используются в современных цифровых микросхемах, являясь основой КМОП-технологии.росхемах, являясь основой КМОП-технологии.
, Il MOSFET (acronimo del termine inglese me … Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistore a semiconduttore di ossido di metallo a effetto di campo), scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistore MOS, in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica. È detto anche IGFET (insulated-gate field-effect, FET a gate isolato). Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo è stato ideato da Lilienfeld nel 1925, mentre il primo MOSFET fu realizzato da e Atalla nel 1959 presso i Bell Laboratories.Il MOSFET è composto da un substrato di materiale semiconduttore drogato, solitamente il silicio, al quale sono applicati tre terminali: gate, source e drain. L'applicazione di una tensione al gate permette di controllare il passaggio di cariche tra il source e il drain, e quindi la corrente elettrica che attraversa il dispositivo. A seconda che il drogaggio del semiconduttore body sia di tipo n o di tipo p il transistor prende rispettivamente il nome di pMOSFET e nMOSFET, abbreviati spesso in pMOS e nMOS, questo per via del canale di drogaggio complementare che si viene a creare nel substrato.ntare che si viene a creare nel substrato.
, El transistor de efecto de campo metal-óxi … El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador (D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales. El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las puertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos en la puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la puerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas. Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una puerta que no es metálica, y un aislante de puerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).or-semiconductor field-effect transistor).
, MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-s … MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFETやMISFETがMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。Tとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。
, МДН-транзи́стор (англ. metal-insulator-sem … МДН-транзи́стор (англ. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor, MISFET) — напівпровідниковий прилад, що як базовий фізичний принцип використовує ефект поля. Типовий МДН-транзистор складається з МД/ОН- структури (метал-діелектрик/оксид-напівпровідник, наприклад n— типу), та двох p— кишень для електродів (source) та стоку (drain). Металічний керуючий електрод називається (gate), а напівпровідниковий — підкладкою (bulk). Відомо, що МДН-структури мають три режими роботи: збагачення або акумуляції (з власною провідністю напівпровідника); слабкої інверсії (зі змішаною провідністю) та сильної інверсії (з інверсною провідністю). Тому загалом, можна використовувати будь-який з цих трьох режимів роботи для практичної реалізації МДН-транзистора, і на перших порах в 60-х роках їх і використовували при серійному виробництві (звідси випливає певна неоднозначність навіть в назвах цих приладів, оскільки одні працювали на основних носіях, другі — на неосновних, а треті мали змішану провідність, тому їх просто називали польові транзистори). Проте з часом переміг один режим роботи МДН-транзистора — «режим сильної інверсії», і тому сьогодні тільки з ним і пов'язується однозначно назва «МДН-транзистор». Але навіть в цьому разі реальні прилади можуть працювати в двох режимах роботи: слабкої (при ввімкненні), та сильної (нормальний режим) інверсій.В загальному випадку можлива реалізація МДН-транзисторів двох типів: n— канальних та p— канальних. Більше того, обидва типи МДН-транзисторів можуть бути виготовлені на одній підкладці. В цьому разі говорять про комплементарні (КМОН-) транзистори. На КМОН-транзисторах досить легко реалізувати цифрові логічні схеми (наприклад — «інвертори»). Вигода від використання КМОН- логічних інверторів очевидна, оскільки вони в статичному режимі не споживають енергії. Дійсно, не залежно від логічного стану на виході інвертора, завжди один із послідовно ввімкнених транзисторів є «відкритий», а інший «закритий», тому струм крізь них не протікає. Проте під час перемикання логічного інвертора із одного стабільного стану в інший (перехідний процес) звичайно струм протікає, і його слід враховувати (особливо при високих тактових частотах логічних схем). високих тактових частотах логічних схем).
, MOSFET és l'acrònim de l'anglès Metal Oxid … MOSFET és l'acrònim de l'anglès Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (transistor d'efecte de camp metall-semiconductor). Consisteix en un transistor d'efecte de camp basat en l'estructura MOS. És el transistor més utilitzat en la indústria microelectrònica. Pràcticament la totalitat dels circuits integrats d'ús comercial són basats en transistors MOSFET.omercial són basats en transistors MOSFET.
, The metal–oxide–semiconductor field-effect … The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor. The basic principle of the field-effect transistor was first patented by Julius Edgar Lilienfeld in 1925. The main advantage of a MOSFET is that it requires almost no input current to control the load current, when compared with bipolar transistors (bipolar junction transistors/BJTs). In an enhancement mode MOSFET, voltage applied to the gate terminal increases the conductivity of the device. In depletion mode transistors, voltage applied at the gate reduces the conductivity. The "metal" in the name MOSFET is sometimes a misnomer, because the gate material can be a layer of polysilicon (polycrystalline silicon). Similarly, "oxide" in the name can also be a misnomer, as different dielectric materials are used with the aim of obtaining strong channels with smaller applied voltages. The MOSFET is by far the most common transistor in digital circuits, as billions may be included in a memory chip or microprocessor. Since MOSFETs can be made with either p-type or n-type semiconductors, complementary pairs of MOS transistors can be used to make switching circuits with very low power consumption, in the form of CMOS logic.er consumption, in the form of CMOS logic.
, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(영어: metal-oxide-semi … 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(영어: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET(한국어: 모스펫)이라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, p-MOS FET. etc..라고도 함)
* MOS : metal-oxide-semiconductor 금속 산화막이란 이름이 붙은 것은 초기에 게이트로 금속을 이용하였기 때문이나, 현재는 게이트를 사용하여 금속이란 이름은 그저 관습적인 표현이 되었다. 저항층 게이트 전계효과 트랜지스터(insulated-gate field-effect transistor, IGFET)는 모스펫과 거의 동의어이며 산화되지 않은 게이트 저항층을 갖는 전계효과 트랜지스터를 가리킨다. 폴리실리콘 게이트를 갖는 소자를 가리킬 때 "IGFET"의 사용을 선호하지만, 아직도 대부분은 모스펫이라고 부른다. 일반적으로 사용된 반도체는 실리콘이지만 잘 알려진 IBM같은 어떤 칩 제조사는 모스펫 채널에 실리콘과 게르마늄 (SiGe)의 혼합을 사용하기 시작했다. 불행하게도 갈륨비소같이 실리콘보다 전기적 특성이 좋은 대다수의 반도체는 좋은 게이트 산화물을 형성하지 않고 이것은 모스펫에 적합하지 않다. 게이트 터미널은 채널에 위치한 (다결정 실리콘; 게이트에 폴리실리콘이 쓰이는 이유는 아래의 게이트 항목을 참조할 것)의 레이어이지만 전통적인 이산화 실리콘의 저항층 박막에 의하여 채널로부터 분리되었고 더 진보된 기술은 산소질화 실리콘을 사용하였다. 전압이 게이트와 소스 터미널 사이에 인가됐을 때 생성된 전계는 산화층을 관통하고 채널 아래에 소위 "역채널"을 생성한다. 역채널은 소스와 드레인처럼 P형이나 N형 동일한 형태여서 전류가 통과할 수 있는 전선관을 제공한다. 게이트와 바디사이의 전압을 다양하게 변화하는 것은 이 레이어의 전도를 조절하고 드레인과 소스 사이의 전류 흐름을 제어할 수 있게 한다.의 전도를 조절하고 드레인과 소스 사이의 전류 흐름을 제어할 수 있게 한다.
, Een MOSFET of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is een bepaald type veldeffecttransistor (FET).
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOSFET_Structure.svg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
https://web.archive.org/web/20080527192452/http:/www.ece.byu.edu/cleanroom/MOSFET_calc.phtml%7Carchive-date=2008-05-27%7Curl-status=dead +
, http://bitsavers.trailing-edge.com/pdf/intel/_dataBooks/1984_Intel_Memory_Components_Handbook.pdf%7Carchive-url=https:/web.archive.org/web/20160304090142/http:/bitsavers.trailing-edge.com/pdf/intel/_dataBooks/1984_Intel_Memory_Components_Handbook.pdf%7Curl-status=dead%7Carchive-date=4 +
, http://ocw.mit.edu/courses/electrical-engineering-and-computer-science/6-012-microelectronic-devices-and-circuits-fall-2009/%7Ctitle=MIT +
, http://ocw.mit.edu/OcwWeb/Electrical-Engineering-and-Computer-Science/6-002Spring-2007/CourseHome/index.htm%7Ctitle=MIT +
, http://www.circuitdesign.info/blog/2008/12/mos-diffusion-parasitics/%7Ctitle=CircuitDesign: +
, http://nanohub.org/resources/489%7Ctitle=Notes +
, http://nanohub.org/resources/5306%7Ctitle=Course +
, https://web.archive.org/web/20080928200323/http:/www.automotivedesignline.com/showArticle.jhtml%3B%3FarticleID=191900470%7Curl=http:/www.automotivedesignline.com/showArticle.jhtml%3B%3FarticleID=191900470%7Carchive-date=28 +
, https://ghostarchive.org/archive/20221009/http:/assets.nexperia.com/documents/application-note/AN11158.pdf +
, http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter7/ch7_7.htm%237_7_7%7Ctitle=Advanced +
, http://assets.nexperia.com/documents/application-note/AN11158.pdf +
, https://web.archive.org/web/20120302072616/http:/www.semikron.com/skcompub/en/application_manual-193.htm%7Curl=http:/www.semikron.com/skcompub/en/application_manual-193.htm%7Carchive-date=2 +
, http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/mosfet.html%7Ctitle=MOSFET +
, https://www.wecanfigurethisout.org/VL/MOS_kit.htm +
, https://web.archive.org/web/20120706010707/http:/www.alpha-europe.de/microelectronics-products/dmos-transistors/%7Curl-status=dead +
, http://www.ece.byu.edu/cleanroom/MOSFET_calc.phtml%7Ctitle=MOSFET +
, http://www.ece.byu.edu/cleanroom/virtual_cleanroom.parts/MOSFETProcess.html%7Ctitle=MOSFET +
, https://web.archive.org/web/20090822214640/http:/www.ece.byu.edu/cleanroom/virtual_cleanroom.parts/MOSFETProcess.html%7Carchive-date=2009-08-22%7Curl-status=dead +
, http://www.alpha-europe.de/microelectronics-products/dmos-transistors/%7Ctitle=Power +
, https://web.archive.org/web/20121112152008/http:/www.powerguru.org/2012/04/15/criteria-for-a-successful-selection-of-igbt-and-mosfet-modules/%7Carchive-date=2012-11-12%7Curl-status=dead +
, http://users.ece.gatech.edu/~alan/index_files/ECE3040Lecture.htm%7Ctitle=Georgia +
, http://www.powerguru.org/wordpress/wp-content/uploads/2012/12/SEMIKRON_application_manual_power_semiconductors.pdf +
, http://www.powerguru.org/2012/04/15/criteria-for-a-successful-selection-of-igbt-and-mosfet-modules/%7Ctitle=Criteria +
, https://web.archive.org/web/20130903030232/http:/www.powerguru.org/wordpress/wp-content/uploads/2012/12/SEMIKRON_application_manual_power_semiconductors.pdf +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
40345
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
93477
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1119693088
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Three-state_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Cosmic_rays +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon-germanium +
, http://dbpedia.org/resource/Television +
, http://dbpedia.org/resource/Gauss%27s_law +
, http://dbpedia.org/resource/Bandgap +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi%E2%80%93Dirac_distribution +
, http://dbpedia.org/resource/BiCMOS +
, http://dbpedia.org/resource/Transistor-transistor_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Statistical_process_control +
, http://dbpedia.org/resource/Switch_mode_power_supply +
, http://dbpedia.org/resource/Outer_space +
, http://dbpedia.org/resource/FinFET +
, http://dbpedia.org/resource/Epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Depletion_and_enhancement_modes +
, http://dbpedia.org/resource/Misnomer +
, http://dbpedia.org/resource/RF_front_end +
, http://dbpedia.org/resource/Capacitor +
, http://dbpedia.org/resource/Dielectric +
, http://dbpedia.org/resource/45_nm +
, http://dbpedia.org/resource/Variable-frequency_drive +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi_level_pinning +
, http://dbpedia.org/resource/Polyacetylene +
, http://dbpedia.org/resource/Integrated_circuit +
, http://dbpedia.org/resource/Heatsink +
, http://dbpedia.org/resource/Cascade_amplifier +
, http://dbpedia.org/resource/Micrometre +
, http://dbpedia.org/resource/Power_electronics +
, http://dbpedia.org/resource/Automatic_gain_control +
, http://dbpedia.org/resource/Conductor_%28material%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Thermal_runaway +
, http://dbpedia.org/resource/Siemens +
, http://dbpedia.org/resource/Channel_length_modulation +
, http://dbpedia.org/resource/Counter-electromotive_force +
, http://dbpedia.org/resource/File:Semiconductor_band-bending.png +
, http://dbpedia.org/resource/File:Mosfet_linear.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:Mosfet_n-ch_circuit.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:Mosfet_N-Ch_Sedra.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:Mosfet_P-Ch_Sedra.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOSFET_junction_structure.png +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOSFETs.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOSFET_functioning.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOSFET_functioning_body.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:Inversion_with_source-body_bias.png +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOSFET_Structure.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Power_MOSFET +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Transistor_types +
, http://dbpedia.org/resource/File:FINFET_MOSFET.png +
, http://dbpedia.org/resource/File:Intel_gate_length_trend.PNG +
, http://dbpedia.org/resource/Cyanoethyl +
, http://dbpedia.org/resource/Radiation_hardening +
, http://dbpedia.org/resource/FUSI +
, http://dbpedia.org/resource/File:Mosfet_saturation.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOS_Capacitor.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:WIde-swing_MOSFET_mirror.PNG +
, http://dbpedia.org/resource/File:IvsV_mosfet.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Depletion_layer +
, http://dbpedia.org/resource/High-%CE%BA_dielectric +
, http://dbpedia.org/resource/File:Illustration_of_C-V_measurement.gif +
, http://dbpedia.org/resource/Channel_%28transistor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Poly_Depletion_Effect +
, http://dbpedia.org/resource/Current-voltage_characteristic +
, http://dbpedia.org/resource/Channel_%28semiconductor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Low_threshold_voltage +
, http://dbpedia.org/resource/Gate_electrode +
, http://dbpedia.org/resource/Thermal_oxidation +
, http://dbpedia.org/resource/Tungsten +
, http://dbpedia.org/resource/IET +
, http://dbpedia.org/resource/Logic_gate +
, http://dbpedia.org/resource/Microprocessor +
, http://dbpedia.org/resource/Gamma_ray +
, http://dbpedia.org/resource/Acceptor_%28semiconductors%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Robert_H._Dennard +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_tunneling +
, http://dbpedia.org/resource/LOCOS +
, http://dbpedia.org/resource/Gate_dielectric +
, http://dbpedia.org/resource/Planar_process +
, http://dbpedia.org/resource/Depletion_region +
, http://dbpedia.org/resource/P-n_junction +
, http://dbpedia.org/resource/Short-channel_effect +
, http://dbpedia.org/resource/Mixed-signal_integrated_circuit +
, http://dbpedia.org/resource/Drain-induced_barrier_lowering +
, http://dbpedia.org/resource/File:JFET_N-Channel_Labelled.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:JFET_P-Channel_Labelled.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:IGFET_P-Ch_Enh_Labelled.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:IGFET_P-Ch_Enh_Labelled_simplified.svg +
, http://dbpedia.org/resource/NMOS_logic +
, http://dbpedia.org/resource/File:IGFET_N-Ch_Enh_Labelled.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:IGFET_N-Ch_Enh_Labelled_simplified.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:IGFET_P-Ch_Dep_Labelled.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:IGFET_N-Ch_Dep_Labelled.svg +
, http://dbpedia.org/resource/PMOS_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Solar_flare +
, http://dbpedia.org/resource/Silicide +
, http://dbpedia.org/resource/Early_effect +
, http://dbpedia.org/resource/Fabrication_%28semiconductor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Threshold_voltage +
, http://dbpedia.org/resource/Microprocessor_chronology +
, http://dbpedia.org/resource/Ballistic_transport +
, http://dbpedia.org/resource/Clean_room +
, http://dbpedia.org/resource/Doping_%28semiconductor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Pullulan +
, http://dbpedia.org/resource/Bipolar_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Signal_%28electrical_engineering%29 +
, http://dbpedia.org/resource/File:Threshold_formation_nowatermark.gif +
, http://dbpedia.org/resource/IBM +
, http://dbpedia.org/resource/LDMOS +
, http://dbpedia.org/resource/Telefunken +
, http://dbpedia.org/resource/Wafer_%28electronics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/X-ray +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_mobility +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Reliability_%28semiconductor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Digital_circuit +
, http://dbpedia.org/resource/Bipolar_junction_transistors +
, http://dbpedia.org/resource/Conduction_band +
, http://dbpedia.org/resource/Normally_open +
, http://dbpedia.org/resource/RC_delay +
, http://dbpedia.org/resource/Overdrive_voltage +
, http://dbpedia.org/resource/Power_%28physics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Valence_band +
, http://dbpedia.org/resource/Scaling_law +
, http://dbpedia.org/resource/Cascode +
, http://dbpedia.org/resource/Atom +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon_dioxide +
, http://dbpedia.org/resource/Frequency_mixer +
, http://dbpedia.org/resource/JFET +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_hole +
, http://dbpedia.org/resource/Field-effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Category:MOSFETs +
, http://dbpedia.org/resource/File:Power_mos_cell_layout.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Electrical_conductivity +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi_velocity +
, http://dbpedia.org/resource/Work_function +
, http://dbpedia.org/resource/Salicide +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon_oxynitride +
, http://dbpedia.org/resource/Radiation +
, http://dbpedia.org/resource/Process_variation_%28semiconductor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi_level +
, http://dbpedia.org/resource/Hafnium +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon_on_insulator +
, http://dbpedia.org/resource/Tantalum +
, http://dbpedia.org/resource/Non-metal +
, http://dbpedia.org/resource/Analog_circuit +
, http://dbpedia.org/resource/NXP_Semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Switched_capacitor +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_mechanics +
, http://dbpedia.org/resource/Dielectric_constant +
, http://dbpedia.org/resource/Walter_Houser_Brattain +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Artistic_license +
, http://dbpedia.org/resource/Polysilicon +
, http://dbpedia.org/resource/Julius_Edgar_Lilienfeld +
, http://dbpedia.org/resource/Tantalum_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Electrons +
, http://dbpedia.org/resource/I%E2%80%93V_curve +
, http://dbpedia.org/resource/Atomic_layer_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/File:D2PAK.JPG +
, http://dbpedia.org/resource/Capacitance +
, http://dbpedia.org/resource/Gordon_Moore +
, http://dbpedia.org/resource/Bipolar_junction_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Miller_effect +
, http://dbpedia.org/resource/Gain_%28electronics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/International_Technology_Roadmap_for_Semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Titanium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/45_nanometer +
, http://dbpedia.org/resource/Nickel +
, http://dbpedia.org/resource/Transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Zirconium +
, http://dbpedia.org/resource/Proton +
, http://dbpedia.org/resource/CMOS +
, http://dbpedia.org/resource/Operational_amplifiers +
, http://dbpedia.org/resource/Nanometer +
, http://dbpedia.org/resource/List_of_semiconductor_materials +
, http://dbpedia.org/resource/Transconductance +
, http://dbpedia.org/resource/Sound_reinforcement +
, http://dbpedia.org/resource/Mohamed_M._Atalla +
, http://dbpedia.org/resource/William_Shockley +
, http://dbpedia.org/resource/Cobalt +
, http://dbpedia.org/resource/Radio_frequency +
, http://dbpedia.org/resource/CMOS_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Philips +
, http://dbpedia.org/resource/Normally_closed +
, http://dbpedia.org/resource/Tetrode +
, http://dbpedia.org/resource/65_nm +
, http://dbpedia.org/resource/Leakage_current +
, http://dbpedia.org/resource/Moore%27s_law +
, http://dbpedia.org/resource/Titanium +
, http://dbpedia.org/resource/Leakage_%28semiconductors%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Polycrystalline_silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Photolithography +
, http://dbpedia.org/resource/Design_for_manufacturability_%28IC%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Velocity_saturation +
, http://dbpedia.org/resource/Subthreshold_conduction +
, http://dbpedia.org/resource/Noise_figure +
, http://dbpedia.org/resource/Reliability_engineering +
, http://dbpedia.org/resource/Neutron +
, http://dbpedia.org/resource/Electronvolt +
, http://dbpedia.org/resource/Intel +
, http://dbpedia.org/resource/UHF +
, http://dbpedia.org/resource/Dawon_Kahng +
, http://dbpedia.org/resource/John_Bardeen +
, http://dbpedia.org/resource/Doping_%28semiconductors%29 +
|
| http://dbpedia.org/property/date
|
January 2016
|
| http://dbpedia.org/property/reason
|
Depends on circuit topology?
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Further +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Dubious +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Vague +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Not_a_typo +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_book +
, http://dbpedia.org/resource/Template:See_also +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Commons_category +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Nbsp +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Citation_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Electronic_components +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Essay +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chem +
, http://dbpedia.org/resource/Template:External_links +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_journal +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Sub +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Ubl +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Abbr +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Unreferenced_section +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Disambiguation_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Main +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Authority_control +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_web +
, http://dbpedia.org/resource/Template:= +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Portal +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Annotated_link +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:MOSFETs +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Transistor_types +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Transistor +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET?oldid=1119693088&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Illustration_of_C-V_measurement.gif +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Threshold_formation_nowatermark.gif +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IGFET_N-Ch_Dep_Labelled.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IGFET_N-Ch_Enh_Labelled.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IGFET_N-Ch_Enh_Labelled_simplified.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IGFET_P-Ch_Dep_Labelled.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IGFET_P-Ch_Enh_Labelled.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IGFET_P-Ch_Enh_Labelled_simplified.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/D2PAK.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/FINFET_MOSFET.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/JFET_P-Channel_Labelled.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/JFET_N-Channel_Labelled.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Semiconductor_band-bending.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOSFET_Structure.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOSFET_functioning.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOSFET_functioning_body.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOSFET_junction_structure.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOSFETs.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOS_Capacitor.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Power_mos_cell_layout.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Intel_gate_length_trend.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Mosfet_N-Ch_Sedra.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Mosfet_P-Ch_Sedra.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Mosfet_linear.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Mosfet_n-ch_circuit.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Mosfet_saturation.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Inversion_with_source-body_bias.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/IvsV_mosfet.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/WIde-swing_MOSFET_mirror.png +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET +
|
| owl:sameAs |
http://nl.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://az.dbpedia.org/resource/MOY-Tranzistorlar +
, http://ro.dbpedia.org/resource/Tranzistor_MOSFET +
, http://sr.dbpedia.org/resource/MOSFET_operacioni_poja%C4%8Dava%C4%8Di +
, http://hr.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://de.dbpedia.org/resource/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor +
, http://pl.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://da.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://sk.dbpedia.org/resource/Tranzistor_riaden%C3%BD_po%C4%BEom_s_hradlovou_oxidovou_vrstvou +
, http://yago-knowledge.org/resource/MOSFET +
, http://fi.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://vi.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://lt.dbpedia.org/resource/Metalo%2C_oksido_ir_puslaidininkio_lauko_tranzistorius +
, http://it.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://sv.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://pt.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://www.wikidata.org/entity/Q210793 +
, http://bg.dbpedia.org/resource/MOS_%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 +
, http://sh.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, https://global.dbpedia.org/id/zshV +
, http://ar.dbpedia.org/resource/%D9%85%D9%88%D8%B3%D9%81%D8%AA +
, http://tr.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://et.dbpedia.org/resource/Isoleeritud_paisuga_v%C3%A4ljatransistor +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D0%BC%D0%B5%D1%82%D0%B0%D0%BB-%D0%B4%D1%96%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%BA-%D0%BD%D0%B0%D0%BF%D1%96%D0%B2%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D1%96%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.0b1qf +
, http://ca.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://he.dbpedia.org/resource/%D7%98%D7%A8%D7%A0%D7%96%D7%99%D7%A1%D7%98%D7%95%D7%A8_MOSFET +
, http://ta.dbpedia.org/resource/%E0%AE%AE%E0%AE%BE%E0%AE%B4%E0%AF%88-%E0%AE%86%E0%AE%95%E0%AF%8D%E0%AE%9A%E0%AF%88%E0%AE%9F%E0%AF%81-%E0%AE%95%E0%AF%81%E0%AE%B1%E0%AF%88%E0%AE%95%E0%AF%8D%E0%AE%95%E0%AE%9F%E0%AE%A4%E0%AF%8D%E0%AE%A4%E0%AE%BF_%E0%AE%AA%E0%AF%81%E0%AE%B2%E0%AE%B5%E0%AE%BF%E0%AE%B3%E0%AF%88%E0%AE%B5%E0%AF%81%E0%AE%A4%E0%AF%8D_%E0%AE%A4%E0%AE%BF%E0%AE%B0%E0%AE%BF%E0%AE%A4%E0%AE%9F%E0%AF%88%E0%AE%AF%E0%AE%AE%E0%AF%8D +
, http://fr.dbpedia.org/resource/Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde +
, http://ko.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://es.dbpedia.org/resource/Transistor_de_efecto_de_campo_metal-%C3%B3xido-semiconductor +
, http://mk.dbpedia.org/resource/%D0%9C%D0%BE%D1%81%D1%84%D0%B5%D1%82 +
, http://dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://eu.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://nn.dbpedia.org/resource/MOS +
, http://mn.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://d-nb.info/gnd/4207266-9 +
, http://simple.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://ja.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://bn.dbpedia.org/resource/%E0%A6%AE%E0%A6%B8%E0%A6%AB%E0%A7%87%E0%A6%9F +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D9%85%D8%A7%D8%B3%D9%81%D8%AA +
, http://hi.dbpedia.org/resource/%E0%A4%AE%E0%A5%89%E0%A4%B8%E0%A4%AB%E0%A5%87%E0%A4%9F +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%9C%D0%9E%D0%9F-%D1%82%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80 +
, http://cs.dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://th.dbpedia.org/resource/%E0%B8%A1%E0%B8%AD%E0%B8%AA%E0%B9%80%E0%B8%9F%E0%B8%95 +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E9%87%91%E5%B1%AC%E6%B0%A7%E5%8C%96%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%A0%B4%E6%95%88%E9%9B%BB%E6%99%B6%E9%AB%94 +
, http://id.dbpedia.org/resource/MOSFET +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductorDevices +
, http://dbpedia.org/class/yago/Conductor103088707 +
, http://dbpedia.org/class/yago/SemiconductorDevice104171831 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Device103183080 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Instrumentality103575240 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Object100002684 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole100003553 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Artifact100021939 +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatTransistors +
, http://dbpedia.org/class/yago/Transistor104471632 +
|
| rdfs:comment |
МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рны … МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращённо «MOSFET») — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора.типов материалов в основной части прибора.
, The metal–oxide–semiconductor field-effect … The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor.or insulated-gate field-effect transistor.
, MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Fie … MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką i obwodów układów scalonych. Jest to aktualnie podstawowa technologia produkcji większości układów scalonych stosowanych w komputerach i stanowi element technologii CMOS.terach i stanowi element technologii CMOS.
, Il MOSFET (acronimo del termine inglese me … Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistore a semiconduttore di ossido di metallo a effetto di campo), scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistore MOS, in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica. È detto anche IGFET (insulated-gate field-effect, FET a gate isolato).ed-gate field-effect, FET a gate isolato).
, MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-s … MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFETやMISFETがMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。Tとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。
, Transistor efek-medan semikonduktor logam- … Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (bahasa Inggris: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. MOSFET mencakup kanal dari bahan dan , dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, tetapi transistor sambungan dwikutub pada satu waktu lebih umum.ungan dwikutub pada satu waktu lebih umum.
, Un transistor à effet de champ à grille is … Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille. Il trouve ses applications dans les circuits intégrés numériques, en particulier avec la technologie CMOS, ainsi que dans l'électronique de puissance.insi que dans l'électronique de puissance.
, MOSFET és l'acrònim de l'anglès Metal Oxid … MOSFET és l'acrònim de l'anglès Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (transistor d'efecte de camp metall-semiconductor). Consisteix en un transistor d'efecte de camp basat en l'estructura MOS. És el transistor més utilitzat en la indústria microelectrònica. Pràcticament la totalitat dels circuits integrats d'ús comercial són basats en transistors MOSFET.omercial són basats en transistors MOSFET.
, MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Ef … MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) är en typ av fälteffekttransistor. Till skillnad från bipolära transistorer och JFET-transistorer har MOSFET-transistorer fyra terminaler; source, drain, gate och body. En MOSFET är spänningsstyrd vilket innebär att strömmen från source till drain regleras av spänningen mellan gate och body. Gate är isolerad från substratet av metalloxid vilket ger hög ingångsimpedans.metalloxid vilket ger hög ingångsimpedans.
, 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(영어: metal-oxide-semi … 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(영어: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET(한국어: 모스펫)이라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, p-MOS FET. etc..라고도 함)
* MOS : metal-oxide-semiconductor 일반적으로 사용된 반도체는 실리콘이지만 잘 알려진 IBM같은 어떤 칩 제조사는 모스펫 채널에 실리콘과 게르마늄 (SiGe)의 혼합을 사용하기 시작했다. 불행하게도 갈륨비소같이 실리콘보다 전기적 특성이 좋은 대다수의 반도체는 좋은 게이트 산화물을 형성하지 않고 이것은 모스펫에 적합하지 않다.반도체는 좋은 게이트 산화물을 형성하지 않고 이것은 모스펫에 적합하지 않다.
, Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttrans … Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h. eine Art elektronisches Ventil.In der Familie der Feldeffekttransistoren zeichnen sich MOSFETs durch ein isoliertes Gate (der Kontakt, mit dem das „Ventil“ angesteuert wird) aus einem Oxid aus und gehören damit zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET) bzw. Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET).albleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET).
, Metal oxido erdieroalezko eremu-efektuko t … Metal oxido erdieroalezko eremu-efektuko transistorea —ingelesez: Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor, MOSFET— seinale elektronikoak kommutatzeko edo anplifikatzeko erabiltzen den transistore mota bat da. Gaur egun, industria mikroelektronikoan gehien erabiltzen den transistorea da, zirkuitu analogikoetan nahiz digitaletan. Hori dela eta, mikroprozesadore komertzialen gehiengoa MOSFET transistoreetan dago oinarritua.oa MOSFET transistoreetan dago oinarritua.
, O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxi … O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925. vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.
, El transistor de efecto de campo metal-óxi … El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.ales están basados en transistores MOSFET.
, MOSFET je nejrozšířenější druh tranzistorů … MOSFET je nejrozšířenější druh tranzistorů řízených elektrickým polem, u nichž je vodivost kanálu mezi elektrodami S a D řízena napětím mezi elektrodou G, která je tvořena kovem (nebo polykrystalickým křemíkem) odizolovaným od zbytku struktury tenkou vrstvičkou oxidu křemičitého. Zkratka vyjadřuje:
* M (Metal) – řídicí elektroda je tvořena kovem (hliníkem)
* O (Oxide) – řídicí elektroda je izolována tenkou vrstvičkou oxidu křemičitého
* S (Semiconductor) – oxid je vytvořen na polovodičové destičce
* FET (Field effect transistor) – výsledkem je tranzistor řízený elektrickým polemkem je tranzistor řízený elektrickým polem
, ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية ل … ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات (بالإنجليزية: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor اختصاراً MOSFET) وتُقرَأ موسفت، هو ترانزستور حقلي ذو قناة نقل تعتمد في بنائها على المواد شبه موصلة. يتكون من مصدر، ومصب، وبوابة، والجسم ويفصل بين الجسم والبوابة طبقة عازلة. يتحكم الجهد الكهربائي المطبق على البوابة في التيار الكهربي المار من المصدر إلى المصب - مثلما في الصمام الثلاثي حيث يتحكم جهد الشبكة في التيار المار من المهبط(كاثود) إلى المصعد(آنود). وظيفة الموسفت هو فتح وأغلاق دائرة كهربائية. ويوجد من الموسفت ثلاثة أنواع:
* Nmos
* Pmos
* Cmosموسفت ثلاثة أنواع:
* Nmos
* Pmos
* Cmos
, 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-S … 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。
, Een MOSFET of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is een bepaald type veldeffecttransistor (FET).
, МДН-транзи́стор (англ. metal-insulator-sem … МДН-транзи́стор (англ. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor, MISFET) — напівпровідниковий прилад, що як базовий фізичний принцип використовує ефект поля. Типовий МДН-транзистор складається з МД/ОН- структури (метал-діелектрик/оксид-напівпровідник, наприклад n— типу), та двох p— кишень для електродів (source) та стоку (drain). Металічний керуючий електрод називається (gate), а напівпровідниковий — підкладкою (bulk). Відомо, що МДН-структури мають три режими роботи: збагачення або акумуляції (з власною провідністю напівпровідника); слабкої інверсії (зі змішаною провідністю) та сильної інверсії (з інверсною провідністю). Тому загалом, можна використовувати будь-який з цих трьох режимів роботи для практичної реалізації МДН-транзистора, і на перших порах в 60-х роках їх і вика, і на перших порах в 60-х роках їх і вик
|
| rdfs:label |
MOSFET
, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
, Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник
, Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde
, МОП-транзистор
, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
, موسفت
, 金屬氧化物半導體場效電晶體
|
| rdfs:seeAlso |
http://dbpedia.org/resource/Depletion_region +
, http://dbpedia.org/resource/Field_effect_%28semiconductor%29 +
|
