| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Gallium nitride (GaN) is a binary III/V di … Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in blue light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure. Its wide band gap of 3.4 eV affords it special properties for applications in optoelectronic, high-power and high-frequency devices. For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without requiring nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitivity to ionizing radiation is low (like other group III nitrides), making it a suitable material for solar cell arrays for satellites. Military and space applications could also benefit as devices have shown stability in high radiation environments. Because GaN transistors can operate at much higher temperatures and work at much higher voltages than gallium arsenide (GaAs) transistors, they make ideal power amplifiers at microwave frequencies. In addition, GaN offers promising characteristics for THz devices. Due to high power density and voltage breakdown limits GaN is also emerging as a promising candidate for 5G cellular base station applications.for 5G cellular base station applications.
, Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-co … Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite (3,4 eV) utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de grande puissance ou de haute fréquence. C'est un composé binaire (groupe III/groupe V) qui possède une semiconductivité intrinsèque. Il est peu sensible aux rayonnements ionisants (comme tous les autres nitrures du groupe III), ce qui fait de lui un matériau approprié pour les panneaux solaires des satellites.pour les panneaux solaires des satellites.
, Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium un … Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), eine Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet.verschiedene Sensorikanwendungen geeignet.
, Galliumnitrid är ett III/V halvledarmateri … Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga.Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid.nningar än transistorer av galliumarsenid.
, Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek c … Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek chemiczny, niewystępujący naturalnie, stosowany głównie jako materiał półprzewodnikowy w optoelektronice, m.in. w laserach półprzewodnikowych (np. niebieski laser), diodach elektroluminescencyjnych, detektorach i przetwornikach elektroakustycznych.rach i przetwornikach elektroakustycznych.
, 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V … 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。
, Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV на … Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах. Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або оксигеном, для провідності p-типу — магнієм.сигеном, для провідності p-типу — магнієм.
, Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое … Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K). Используется в качестве полупроводникового материала для изготовления оптоэлектронных приборов ультрафиолетового диапазона; с 1990 года начал широко использоваться в светодиодах. Также в мощных и высокочастотных полупроводниковых приборах.ысокочастотных полупроводниковых приборах.
, O nitreto de gálio, fórmula química , é in … O nitreto de gálio, fórmula química , é indispensável para diversas das últimas evoluções do campo da tecnologia. Ele é um semicondutor pertencente ao grupo III-V, que compreende o nitreto de gálio, nitreto de alumínio, e ligas ternárias e quaternárias. Esse semicondutor se destaca por possuir um bandgap largo, no valor de eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda na faixa do azul ao ultravioleta. Os filmes produzidos por este material geralmente se cristalizam na estrutura zinc-blend com simetria cúbica ou na estrutura wurtzita com simetria hexagonal. Dependendo das condições de deposição, o crescimento dos filmes pode acontecer ao longo de vários planos. As características deste semicondutor permitem a aplicação na indústria optoeletrônica e na tecnologia de dispositivos eletrônicos, reduzindo custos de produção, diminuindo o tamanho e a massa dos dispositivos, aumentando a eficiência, além de diminuir o impacto ambiental. Recentemente, o tem sido sujeito a extensivas investigações experimentais para dispositivos optoeletronicos e tem experimentado continuo progresso e melhorias nas técnicas de crescimento de cristais.
* Estrutura hexagonal wurtzita
* Estrutura cúbica zinc-blendal wurtzita
* Estrutura cúbica zinc-blend
, نتريد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaN ، ويكون على شكل مسحوق بلوري أصفر . لمادة نتريد الغاليوم تطبيقات متعددة في علوم النانو.
, Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider m … Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3.7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een -zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.nceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.
, 窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。また、近年ではパワー半導体やレーダーへの応用も期待されている。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
, El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium … El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica, La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau. el subtrat que fa possible el làser Blau.
, Il nitruro di gallio (GaN) è un semicondut … Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche quest'ultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K. Diversamente da tutti i semiconduttori del gruppo III-V a larga energia di gap, il GaN ha un band gap diretto, che lo rende utilizzabile per la realizzazione di laser blu e LED. In questo materiale, l'energia di legame degli eccitoni, misurata sperimentalmente, varia tra i 18 ed i 28 meV. Il fondo della banda di conduzione è ben approssimato da una relazione di dispersione parabolica, il fondo delle valli adiacenti si trova invece ad energie maggiori di almeno 2 eV. Per descrivere la struttura a bande del GaN sotto deformazione (strain), sono necessari sei potenziali di deformazione, più il tensore di strain ed il potenziale di deformazione idrostatica totale. G. B. Ren, Y. M. Liu e P. Blood hanno proposto un insieme di parametri che modellano correttamente il calcolo della struttura a bande; per quanto riguarda invece il calcolo delle costanti elastiche la teoria si allinea ai risultati di A. Polian, M. Grimsditch e I. Grzegory; i coefficienti piezoelettrici utilizzati di norma sono invece calcolati da una media tra i lavori sperimentali di Bykhovki, Lueng e Shimada e quelli teorici di Bernardini e Fiorentini.quelli teorici di Bernardini e Fiorentini.
, 질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 최근에는 전력 반도체나 레이다 등에도 응용되고 있다.
, El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) e … El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LEDs) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica, dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia.otencia y dispositivos de alta frecuencia.
|
| http://dbpedia.org/ontology/alternativeName
|
gallium(III) nitride
|
| http://dbpedia.org/ontology/iupacName
|
Gallium nitride
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/GaNcrystal.jpg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaN/index.html +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
467198
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
36529
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1124032553
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Gallium_antimonide +
, http://dbpedia.org/resource/Optoelectronic +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_mobility +
, http://dbpedia.org/resource/P-type_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Transition_metal +
, http://dbpedia.org/resource/Electronvolt +
, http://dbpedia.org/resource/Molecular_beam_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Ammonia +
, http://dbpedia.org/resource/Laser_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_devices +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon_carbide +
, http://dbpedia.org/resource/Thales_Group +
, http://dbpedia.org/resource/Boron_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/X_band +
, http://dbpedia.org/resource/Blu-ray_Disc +
, http://dbpedia.org/resource/Zinc_oxide +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Saturation_velocity +
, http://dbpedia.org/resource/AN/TPS-80_Ground/Air_Task_Oriented_Radar +
, http://dbpedia.org/resource/AN/TPQ-37_Firefinder_radar +
, http://dbpedia.org/resource/Heterostructure +
, http://dbpedia.org/resource/Thin_film +
, http://dbpedia.org/resource/Molecular-beam_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Laser +
, http://dbpedia.org/resource/Giraffe_radar +
, http://dbpedia.org/resource/Trimethylindium +
, http://dbpedia.org/resource/Spintronics +
, http://dbpedia.org/resource/CMOS_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Satellite +
, http://dbpedia.org/resource/Lattice_constant +
, http://dbpedia.org/resource/Indium +
, http://dbpedia.org/resource/Light-emitting_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Radiation_hardening +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Nitrides +
, http://dbpedia.org/resource/Transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Wurtzite_structure_type +
, http://dbpedia.org/resource/Power_transmission +
, http://dbpedia.org/resource/Wurtzite_%28crystal_structure%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Radio-frequency +
, http://dbpedia.org/resource/Elta_Systems +
, http://dbpedia.org/resource/Romania +
, http://dbpedia.org/resource/Ground_Master_400 +
, http://dbpedia.org/resource/Transient_state +
, http://dbpedia.org/resource/MOVPE +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Boron_group +
, http://dbpedia.org/resource/Lockheed_Martin +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_nitride_nanotube +
, http://dbpedia.org/resource/Wide-bandgap_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Steady_state +
, http://dbpedia.org/resource/Trimethylaluminium +
, http://dbpedia.org/resource/Nitrogen_group +
, http://dbpedia.org/resource/N-type_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/File:Crystal-GaN.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/File:FBH_GaN_High_electron_mobility_transistor.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/FPS-117 +
, http://dbpedia.org/resource/Breakdown_voltages +
, http://dbpedia.org/resource/Compound_%28chemistry%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Second-harmonic_generation +
, http://dbpedia.org/resource/Latvia +
, http://dbpedia.org/resource/Schottky_barrier_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Ionizing_radiation +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_gallium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Lithium-ion_battery +
, http://dbpedia.org/resource/Active_electronically_scanned_array +
, http://dbpedia.org/resource/AN/TPQ-36_Firefinder_radar +
, http://dbpedia.org/resource/Depletion_mode +
, http://dbpedia.org/resource/Saab_AB +
, http://dbpedia.org/resource/AN/TPQ-53_Quick_Reaction_Capability_Radar +
, http://dbpedia.org/resource/Dislocation +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Inorganic_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Tensile_stress +
, http://dbpedia.org/resource/Biocompatible +
, http://dbpedia.org/resource/Microwave +
, http://dbpedia.org/resource/Terahertz_radiation +
, http://dbpedia.org/resource/Enhancement-mode +
, http://dbpedia.org/resource/Direct_bandgap +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Magnetron +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium +
, http://dbpedia.org/resource/Public_utility +
, http://dbpedia.org/resource/Heat_capacity +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic_vapour-phase_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/United_States_Army_Research_Laboratory +
, http://dbpedia.org/resource/Hydrogen +
, http://dbpedia.org/resource/Saab_JAS_39_Gripen +
, http://dbpedia.org/resource/Electrical_resistivity_and_conductivity +
, http://dbpedia.org/resource/Dopant +
, http://dbpedia.org/resource/Polymer_electrolytes +
, http://dbpedia.org/resource/Johnson%27s_figure_of_merit +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Gallium_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Erieye +
, http://dbpedia.org/resource/LED +
, http://dbpedia.org/resource/Sapphire +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic_vapour_phase_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Electronics +
, http://dbpedia.org/resource/Wurtzite_crystal_structure +
, http://dbpedia.org/resource/Category:III-V_semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Manganese +
, http://dbpedia.org/resource/Band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/High-electron-mobility_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Magnetic_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Solar_cell +
, http://dbpedia.org/resource/Nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Field-effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://dbpedia.org/resource/United_States_Army +
, http://dbpedia.org/resource/Oxygen +
, http://dbpedia.org/resource/Nitrogen +
, http://dbpedia.org/resource/Microwave_oven +
, http://dbpedia.org/resource/Schottky_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Electric_field +
, http://dbpedia.org/resource/MESFET +
, http://dbpedia.org/resource/Trimethylgallium +
, http://dbpedia.org/resource/Triethylgallium +
, http://dbpedia.org/resource/Knoop_hardness_test +
, http://dbpedia.org/resource/Velocity +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/GlobalEye +
, http://dbpedia.org/resource/EL/M-2084 +
, http://dbpedia.org/resource/Epitaxy +
|
| http://dbpedia.org/property/imagefile
|
GaN Wurtzite polyhedra.png
, GaNcrystal.jpg
|
| http://dbpedia.org/property/iupacname
|
Gallium nitride
|
| http://dbpedia.org/property/name
|
Gallium nitride
|
| http://dbpedia.org/property/othernames
|
gallium nitride
|
| http://dbpedia.org/property/verifiedrevid
|
476994965
|
| http://dbpedia.org/property/watchedfields
|
changed
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Thermochemistry +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Use_dmy_dates +
, http://dbpedia.org/resource/Template:About +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Citation_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Related +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Structure +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cascite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chemspidercite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Stdinchicite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Authority_control +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Fdacite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Rp +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Identifiers +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Hazards +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Properties +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chem2 +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Commons_category +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Gallium_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Nitrides +
, http://dbpedia.org/resource/Template:%21 +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Nitrides +
, http://dbpedia.org/resource/Category:III-V_semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Wurtzite_structure_type +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Inorganic_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Gallium_compounds +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Gallium_nitride?oldid=1124032553&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/GaN_Wurtzite_polyhedra.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/GaNcrystal.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/FBH_GaN_High_electron_mobility_transistor.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Crystal-GaN.jpg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Gallium_nitride +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/name
|
Gallium nitride
|
| owl:sameAs |
http://sh.dbpedia.org/resource/Galijum_nitrid +
, http://sr.dbpedia.org/resource/Galijum_nitrid +
, http://pl.dbpedia.org/resource/Azotek_galu +
, https://global.dbpedia.org/id/3oTgb +
, http://fr.dbpedia.org/resource/Nitrure_de_gallium +
, http://www.wikidata.org/entity/Q411713 +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%9D%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%B4_%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%8F +
, http://it.dbpedia.org/resource/Nitruro_di_gallio +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%9D%D1%96%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%B4_%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D1%96%D1%8E +
, http://ca.dbpedia.org/resource/Nitrur_de_gal%C2%B7li +
, http://he.dbpedia.org/resource/%D7%92%D7%9C%D7%99%D7%95%D7%9D_%D7%A0%D7%99%D7%98%D7%A8%D7%99%D7%93 +
, http://hi.dbpedia.org/resource/%E0%A4%97%E0%A5%88%E0%A4%B2%E0%A4%BF%E0%A4%AF%E0%A4%AE_%E0%A4%A8%E0%A4%BE%E0%A4%87%E0%A4%9F%E0%A5%8D%E0%A4%B0%E0%A4%BE%E0%A4%87%E0%A4%A1 +
, http://ta.dbpedia.org/resource/%E0%AE%95%E0%AE%BE%E0%AE%B2%E0%AE%BF%E0%AE%AF%E0%AE%AE%E0%AF%8D_%E0%AE%A8%E0%AF%88%E0%AE%9F%E0%AF%8D%E0%AE%B0%E0%AF%88%E0%AE%9F%E0%AF%81 +
, http://sv.dbpedia.org/resource/Galliumnitrid +
, http://es.dbpedia.org/resource/Nitruro_de_galio +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.02c_b0 +
, http://nl.dbpedia.org/resource/Galliumnitride +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5 +
, http://pt.dbpedia.org/resource/Nitreto_de_g%C3%A1lio +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D9%86%DB%8C%D8%AA%D8%B1%DB%8C%D8%AF_%DA%AF%D8%A7%D9%84%DB%8C%D9%85 +
, http://de.dbpedia.org/resource/Galliumnitrid +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_nitride +
, http://ar.dbpedia.org/resource/%D9%86%D8%AA%D8%B1%D9%8A%D8%AF_%D8%A7%D9%84%D8%BA%D8%A7%D9%84%D9%8A%D9%88%D9%85 +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E7%AA%92%E5%8C%96%E3%82%AC%E3%83%AA%E3%82%A6%E3%83%A0 +
, http://ko.dbpedia.org/resource/%EC%A7%88%ED%99%94_%EA%B0%88%EB%A5%A8 +
, http://vi.dbpedia.org/resource/Gali_nitride +
, http://yago-knowledge.org/resource/Gallium_nitride +
, http://azb.dbpedia.org/resource/%D9%86%DB%8C%D8%AA%D8%B1%DB%8C%D8%AF_%D9%82%D8%A7%D9%84%DB%8C%D9%88%D9%85 +
, http://fi.dbpedia.org/resource/Galliumnitridi +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/InorganicCompound114919511 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatNitrides +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatInorganicCompounds +
, http://dbpedia.org/class/yago/Nitride114963317 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatIII-VCompounds +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatCompoundSemiconductors +
, http://umbel.org/umbel/rc/ChemicalSubstanceType +
, http://dbpedia.org/ontology/Drug +
, http://dbpedia.org/ontology/ChemicalSubstance +
, http://dbpedia.org/ontology/ChemicalCompound +
, http://dbpedia.org/class/yago/Relation100031921 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductorMaterials +
, http://dbpedia.org/class/yago/Part113809207 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Matter100020827 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Material114580897 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Compound114818238 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Chemical114806838 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Substance100019613 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole105869584 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Cognition100023271 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Compound105870180 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatGalliumCompounds +
, http://dbpedia.org/class/yago/Concept105835747 +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Idea105833840 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Content105809192 +
, http://www.ontologydesignpatterns.org/ont/dul/DUL.owl#ChemicalObject +
, http://www.wikidata.org/entity/Q11173 +
, http://dbpedia.org/class/yago/PsychologicalFeature100023100 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Conductor114821043 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Semiconductor114821248 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductors +
, http://dbpedia.org/class/yago/Abstraction100002137 +
|
| rdfs:comment |
Gallium nitride (GaN) is a binary III/V di … Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in blue light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure. Its wide band gap of 3.4 eV affords it special properties for applications in optoelectronic, high-power and high-frequency devices. For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without requiring nonlinear optical frequency-doubling.ring nonlinear optical frequency-doubling.
, Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider m … Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3.7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een -zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.nceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.
, O nitreto de gálio, fórmula química , é in … O nitreto de gálio, fórmula química , é indispensável para diversas das últimas evoluções do campo da tecnologia. Ele é um semicondutor pertencente ao grupo III-V, que compreende o nitreto de gálio, nitreto de alumínio, e ligas ternárias e quaternárias. Esse semicondutor se destaca por possuir um bandgap largo, no valor de eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda na faixa do azul ao ultravioleta. Os filmes produzidos por este material geralmente se cristalizam na estrutura zinc-blend com simetria cúbica ou na estrutura wurtzita com simetria hexagonal. Dependendo das condições de deposição, o crescimento dos filmes pode acontecer ao longo de vários planos. As características deste semicondutor permitem a aplicação na indústria optoeletrônica e na tecnologia de dispositivos eletrônicos na tecnologia de dispositivos eletrônicos
, El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium … El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica, La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau. el subtrat que fa possible el làser Blau.
, Galliumnitrid är ett III/V halvledarmateri … Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga.Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid.nningar än transistorer av galliumarsenid.
, 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V … 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。
, El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) e … El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LEDs) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica, dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia.otencia y dispositivos de alta frecuencia.
, Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое … Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K). Используется в качестве полупроводникового материала для изготовления оптоэлектронных приборов ультрафиолетового диапазона; с 1990 года начал широко использоваться в светодиодах. Также в мощных и высокочастотных полупроводниковых приборах.ысокочастотных полупроводниковых приборах.
, Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek c … Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek chemiczny, niewystępujący naturalnie, stosowany głównie jako materiał półprzewodnikowy w optoelektronice, m.in. w laserach półprzewodnikowych (np. niebieski laser), diodach elektroluminescencyjnych, detektorach i przetwornikach elektroakustycznych.rach i przetwornikach elektroakustycznych.
, 窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。また、近年ではパワー半導体やレーダーへの応用も期待されている。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
, Il nitruro di gallio (GaN) è un semicondut … Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche quest'ultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K.to pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K.
, Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV на … Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах. Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або оксигеном, для провідності p-типу — магнієм.сигеном, для провідності p-типу — магнієм.
, نتريد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaN ، ويكون على شكل مسحوق بلوري أصفر . لمادة نتريد الغاليوم تطبيقات متعددة في علوم النانو.
, 질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 최근에는 전력 반도체나 레이다 등에도 응용되고 있다.
, Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium un … Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), eine Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet.verschiedene Sensorikanwendungen geeignet.
, Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-co … Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite (3,4 eV) utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de grande puissance ou de haute fréquence. C'est un composé binaire (groupe III/groupe V) qui possède une semiconductivité intrinsèque. Il est peu sensible aux rayonnements ionisants (comme tous les autres nitrures du groupe III), ce qui fait de lui un matériau approprié pour les panneaux solaires des satellites.pour les panneaux solaires des satellites.
|
| rdfs:label |
Galliumnitrid
, Нитрид галлия
, Nitreto de gálio
, Gallium nitride
, Azotek galu
, 窒化ガリウム
, 질화 갈륨
, Nitruro de galio
, Nitruro di gallio
, Нітрид галію
, نتريد الغاليوم
, Nitrur de gal·li
, Nitrure de gallium
, Galliumnitride
, 氮化鎵
|
