| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соеди … Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.приёмников и детекторов ядерных излучений.
, L'arseniuro di gallio è un composto chimic … L'arseniuro di gallio è un composto chimico inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs. È caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.istici), nonché nelle celle fotovoltaiche.
, Gallium(III)arsenid, galliumarsenid (ofta … Gallium(III)arsenid, galliumarsenid (ofta förkortat GaAs) är en förening av grundämnena gallium (kemisk beteckning 'Ga') och arsenik (kemisk beteckning 'As'). Den är en viktig halvledare och används för att tillverka integrerade kretsar som arbetar i mikrovågsfrekvenser (flera GHz), infraröda lysdioder, laserdioder och solceller.röda lysdioder, laserdioder och solceller.
, L'arsenur de gal·li (GaAs) és un compost de gal·li i arsènic. És un important semiconductor i es fa servir per fabricar dispositius com circuits integrats a freqüències de microones, díodes d'emissió infraroja, díodes làser i cèl·lules fotovoltaiques.
, زرنيخيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة Ga … زرنيخيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaAs ، ويكون على شكل بلورات رمادية. زرنيخيد الغاليوم (GaAs) هو مركب من عناصر الغاليوم والزرنيخ. وهو عبارة عن أشباه موصلات ذات فجوة III-V مباشرة مع بنية بلورية من الزنك. يستخدم زرنيخ الغاليوم في تصنيع الأجهزة مثل الدوائر المتكاملة التردد الميكروويف، الدوائر المتكاملة الميكروويف متحدة، الثنائيات الباعثة للضوء الأشعة تحت الحمراء، الثنائيات الليزر والخلايا الشمسية والنوافذ البصرية. غالبًا ما يتم استخدام GaAs كمواد أساسية للنمو الفوقي لأشباه الموصلات III-V الأخرى بما في ذلك زرنيخيد الغاليوم الإنديوم وأرسينيد الألومنيوم الغاليوم وغيرها.نديوم وأرسينيد الألومنيوم الغاليوم وغيرها.
, Gallium arsenide (GaAs) is a III-V direct … Gallium arsenide (GaAs) is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure. Gallium arsenide is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows. GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and others.ide, aluminum gallium arsenide and others.
, Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische … Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische verbinding tussen gallium en arseen. Het is een belangrijke halfgeleider met toepassingen in leds en zonnecellen. Vanwege zijn hoge kunnen elektronen erg snel van het ene naar het andere atoom overspringen. Hierom wordt galliumarsenide veel toegepast in geïntegreerde schakelingen waarbij hoge frequenties (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden.es (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden.
, L'arséniure de gallium est un composé chim … L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs III-V. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende). Il est utilisé notamment pour réaliser des composants micro-ondes, des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, des composants opto-électroniques, des diodes électroluminescentes dans l'infrarouge, des diodes laser, des cellules photovoltaïques et des fenêtres optiques. Le GaAs est dit « III-V » car le gallium et l’arsenic se trouvent respectivement dans le groupe 13 et le groupe 15 du tableau périodique, appelés jadis colonne IIIB et colonne VB, et donc trois et cinq électrons de valence. L'arséniure de gallium est couramment utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale d'autres III-V tels que l'arséniure d'indium-gallium InxGa1−xAs et l'arséniure d'aluminium-gallium AlxGa1−xAs.'arséniure d'aluminium-gallium AlxGa1−xAs.
, 砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。
, Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речов … Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка. Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям. Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds). — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds).
, Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari … Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari unsur-unsur galium dan arsenik. Ini adalah semikonduktor dengan struktur kristal seng blende. Galium arsenida digunakan dalam pembuatan perangkat seperti sirkuit terintegrasi frekuensi gelombang , , dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, sel surya dan jendela optik. GaAs sering digunakan sebagai bahan substrat untuk pertumbuhan epitaksial semikonduktor III-V lainnya, termasuk , dan lain-lain.r III-V lainnya, termasuk , dan lain-lain.
, 비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨 … 비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다. GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다. 1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다. 갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다. 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다. 아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다. 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다.
, ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
, Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs … Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann. Die auf diesem Substratmaterial aufbauenden Verbindungen und Epitaxie-Schichten werden zur Herstellung elektronischer Bauelemente benötigt, die bei Hochfrequenzanwendungen und für die Umwandlung elektrischer in optische Signale eingesetzt werden.her in optische Signale eingesetzt werden.
, El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
, GaAs, ábhar leathsheoltóra a úsáidtear i d … GaAs, ábhar leathsheoltóra a úsáidtear i dtrasraitheoirí, cealla gréine is léasair leathsheoltóra (ach nach n-úsáidtear in aon chor chomh minic le sileacan chuige seo). Cosúil le sileacan, agus déantar í a dhópáil chun a sheoltacht leictreach a mhodhnú mar is gá. Gluaiseann leictreoin i bhfad níos tapa ann ná i sileacan, agus is cinnte go mbainfear feidhm i bhfad níos mó aisti as seo amach. Buntáiste eile ag GaAs thar Si is ea go dtraiseolann sé solas, rud a bheidh an-tábhachtach sna slisní ina mbeidh fótóin mar iompróirí sonraí in ionad leictreon.n mar iompróirí sonraí in ionad leictreon.
, Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a polovodičových laserů a fotovoltaických článků.
, Arsenieto de gálio é composto químico sint … Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados. O arsenieto de gálio é obtido na forma de lâminas, a partir da combinação dos elementos químicos constituintes, arsênio e gálio, e permite, segundo a Revista da Siemens, a fabricação dos chips mais rápidos do mundo, os quais, embora mais caros do que os que utilizam substrato de apenas silício, são muito mais velozes na transmissão de informações, além de possibilitar uma redução significativa nos tamanhos dos equipamentos.gnificativa nos tamanhos dos equipamentos.
, Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek … Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu. Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej. Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz.Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) Według = 1,424 eV. (w temperaturze 300 K) Według = 1,424 eV.
|
| http://dbpedia.org/ontology/iupacName
|
Gallium arsenide
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/index.html +
, http://www.atsdr.cdc.gov/HEC/CSEM/arsenic/ +
, http://www.wafertech.co.uk/galliumarsenide.htm +
, https://web.archive.org/web/20060721233640/http:/www.logitech.uk.com/gallium_arsenide.asp +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
144143
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
45464
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1118793952
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Carcinogen +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_hole +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Arsenides +
, http://dbpedia.org/resource/Laser_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon_dioxide +
, http://dbpedia.org/resource/Photomixing +
, http://dbpedia.org/resource/Crystallographic_defect +
, http://dbpedia.org/resource/MESFET +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Spintronics +
, http://dbpedia.org/resource/Spirit_rover +
, http://dbpedia.org/resource/Multi-junction_solar_cells +
, http://dbpedia.org/resource/Venera_3 +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_volt +
, http://dbpedia.org/resource/Integrated_injection_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Surface_passivation +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/RCA +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Integrated_circuits +
, http://dbpedia.org/resource/Gunn_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Monolithic_microwave_integrated_circuit +
, http://dbpedia.org/resource/Photovoltaics +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_mobility +
, http://dbpedia.org/resource/Metal%E2%80%93semiconductor_field-effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Mars_Exploration_Rover +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Inorganic_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/USSR +
, http://dbpedia.org/resource/Hydrogen_peroxide +
, http://dbpedia.org/resource/Convex_Computer +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Junction_field-effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_nitride +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium%28II%29_sulfide +
, http://dbpedia.org/resource/Arsenic +
, http://dbpedia.org/resource/Bridgman-Stockbarger_technique +
, http://dbpedia.org/resource/File:MidSTAR-1.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/International_Agency_for_Research_on_Cancer +
, http://dbpedia.org/resource/Direct-coupled_FET_logic +
, http://dbpedia.org/resource/Capacitor%E2%80%93diode_FET_logic +
, http://dbpedia.org/resource/File:Bandstruktur_GaAs_en.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Heterostructure_emitter_bipolar_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Buffered_FET_Logic +
, http://dbpedia.org/resource/Infrared +
, http://dbpedia.org/resource/Boule_%28crystal%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminum_gallium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Source-coupled_FET_logic +
, http://dbpedia.org/resource/III-V +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic_vapor_phase_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Solar_cells +
, http://dbpedia.org/resource/Spin-charge_converter +
, http://dbpedia.org/resource/Thin-film_solar_cell +
, http://dbpedia.org/resource/Band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/Opportunity_rover +
, http://dbpedia.org/resource/Hydrochloric_acid +
, http://dbpedia.org/resource/Nanoelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Hydride_vapour_phase_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Trimethylgallium +
, http://dbpedia.org/resource/Lunokhod_programme +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_antimonide +
, http://dbpedia.org/resource/QWIP +
, http://dbpedia.org/resource/Solar_car_racing +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Supercomputer +
, http://dbpedia.org/resource/Mobile_phone +
, http://dbpedia.org/resource/Platinum +
, http://dbpedia.org/resource/Zincblende_%28crystal_structure%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi_level +
, http://dbpedia.org/resource/Category:III-V_semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Microprocessor +
, http://dbpedia.org/resource/Microwaves +
, http://dbpedia.org/resource/Arsine +
, http://dbpedia.org/resource/Concentrator_photovoltaics +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Zincblende_crystal_structure +
, http://dbpedia.org/resource/Spalling +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_vapor_deposition +
, http://dbpedia.org/resource/Field_effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Zhores_Alferov +
, http://dbpedia.org/resource/Radiation_hardening +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi_level_pinning +
, http://dbpedia.org/resource/High-electron-mobility_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Silicate +
, http://dbpedia.org/resource/Fraunhofer_Institute_for_Solar_Energy_Systems +
, http://dbpedia.org/resource/Methanol +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_well +
, http://dbpedia.org/resource/Category:IARC_Group_1_carcinogens +
, http://dbpedia.org/resource/MOVPE +
, http://dbpedia.org/resource/Light-emitting_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Hydrofluoric_acid +
, http://dbpedia.org/resource/United_States_Department_of_Defense +
, http://dbpedia.org/resource/Cray +
, http://dbpedia.org/resource/Heterojunction_bipolar_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Microwave +
, http://dbpedia.org/resource/Oxidation_state +
, http://dbpedia.org/resource/Cray-3 +
, http://dbpedia.org/resource/Ethanol +
, http://dbpedia.org/resource/Molar_absorptivity +
, http://dbpedia.org/resource/Crystalline_silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Light-emitting_diode_materials +
, http://dbpedia.org/resource/Mars +
, http://dbpedia.org/resource/Cadmium_telluride +
, http://dbpedia.org/resource/MOCVD +
, http://dbpedia.org/resource/HEMT +
, http://dbpedia.org/resource/Acetone +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Optoelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic_vapour-phase_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Gallium_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Indium_gallium_phosphide +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Bromine +
, http://dbpedia.org/resource/Hydroxamic_acid +
, http://dbpedia.org/resource/Dielectric_constant +
, http://dbpedia.org/resource/GaN +
, http://dbpedia.org/resource/Direct_band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/Saturation_velocity +
, http://dbpedia.org/resource/5_nm_process +
, http://dbpedia.org/resource/Indirect_band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/Rocket_Lab +
, http://dbpedia.org/resource/European_Chemicals_Agency +
, http://dbpedia.org/resource/Metalorganic +
, http://dbpedia.org/resource/Etching_%28microfabrication%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Solar_cells +
, http://dbpedia.org/resource/Arsenic_acid +
, http://dbpedia.org/resource/Economy_of_scale +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminum_oxide +
, http://dbpedia.org/resource/Metal%E2%80%93oxide%E2%80%93semiconductor_field-effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Strategic_Defense_Initiative +
, http://dbpedia.org/resource/Single_crystal +
, http://dbpedia.org/resource/Alliant_Computer_Systems +
, http://dbpedia.org/resource/Strain_%28chemistry%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Czochralski_process +
, http://dbpedia.org/resource/Arsenic_trichloride +
, http://dbpedia.org/resource/Solar_cell +
, http://dbpedia.org/resource/Aluminium_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_manganese_arsenide +
, http://dbpedia.org/resource/CMOS +
, http://dbpedia.org/resource/Noise_%28physics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Molecular_beam_epitaxy +
, http://dbpedia.org/resource/Photovoltaic_array +
, http://dbpedia.org/resource/Multijunction_solar_cell +
, http://dbpedia.org/resource/Integrated_Circuit +
, http://dbpedia.org/resource/Germanium +
, http://dbpedia.org/resource/Integrated_circuit +
, http://dbpedia.org/resource/Communications_satellite +
, http://dbpedia.org/resource/Lattice_constant +
, http://dbpedia.org/resource/Electrical_insulation +
, http://dbpedia.org/resource/Category:III-V_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/CRC_Press +
, http://dbpedia.org/resource/Thin_film +
, http://dbpedia.org/resource/Radar +
|
| http://dbpedia.org/property/imagecaption
|
GaAs wafer of orientation
|
| http://dbpedia.org/property/imagefile
|
2.0
, Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png
|
| http://dbpedia.org/property/imagename
|
Samples of gallium arsenide
|
| http://dbpedia.org/property/imagesize
|
244
|
| http://dbpedia.org/property/pin
|
Gallium arsenide
|
| http://dbpedia.org/property/verifiedfields
|
changed
|
| http://dbpedia.org/property/verifiedrevid
|
476995185
|
| http://dbpedia.org/property/watchedfields
|
changed
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Redirect +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Properties +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Identifiers +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chem +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Hazards +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Arsenides +
, http://dbpedia.org/resource/Template:E +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Stdinchicite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Fdacite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cascite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chemspidercite +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chemboximage +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_book +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Related +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Citation_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Div_col +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Div_col_end +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Val +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Circa +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:P-phrases +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Commons_category +
, http://dbpedia.org/resource/Template:H-phrases +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Gallium_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Template:GHS_health_hazard +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Arsenic_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Semiconductor_laser +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Authority_control +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Chembox_Structure +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Light-emitting_diode_materials +
, http://dbpedia.org/resource/Category:IARC_Group_1_carcinogens +
, http://dbpedia.org/resource/Category:III-V_semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Zincblende_crystal_structure +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Optoelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Arsenides +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Gallium_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Inorganic_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Category:III-V_compounds +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Solar_cells +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Compound +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Gallium_arsenide?oldid=1118793952&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Gallium_Arsenide_%28GaAs%29_2%22_wafer.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Bandstruktur_GaAs_en.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MidSTAR-1.jpg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Gallium_arsenide +
|
| owl:sameAs |
http://ar.dbpedia.org/resource/%D8%B2%D8%B1%D9%86%D9%8A%D8%AE%D9%8A%D8%AF_%D8%A7%D9%84%D8%BA%D8%A7%D9%84%D9%8A%D9%88%D9%85 +
, http://he.dbpedia.org/resource/%D7%92%D7%9C%D7%99%D7%95%D7%9D_%D7%90%D7%A8%D7%A1%D7%A0%D7%99%D7%93 +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.0127kw +
, http://ta.dbpedia.org/resource/%E0%AE%95%E0%AE%BE%E0%AE%B2%E0%AE%BF%E0%AE%AF%E0%AE%AE%E0%AF%8D_%E0%AE%86%E0%AE%B0%E0%AF%8D%E0%AE%9A%E0%AE%BF%E0%AE%A9%E0%AF%88%E0%AE%9F%E0%AF%81 +
, http://sh.dbpedia.org/resource/Galijum_arsenid +
, http://nds.dbpedia.org/resource/Galliumarsenid +
, http://sv.dbpedia.org/resource/Galliumarsenid +
, http://be.dbpedia.org/resource/%D0%90%D1%80%D1%81%D0%B5%D0%BD%D1%96%D0%B4_%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D1%96%D1%8E +
, http://pl.dbpedia.org/resource/Arsenek_galu +
, http://th.dbpedia.org/resource/%E0%B9%81%E0%B8%81%E0%B8%A5%E0%B9%80%E0%B8%A5%E0%B8%B5%E0%B8%A2%E0%B8%A1%E0%B8%AD%E0%B8%B2%E0%B8%A3%E0%B9%8C%E0%B9%80%E0%B8%8B%E0%B9%84%E0%B8%99%E0%B8%94%E0%B9%8C +
, http://vi.dbpedia.org/resource/Gali%28III%29_arsenide +
, http://tr.dbpedia.org/resource/Galyum_arsenit +
, http://no.dbpedia.org/resource/Galliumarsenid +
, https://global.dbpedia.org/id/3vbc3 +
, http://ga.dbpedia.org/resource/Arsana%C3%ADd_ghailliam +
, http://fi.dbpedia.org/resource/Galliumarsenidi +
, http://cs.dbpedia.org/resource/Arsenid_gallit%C3%BD +
, http://ca.dbpedia.org/resource/Arsenur_de_gal%C2%B7li +
, http://hu.dbpedia.org/resource/Gallium-arzenid +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E3%83%92%E5%8C%96%E3%82%AC%E3%83%AA%E3%82%A6%E3%83%A0 +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%90%D1%80%D1%81%D0%B5%D0%BD%D1%96%D0%B4_%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D1%96%D1%8E +
, http://nl.dbpedia.org/resource/Galliumarsenide +
, http://it.dbpedia.org/resource/Arseniuro_di_gallio +
, http://ko.dbpedia.org/resource/%EB%B9%84%EC%86%8C%ED%99%94_%EA%B0%88%EB%A5%A8 +
, http://bg.dbpedia.org/resource/%D0%93%D0%B0%D0%BB%D0%B8%D0%B5%D0%B2_%D0%B0%D1%80%D1%81%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B4 +
, http://www.wikidata.org/entity/Q422819 +
, http://da.dbpedia.org/resource/Galliumarsenid +
, http://d-nb.info/gnd/4019155-2 +
, http://simple.dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide +
, http://id.dbpedia.org/resource/Galium_arsenida +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%DA%AF%D8%A7%D9%84%DB%8C%D9%85_%D8%A2%D8%B1%D8%B3%D9%86%DB%8C%D8%AF +
, http://yago-knowledge.org/resource/Gallium_arsenide +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E7%A0%B7%E5%8C%96%E9%8E%B5 +
, http://pt.dbpedia.org/resource/Arsenieto_de_g%C3%A1lio +
, http://dbpedia.org/resource/Gallium_arsenide +
, http://es.dbpedia.org/resource/Arseniuro_de_galio +
, http://de.dbpedia.org/resource/Galliumarsenid +
, http://hi.dbpedia.org/resource/%E0%A4%97%E0%A5%88%E0%A4%B2%E0%A4%BF%E0%A4%AF%E0%A4%AE_%E0%A4%86%E0%A4%B0%E0%A5%8D%E0%A4%B8%E0%A5%87%E0%A4%A8%E0%A4%BE%E0%A4%87%E0%A4%A1 +
, http://fr.dbpedia.org/resource/Ars%C3%A9niure_de_gallium +
, http://az.dbpedia.org/resource/Qallium_arsenid +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%90%D1%80%D1%81%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B4_%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D1%8F +
, http://et.dbpedia.org/resource/Galliumarseniid +
, http://sr.dbpedia.org/resource/Galijum_arsenid +
|
| rdf:type |
http://www.ontologydesignpatterns.org/ont/dul/DUL.owl#ChemicalObject +
, http://dbpedia.org/class/yago/Abstraction100002137 +
, http://www.wikidata.org/entity/Q11173 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Relation100031921 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatGalliumCompounds +
, http://dbpedia.org/class/yago/Arsenide114610443 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatArsenides +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductors +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatArsenicCompounds +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatLight-emittingDiodeMaterials +
, http://dbpedia.org/class/yago/Part113809207 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Conductor114821043 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Semiconductor114821248 +
, http://dbpedia.org/ontology/ChemicalCompound +
, http://dbpedia.org/class/yago/InorganicCompound114919511 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatInorganicCompounds +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatIII-VCompounds +
, http://dbpedia.org/class/yago/PsychologicalFeature100023100 +
, http://dbpedia.org/ontology/ChemicalSubstance +
, http://umbel.org/umbel/rc/ChemicalSubstanceType +
, http://dbpedia.org/class/yago/Compound105870180 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole105869584 +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductorMaterials +
, http://dbpedia.org/class/yago/Concept105835747 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatCompoundSemiconductors +
, http://dbpedia.org/class/yago/Compound114818238 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Chemical114806838 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Substance100019613 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Matter100020827 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Material114580897 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Cognition100023271 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Idea105833840 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Content105809192 +
|
| rdfs:comment |
Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari … Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari unsur-unsur galium dan arsenik. Ini adalah semikonduktor dengan struktur kristal seng blende. Galium arsenida digunakan dalam pembuatan perangkat seperti sirkuit terintegrasi frekuensi gelombang , , dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, sel surya dan jendela optik. GaAs sering digunakan sebagai bahan substrat untuk pertumbuhan epitaksial semikonduktor III-V lainnya, termasuk , dan lain-lain.r III-V lainnya, termasuk , dan lain-lain.
, GaAs, ábhar leathsheoltóra a úsáidtear i d … GaAs, ábhar leathsheoltóra a úsáidtear i dtrasraitheoirí, cealla gréine is léasair leathsheoltóra (ach nach n-úsáidtear in aon chor chomh minic le sileacan chuige seo). Cosúil le sileacan, agus déantar í a dhópáil chun a sheoltacht leictreach a mhodhnú mar is gá. Gluaiseann leictreoin i bhfad níos tapa ann ná i sileacan, agus is cinnte go mbainfear feidhm i bhfad níos mó aisti as seo amach. Buntáiste eile ag GaAs thar Si is ea go dtraiseolann sé solas, rud a bheidh an-tábhachtach sna slisní ina mbeidh fótóin mar iompróirí sonraí in ionad leictreon.n mar iompróirí sonraí in ionad leictreon.
, L'arsenur de gal·li (GaAs) és un compost de gal·li i arsènic. És un important semiconductor i es fa servir per fabricar dispositius com circuits integrats a freqüències de microones, díodes d'emissió infraroja, díodes làser i cèl·lules fotovoltaiques.
, Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речов … Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка. Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям. Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds). — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds).
, L'arséniure de gallium est un composé chim … L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs III-V. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende). L'arséniure de gallium est couramment utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale d'autres III-V tels que l'arséniure d'indium-gallium InxGa1−xAs et l'arséniure d'aluminium-gallium AlxGa1−xAs.'arséniure d'aluminium-gallium AlxGa1−xAs.
, L'arseniuro di gallio è un composto chimic … L'arseniuro di gallio è un composto chimico inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs. È caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.istici), nonché nelle celle fotovoltaiche.
, 비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨 … 비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다. GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다. 1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다. 갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다. 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다. 아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다. 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다.
, Gallium arsenide (GaAs) is a III-V direct … Gallium arsenide (GaAs) is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure. Gallium arsenide is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows. GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and others.ide, aluminum gallium arsenide and others.
, Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a polovodičových laserů a fotovoltaických článků.
, ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。
, Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische … Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische verbinding tussen gallium en arseen. Het is een belangrijke halfgeleider met toepassingen in leds en zonnecellen. Vanwege zijn hoge kunnen elektronen erg snel van het ene naar het andere atoom overspringen. Hierom wordt galliumarsenide veel toegepast in geïntegreerde schakelingen waarbij hoge frequenties (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden.es (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden.
, El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
, 砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。
, Gallium(III)arsenid, galliumarsenid (ofta … Gallium(III)arsenid, galliumarsenid (ofta förkortat GaAs) är en förening av grundämnena gallium (kemisk beteckning 'Ga') och arsenik (kemisk beteckning 'As'). Den är en viktig halvledare och används för att tillverka integrerade kretsar som arbetar i mikrovågsfrekvenser (flera GHz), infraröda lysdioder, laserdioder och solceller.röda lysdioder, laserdioder och solceller.
, Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соеди … Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.приёмников и детекторов ядерных излучений.
, زرنيخيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة Ga … زرنيخيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaAs ، ويكون على شكل بلورات رمادية. زرنيخيد الغاليوم (GaAs) هو مركب من عناصر الغاليوم والزرنيخ. وهو عبارة عن أشباه موصلات ذات فجوة III-V مباشرة مع بنية بلورية من الزنك. يستخدم زرنيخ الغاليوم في تصنيع الأجهزة مثل الدوائر المتكاملة التردد الميكروويف، الدوائر المتكاملة الميكروويف متحدة، الثنائيات الباعثة للضوء الأشعة تحت الحمراء، الثنائيات الليزر والخلايا الشمسية والنوافذ البصرية. غالبًا ما يتم استخدام GaAs كمواد أساسية للنمو الفوقي لأشباه الموصلات III-V الأخرى بما في ذلك زرنيخيد الغاليوم الإنديوم وأرسينيد الألومنيوم الغاليوم وغيرها.نديوم وأرسينيد الألومنيوم الغاليوم وغيرها.
, Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek … Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu. Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.ptoelektronice oraz technice mikrofalowej.
, Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs … Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann. Die auf diesem Substratmaterial aufbauenden Verbindungen und Epitaxie-Schichten werden zur Herstellung elektronischer Bauelemente benötigt, die bei Hochfrequenzanwendungen und für die Umwandlung elektrischer in optische Signale eingesetzt werden.her in optische Signale eingesetzt werden.
, Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados.
|
| rdfs:label |
Arseniuro di gallio
, Arseniuro de galio
, Arsanaíd ghailliam
, 비소화 갈륨
, Galliumarsenid
, Arséniure de gallium
, Arsenek galu
, Arsenieto de gálio
, Arsenur de gal·li
, Gallium arsenide
, زرنيخيد الغاليوم
, Arsenid gallitý
, Арсенід галію
, 砷化鎵
, Galium arsenida
, ヒ化ガリウム
, Galliumarsenide
, Арсенид галлия
|
