| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
In de halfgeleidertheorie is een uitputtin … In de halfgeleidertheorie is een uitputtingszone, verarmingsgebied of depletielaag, een gebied in een pn-overgang waarin zich geen meerderheidsladingsdragers bevinden, waarin de meerderheidsladingsdragers uitgeput zijn. In een uitputtingszone is dus geen ladingstransport mogelijk, zodat de uitputtingszone een elektrisch isolerende laag vormt. Een uitputtingszone vormt zich doordat de vrije elektronen in het n gedoteerde materiaal zich begeven (diffunderen) naar het p gedoteerde materiaal, waar zij gevraagd zijn; men zegt: de vrije elektronen recombineren met de vrije gaten in het p-materiaal. Het n-materiaal wordt zo positief geladen en het p-materiaal negatief. Het daardoor gevormde elektrische veld werkt de diffusie tegen, zodat een evenwichtssituate ontstaat, die overigens temperatuurafhankelijk is., die overigens temperatuurafhankelijk is.
, In semiconductor physics, the depletion re … In semiconductor physics, the depletion region, also called depletion layer, depletion zone, junction region, space charge region or space charge layer, is an insulating region within a conductive, doped semiconductor material where the mobile charge carriers have been diffused away, or have been forced away by an electric field. The only elements left in the depletion region are ionized donor or acceptor impurities. This region of uncovered positive and negative ions is called the depletion region due to the depletion of carriers in this region. The depletion region is so named because it is formed from a conducting region by removal of all free charge carriers, leaving none to carry a current. Understanding the depletion region is key to explaining modern semiconductor electronics: diodes, bipolar junction transistors, field-effect transistors, and variable capacitance diodes all rely on depletion region phenomena.es all rely on depletion region phenomena.
, في فيزياء أشباه الموصلات منطقة انخفاض أو م … في فيزياء أشباه الموصلات منطقة انخفاض أو منطقة الافتقار أو منطقة العبور (بالإنجليزية: Depletion region) هي منطقة انتقالية بين طبقات شبه موصل مختلفة التشويب تقل فيها كثافة حاملات الشحنة من إلكترونات وفجوات، ويعتمد على خواص تلك المنطقة العازلة العديد من أنواع التراسيستور المستخدمة في أغراض كثيرة. تنتشر من منطقة الانخفاض حاملات الشحنة إلى مناطق أخرى في شبه الموصل إما لقلة تركيز تشويبها أو تحت تأثير مجال كهربائي. ولا يتبقى في منطقة الانخفاض إلا شوائب متأينة إما تعطي شحنات أو تمتص شحنات. وقد سميت تلك المنطقة منطقة انخفاض أو منطقة افتقار لانها تتكون من منطقة موصلة بعد إخلائها من جميع الشحنات المتحركة، تاركة ورائها فجوات لا تنقل التيار. وفهم عمل منطقة الانخفاض هو المفتاح لتفسير عمل أشباه الموصلات في الإلكترونيات / مثل ثنائي قطب وترانزستور حقلي، وثنائي أقطاب المكثف المتغير، وغيرها. ستنحصر مناقشتنا التالية في عمل وصلة بي إن ومكثف موسفت، مع أن منطقة الانخفاض تنشأ في جميع الأجهزة الأخرى المذكوة عاليا.تنشأ في جميع الأجهزة الأخرى المذكوة عاليا.
, En electrònica, la zona d'esgotament, tamb … En electrònica, la zona d'esgotament, també anomenada zona de càrrega espacial (ZCE), o zona deserta, correspon a la regió que apareix en una unió PN, entre la zona dopada N i la zona dopada P. S'anomena "zona d'esgotament" o "zona de depleció" perquè no té portadors lliures, i s'anomena "zona de càrrega espacial" perquè consta de dues àrees de càrrega elèctrica (a diferència de la resta dels semiconductors N i semiconductors P que són globalment neutres) ...nductors P que són globalment neutres) ...
, Область збіднення — область просторового з … Область збіднення — область просторового заряду, що виникає в легованому напівпровіднику при контакті з металом або з іншим напівпровідником. У випадку p-n переходу виникають дві області збіднення протилежного заряду обабіч переходу. У випадку контакту між металом і напівпровідником область збіднення виникає лише в напівпровіднику. Область збіднення виникає тоді, коли рівень Фермі металу лежить нижче за рівень Фермі напівпровідника.ить нижче за рівень Фермі напівпровідника.
, Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmung … Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint. Je nach Polarität einer von außen angelegten elektrischen Spannung ergeben sich unterschiedliche Konfigurationen an elektrischen Feldern und dadurch im Bereich der Verarmungszone eine gute oder aber nur sehr schwache elektrische Leitfähigkeit (es "sperrt"). Dieser physikalische Effekt stellt die Grundlage für die gleichrichtende Funktion des Halbleiterbauelements Diode dar. Daneben spielen Raumladungszonen auch in anderen elektronischen Bauelementen eine grundlegende Rolle, z. B. in Bipolartransistoren oder in Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.er in Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.
, A região de depleção refere-se a região em torno de uma junção P-N de um semicondutor na qual existem poucos portadores de carga (elétrons ou buracos).
, 耗尽层（英語：depletion region），又称空乏區、阻挡层、势垒区（barrier region），是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。
, Cлой обеднения (обедненный, истощенный сло … Cлой обеднения (обедненный, истощенный слой) в физике полупроводников характеризует пониженную, по сравнению с равновесной концентрацию основных носителей на границе двух материалов. Примером могут служить p-n-переходы или гетерограницы двух полупроводников с разными ширинами запрещённых зон или граница металл-полупроводник. На границе металл-диэлектрик можно также получить обедненный слой при приложении электрического поля, что является основным физическим принципом работы полевого транзистора.ким принципом работы полевого транзистора.
, Nella fisica dei semiconduttori, la region … Nella fisica dei semiconduttori, la regione di carica spaziale, anche detta strato, regione o zona di svuotamento è uno spazio isolante all'interno di un semiconduttore drogato.Il drogaggio induce nel semiconduttore un eccesso di elettroni liberi o di lacune che si comportano da portatori di carica permettendo il passaggio di corrente; nella regione di svuotamento, gli elettroni liberi e le lacune si ricombinano annientandosi e il trasporto di carica cessa.ientandosi e il trasporto di carica cessa.
, Warstwa zaporowa – wskutek dyfuzyjnego prz … Warstwa zaporowa – wskutek dyfuzyjnego przepływu elektronów (i dziur) w obszarze granicznym warstwy N/P pozostają nieskompensowane ładunki dodatnie nieruchomych centrów donorowych/akceptorowych. W obszarze granicznym warstw P, N powstaje zatem warstwa dipolowa ładunku, wytwarzająca pole elektryczne przeciwdziałające dyfuzji nośników większościowych. Tę warstwę dipolową nazywa się warstwą zaporową lub warstwą ładunku przestrzennego.porową lub warstwą ładunku przestrzennego.
, En électronique, la zone de déplétion, aus … En électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres)....ucteur P qui sont globalement neutres)....
, 반도체 물리에서 결핍 영역(depletion region)이란 전도성을 띤 … 반도체 물리에서 결핍 영역(depletion region)이란 전도성을 띤 도핑된 반도체 물질에서 이동성 전하 운반자가 확산에 의해 빠져나갔거나 전기장에 의해 강제로 다른 곳으로 옮겨짐에 따라 만들어지는 절연된 영역을 뜻한다. 결핍 영역에는 이온화된 (donor)와 (acceptor) 불순물만 남는다. 결핍 영역을 결핍층(depletion layer), 결핍 구간(depletion zone), 접합 영역(junction region), 공간 전하 영역(space charge region), 공간 전하층(space charge layer) 같은 용어로 지칭하기도 하는데, 모두 같은 뜻이다. 분야마다 우리말 용어가 조금씩 다른데, 2010년 발표된 한국물리학회 공식용어 조정안에서는 결핍 영역을 한국어 표준 용어로 정했다. 일본어에서 같은 단어를 공핍층(空乏層)으로 옮기다 보니 한국어에서도 결핍 대신 공핍으로 옮기는 경우가 많다. 결핍 영역은 전도성이 있는 영역에서 자유 전하 운반체를 전부 없애서 전류를 운반할 수 있는 것을 모두 없애버렸기 때문에 그런 이름이 붙어 있다. 다이오드, 양극성 접합형 트랜지스터, 장효과 트랜지스터, 같은 반도체 소자를 이해하기 위해서는 결핍 영역을 제대로 이해해야만 한다. 아래에서는 PN 접합과 MOSFET을 중심으로 설명하지만, 위에 언급한 소자에서 모두 결핍 영역이 생길 수 있다.중심으로 설명하지만, 위에 언급한 소자에서 모두 결핍 영역이 생길 수 있다.
, 空乏層（くうぼうそう、depletion layer）とは、半導体のPN接合などでみられる、キャリアがほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも言う。
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Pn_Junction_Diffusion_and_Drift.svg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
1974142
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
18204
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1088277564
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Doping_%28semiconductors%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Polysilicon_depletion_effect +
, http://dbpedia.org/resource/Electronics +
, http://dbpedia.org/resource/Poisson%27s_equation +
, http://dbpedia.org/resource/Independent_Variable +
, http://dbpedia.org/resource/Contact_electrification +
, http://dbpedia.org/resource/Elementary_charge +
, http://dbpedia.org/resource/Valence_and_conduction_bands +
, http://dbpedia.org/resource/Rectifier +
, http://dbpedia.org/resource/Dynamic_equilibrium +
, http://dbpedia.org/resource/Charge_carrier +
, http://dbpedia.org/resource/Acceptor_%28semiconductors%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Extrinsic_semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Donor_%28semiconductors%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Recombination_%28physics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Metal%E2%80%93oxide%E2%80%93semiconductor_structure +
, http://dbpedia.org/resource/Permittivity +
, http://dbpedia.org/resource/Varicap +
, http://dbpedia.org/resource/Flux_density +
, http://dbpedia.org/resource/Bipolar_junction_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Channel_%28transistor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/File:MOS_Capacitor.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Diode +
, http://dbpedia.org/resource/Capacitance_voltage_profiling +
, http://dbpedia.org/resource/P%E2%80%93n_junction +
, http://dbpedia.org/resource/Gauss%27s_law +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_physics +
, http://dbpedia.org/resource/File:PN_band.gif +
, http://dbpedia.org/resource/Reverse_bias +
, http://dbpedia.org/resource/Polysilicon +
, http://dbpedia.org/resource/Electric_field +
, http://dbpedia.org/resource/Steady_state +
, http://dbpedia.org/resource/Electron +
, http://dbpedia.org/resource/Einstein_relation_%28kinetic_theory%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Category:MOSFETs +
, http://dbpedia.org/resource/Band_bending +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_hole +
, http://dbpedia.org/resource/Field-effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/MOSFET +
, http://dbpedia.org/resource/Vacuum_permittivity +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_structures +
, http://dbpedia.org/resource/Diffused +
, http://dbpedia.org/resource/File:Depletion_width-en.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Farad +
, http://dbpedia.org/resource/File:Pn_Junction_Diffusion_and_Drift.svg +
, http://dbpedia.org/resource/File:Pn-junction-equilibrium-graphs.png +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Inversion_layer_%28semiconductors%29 +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Equation_box_1 +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Use_American_English +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Other_uses +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Authority_control +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_structures +
, http://dbpedia.org/resource/Category:MOSFETs +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Region +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Depletion_region?oldid=1088277564&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/PN_band.gif +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Pn-junction-equilibrium-graphs.png +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Pn_Junction_Diffusion_and_Drift.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/MOS_Capacitor.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Depletion_width-en.svg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Depletion_region +
|
| owl:sameAs |
http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%A1%D0%BB%D0%BE%D0%B9_%D0%BE%D0%B1%D0%B5%D0%B4%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D1%8F +
, http://ca.dbpedia.org/resource/Zona_de_c%C3%A0rrega_espacial +
, http://www.wikidata.org/entity/Q288224 +
, http://pl.dbpedia.org/resource/Warstwa_zaporowa +
, http://ar.dbpedia.org/resource/%D9%85%D9%86%D8%B7%D9%82%D8%A9_%D8%A7%D9%86%D8%AE%D9%81%D8%A7%D8%B6 +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.06b5sc +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E8%80%97%E5%B0%BD%E5%B1%82 +
, http://ht.dbpedia.org/resource/Kouch_deplesyon +
, http://de.dbpedia.org/resource/Raumladungszone +
, https://global.dbpedia.org/id/2fuwz +
, http://he.dbpedia.org/resource/%D7%90%D7%96%D7%95%D7%A8_%D7%9E%D7%97%D7%A1%D7%95%D7%A8 +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E7%A9%BA%E4%B9%8F%E5%B1%A4 +
, http://hi.dbpedia.org/resource/%E0%A4%85%E0%A4%B5%E0%A4%95%E0%A5%8D%E0%A4%B7%E0%A4%AF_%E0%A4%95%E0%A5%8D%E0%A4%B7%E0%A5%87%E0%A4%A4%E0%A5%8D%E0%A4%B0 +
, http://pt.dbpedia.org/resource/Regi%C3%A3o_de_deple%C3%A7%C3%A3o +
, http://da.dbpedia.org/resource/Rumladningsomr%C3%A5de +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%9E%D0%B1%D0%BB%D0%B0%D1%81%D1%82%D1%8C_%D0%B7%D0%B1%D1%96%D0%B4%D0%BD%D0%B5%D0%BD%D0%BD%D1%8F +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D9%86%D8%A7%D8%AD%DB%8C%D9%87_%D8%AA%D8%AE%D9%84%DB%8C%D9%87 +
, http://fr.dbpedia.org/resource/Zone_de_d%C3%A9pl%C3%A9tion +
, http://ko.dbpedia.org/resource/%EA%B2%B0%ED%95%8D_%EC%98%81%EC%97%AD +
, http://d-nb.info/gnd/4473468-2 +
, http://hu.dbpedia.org/resource/Ki%C3%BCr%C3%ADtett_tartom%C3%A1ny +
, http://dbpedia.org/resource/Depletion_region +
, http://it.dbpedia.org/resource/Regione_di_carica_spaziale +
, http://nl.dbpedia.org/resource/Uitputtingszone +
, http://sr.dbpedia.org/resource/%D0%97%D0%BE%D0%BD%D0%B0_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%BE%D0%B3_%D0%BD%D0%B0%D0%B5%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%81%D0%B0%D1%9A%D0%B0 +
, http://yago-knowledge.org/resource/Depletion_region +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductorStructures +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/YagoPermanentlyLocatedEntity +
, http://dbpedia.org/class/yago/YagoGeoEntity +
, http://dbpedia.org/class/yago/Artifact100021939 +
, http://dbpedia.org/ontology/Settlement +
, http://dbpedia.org/class/yago/Structure104341686 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole100003553 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Object100002684 +
|
| rdfs:comment |
في فيزياء أشباه الموصلات منطقة انخفاض أو م … في فيزياء أشباه الموصلات منطقة انخفاض أو منطقة الافتقار أو منطقة العبور (بالإنجليزية: Depletion region) هي منطقة انتقالية بين طبقات شبه موصل مختلفة التشويب تقل فيها كثافة حاملات الشحنة من إلكترونات وفجوات، ويعتمد على خواص تلك المنطقة العازلة العديد من أنواع التراسيستور المستخدمة في أغراض كثيرة. تنتشر من منطقة الانخفاض حاملات الشحنة إلى مناطق أخرى في شبه الموصل إما لقلة تركيز تشويبها أو تحت تأثير مجال كهربائي. ولا يتبقى في منطقة الانخفاض إلا شوائب متأينة إما تعطي شحنات أو تمتص شحنات.شوائب متأينة إما تعطي شحنات أو تمتص شحنات.
, Область збіднення — область просторового з … Область збіднення — область просторового заряду, що виникає в легованому напівпровіднику при контакті з металом або з іншим напівпровідником. У випадку p-n переходу виникають дві області збіднення протилежного заряду обабіч переходу. У випадку контакту між металом і напівпровідником область збіднення виникає лише в напівпровіднику. Область збіднення виникає тоді, коли рівень Фермі металу лежить нижче за рівень Фермі напівпровідника.ить нижче за рівень Фермі напівпровідника.
, Nella fisica dei semiconduttori, la region … Nella fisica dei semiconduttori, la regione di carica spaziale, anche detta strato, regione o zona di svuotamento è uno spazio isolante all'interno di un semiconduttore drogato.Il drogaggio induce nel semiconduttore un eccesso di elettroni liberi o di lacune che si comportano da portatori di carica permettendo il passaggio di corrente; nella regione di svuotamento, gli elettroni liberi e le lacune si ricombinano annientandosi e il trasporto di carica cessa.ientandosi e il trasporto di carica cessa.
, Warstwa zaporowa – wskutek dyfuzyjnego prz … Warstwa zaporowa – wskutek dyfuzyjnego przepływu elektronów (i dziur) w obszarze granicznym warstwy N/P pozostają nieskompensowane ładunki dodatnie nieruchomych centrów donorowych/akceptorowych. W obszarze granicznym warstw P, N powstaje zatem warstwa dipolowa ładunku, wytwarzająca pole elektryczne przeciwdziałające dyfuzji nośników większościowych. Tę warstwę dipolową nazywa się warstwą zaporową lub warstwą ładunku przestrzennego.porową lub warstwą ładunku przestrzennego.
, Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmung … Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint. Je nach Polarität einer von außen angelegten elektrischen Spannung ergeben sich unterschiedliche Konfigurationen an elektrischen Feldern und dadurch im Bereich der Verarmungszone eine gute oder aber nur sehr schwache elektrische Leitfähigkeit (es "sperrt").e elektrische Leitfähigkeit (es "sperrt").
, A região de depleção refere-se a região em torno de uma junção P-N de um semicondutor na qual existem poucos portadores de carga (elétrons ou buracos).
, En electrònica, la zona d'esgotament, tamb … En electrònica, la zona d'esgotament, també anomenada zona de càrrega espacial (ZCE), o zona deserta, correspon a la regió que apareix en una unió PN, entre la zona dopada N i la zona dopada P. S'anomena "zona d'esgotament" o "zona de depleció" perquè no té portadors lliures, i s'anomena "zona de càrrega espacial" perquè consta de dues àrees de càrrega elèctrica (a diferència de la resta dels semiconductors N i semiconductors P que són globalment neutres) ...nductors P que són globalment neutres) ...
, 空乏層（くうぼうそう、depletion layer）とは、半導体のPN接合などでみられる、キャリアがほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも言う。
, 반도체 물리에서 결핍 영역(depletion region)이란 전도성을 띤 … 반도체 물리에서 결핍 영역(depletion region)이란 전도성을 띤 도핑된 반도체 물질에서 이동성 전하 운반자가 확산에 의해 빠져나갔거나 전기장에 의해 강제로 다른 곳으로 옮겨짐에 따라 만들어지는 절연된 영역을 뜻한다. 결핍 영역에는 이온화된 (donor)와 (acceptor) 불순물만 남는다. 결핍 영역을 결핍층(depletion layer), 결핍 구간(depletion zone), 접합 영역(junction region), 공간 전하 영역(space charge region), 공간 전하층(space charge layer) 같은 용어로 지칭하기도 하는데, 모두 같은 뜻이다. 분야마다 우리말 용어가 조금씩 다른데, 2010년 발표된 한국물리학회 공식용어 조정안에서는 결핍 영역을 한국어 표준 용어로 정했다. 일본어에서 같은 단어를 공핍층(空乏層)으로 옮기다 보니 한국어에서도 결핍 대신 공핍으로 옮기는 경우가 많다. 아래에서는 PN 접합과 MOSFET을 중심으로 설명하지만, 위에 언급한 소자에서 모두 결핍 영역이 생길 수 있다.중심으로 설명하지만, 위에 언급한 소자에서 모두 결핍 영역이 생길 수 있다.
, 耗尽层（英語：depletion region），又称空乏區、阻挡层、势垒区（barrier region），是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。
, In de halfgeleidertheorie is een uitputtin … In de halfgeleidertheorie is een uitputtingszone, verarmingsgebied of depletielaag, een gebied in een pn-overgang waarin zich geen meerderheidsladingsdragers bevinden, waarin de meerderheidsladingsdragers uitgeput zijn. In een uitputtingszone is dus geen ladingstransport mogelijk, zodat de uitputtingszone een elektrisch isolerende laag vormt.zone een elektrisch isolerende laag vormt.
, In semiconductor physics, the depletion re … In semiconductor physics, the depletion region, also called depletion layer, depletion zone, junction region, space charge region or space charge layer, is an insulating region within a conductive, doped semiconductor material where the mobile charge carriers have been diffused away, or have been forced away by an electric field. The only elements left in the depletion region are ionized donor or acceptor impurities. This region of uncovered positive and negative ions is called the depletion region due to the depletion of carriers in this region. the depletion of carriers in this region.
, Cлой обеднения (обедненный, истощенный сло … Cлой обеднения (обедненный, истощенный слой) в физике полупроводников характеризует пониженную, по сравнению с равновесной концентрацию основных носителей на границе двух материалов. Примером могут служить p-n-переходы или гетерограницы двух полупроводников с разными ширинами запрещённых зон или граница металл-полупроводник. На границе металл-диэлектрик можно также получить обедненный слой при приложении электрического поля, что является основным физическим принципом работы полевого транзистора.ким принципом работы полевого транзистора.
, En électronique, la zone de déplétion, aus … En électronique, la zone de déplétion, aussi appelée zone de charge d'espace (ZCE), ou zone désertée, correspond à la région qui apparaît dans une jonction P-N, entre la zone dopée N et la zone dopée P. Elle est appelée « zone de déplétion » ou « zone désertée » parce qu'elle est dépourvue de porteurs libres, et elle est appelée « zone de charge d'espace » parce qu'elle est constituée de deux zones chargées électriquement (contrairement au reste du semi-conducteur N et du semi-conducteur P qui sont globalement neutres)....ucteur P qui sont globalement neutres)....
|
| rdfs:label |
Warstwa zaporowa
, 耗尽层
, Região de depleção
, Zone de déplétion
, Raumladungszone
, 결핍 영역
, منطقة انخفاض
, Область збіднення
, Слой обеднения
, 空乏層
, Zona de càrrega espacial
, Uitputtingszone
, Depletion region
, Regione di carica spaziale
|
