| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
The floating-gate MOSFET (FGMOS), also kno … The floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG. Since the FG is surrounded by highly resistive material, the charge contained in it remains unchanged for long periods of time, nowadays typically longer than 10 years. Usually Fowler-Nordheim tunneling and hot-carrier injection mechanisms are used to modify the amount of charge stored in the FG. The FGMOS is commonly used as a floating-gate memory cell, the digital storage element in EPROM, EEPROM and flash memory technologies. Other uses of the FGMOS include a neuronal computational element in neural networks, analog storage element, digital potentiometers and single-transistor DACs.potentiometers and single-transistor DACs.
, In elettronica, il Floating Gate MOSFET, s … In elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, è un transistor ad effetto di campo la cui struttura è simile a quella di un MOSFET. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di gate, detto Floating Gate, situato tra il substrato ed il Control Gate e separato da essi dal biossido di silicio SiO2. Questa struttura è un condensatore, ed è capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella memoria in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash. Nei FGMOS a canale n l'iniezione di carica può avvenire in due modi, per hot carriers injection, come nel caso delle memoria Flash, o per effetto tunnel, come per le EEPROM; mentre nei dispositivi a canale p si usa il fenomeno di breakdown a valanga, utilizzato nella programmazione delle EPROM.ilizzato nella programmazione delle EPROM.
, Memori gerbang mengambang adalah perangkat … Memori gerbang mengambang adalah perangkat yang dapat menyimpan besaran fisika dalam waktu yang cukup lama. Dalam memori gerbang mengambang, besaran fisika masih dapat dideteksi. Jenis besaran fisika yang disimpan berbentuk bilangan biner 0 dan 1. Besaran fisika ini disimpan sebagai informasi digital. Memori gerbang mengambang digunakan dalam berbagai peralatan elektronik. Bentuk fisiknya antara lain diska lepas USB dan kartu memori. Memori gerbang mengambang memiliki ukuran yang sangat kecil. Kelebihannya adalah dapat menyimpan data dalam jumlah yang sangat besar. Pembuatan memori gerbang mengambang merupakan hasil dari perkembangan teori kuantum. Prinsip kerja dari memori gerbang mengambang didasarkan pada fenomen penerowongan kuantum dan gaya coulomb.men penerowongan kuantum dan gaya coulomb.
, МОН-транзи́стор з плавни́м затво́ром (англ … МОН-транзи́стор з плавни́м затво́ром (англ. Floating-gate MOSFET, FGMOS) являє собою польовий транзистор, структура якого аналогічна звичайному МДН-транзистору. Затвор транзистора розташований у глибині діелектрика на деякому віддаленні від усіх контактів транзистора, що не дозволяє електронам з маленькою енергією, потрапляти на нього. Поруч з ним розташований керівний затвор. Якщо до нього прикласти високу напругу, то багато електронів набувають настільки високої енергії, що можуть проходити крізь діелектрик і осідати на плавному затворі (інжекція «гарячих» електронів), і його заряд з нейтрального стає негативним.Електрони, що потрапили на плавний затвор, можуть залишатися там протягом десятків років, причому їхня кількість не буде зменшуватися, якщо на транзистор не подається напруга. Якщо ж прикласти до керівного затвору напругу протилежного знака, то електрони починають з нього стікати, тим самим розряджаючи його. Очевидно, що плавний затвор наразі виконує ту ж роль, що і конденсатор в пам'яті DRAM — він зберігає запрограмовану інформацію. Таким чином, ми маємо два стаціонарних стани транзистора: плавний затвор або не має заряду, або заряджений негативно, відповідно, перше відповідає , а друге — одиниці.дно, перше відповідає , а друге — одиниці.
, 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは … 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、ニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、
, Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezi … Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird. Er wurde 1967 von Dawon Kahng und Simon Min Sze in den Bell Laboratories entwickelt und stellte bis zum Anfang der 2000er Jahre in integrierten Schaltungen bei den Flash-Speichern, Floating-Gate-PROMs, EPROMs und EEPROMs das elementare Speicherelement dar. Floating-Gate-Transistoren werden in Flashspeichern, insbesondere den NAND-Flash, zunehmend durch Charge-Trap-Flash (CTF) ersetzt. Durch die Vermeidung von Störeffekten, welche primär durch eng benachbarte Floating-Gate-Transistoren verursacht sind, können in CTFs kleinere Strukturgrößen und höhere Speicherdichten pro Chipfläche als mit Floating-Gates realisiert werden. als mit Floating-Gates realisiert werden.
, 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅 … 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。 FGMOS的应用包括EPROM中的数字存储元件、EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。
, Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Floating_gate_transistor-en.svg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
https://www.amazon.com/dp/3639134109 +
, https://www.amazon.com/dp/3836441772 +
, https://web.archive.org/web/20110105165103/http:/etd.gatech.edu/theses/available/etd-08062006-001021/unrestricted/ozalevli_erhan_200612_phd.pdf +
, http://computer.howstuffworks.com/rom4.htm +
, http://www.cs.washington.edu/homes/diorio/Publications/CoAuthConfPapers/PaulHasler/Floatgate_dev.pdf +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
6241465
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
11580
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1110403233
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Fe_FET +
, http://dbpedia.org/resource/File:Floating_gate_transistor-en.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Hot-carrier_injection +
, http://dbpedia.org/resource/Read-only_memory +
, http://dbpedia.org/resource/Polysilicon +
, http://dbpedia.org/resource/Computer_memory +
, http://dbpedia.org/resource/Ultraviolet +
, http://dbpedia.org/resource/Digital-to-analog_converter +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Transistor_types +
, http://dbpedia.org/resource/EPROM +
, http://dbpedia.org/resource/Transconductance +
, http://dbpedia.org/resource/Metal%E2%80%93oxide%E2%80%93semiconductor_field-effect_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_memory +
, http://dbpedia.org/resource/Capacitive_coupling +
, http://dbpedia.org/resource/Bell_Labs +
, http://dbpedia.org/resource/SONOS +
, http://dbpedia.org/resource/Memory_cell_%28computing%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Nonvolatile_memory +
, http://dbpedia.org/resource/Field_electron_emission +
, http://dbpedia.org/resource/Adaptive_retina +
, http://dbpedia.org/resource/EEPROM +
, http://dbpedia.org/resource/IGBT +
, http://dbpedia.org/resource/Simon_Min_Sze +
, http://dbpedia.org/resource/Dawon_Kahng +
, http://dbpedia.org/resource/Neural_network +
, http://dbpedia.org/resource/Non-volatile_storage +
, http://dbpedia.org/resource/Artificial_neural_network +
, http://dbpedia.org/resource/Charge_trap_flash +
, http://dbpedia.org/resource/Direct_current +
, http://dbpedia.org/resource/Flash_memory +
, http://dbpedia.org/resource/Mohamed_Atalla +
, http://dbpedia.org/resource/Digital_potentiometer +
, http://dbpedia.org/resource/Category:MOSFETs +
, http://dbpedia.org/resource/MOSFET +
|
| http://dbpedia.org/property/date
|
May 2020
|
| http://dbpedia.org/property/reason
|
I think that's a MOSFET, specifically, right?
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Clarify +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Transistor_types +
, http://dbpedia.org/resource/Category:MOSFETs +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Transistor +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Floating-gate_MOSFET?oldid=1110403233&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Floating_gate_transistor-en.svg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Floating-gate_MOSFET +
|
| owl:sameAs |
http://rdf.freebase.com/ns/m.02pb39b +
, http://yago-knowledge.org/resource/Floating-gate_MOSFET +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E6%B5%AE%E9%81%8A%E3%82%B2%E3%83%BC%E3%83%88MOSFET +
, http://www.wikidata.org/entity/Q933186 +
, http://it.dbpedia.org/resource/Floating_Gate_MOSFET +
, http://vi.dbpedia.org/resource/FGMOS +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E6%B5%AE%E6%A0%85%E9%87%91%E5%B1%9E%E6%B0%A7%E5%8C%96%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E5%9C%BA%E6%95%88%E5%BA%94%E6%99%B6%E4%BD%93%E7%AE%A1 +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D9%85%D8%A7%D8%B3%D9%81%D8%AA_%DA%AF%DB%8C%D8%AA-%D8%B4%D9%86%D8%A7%D9%88%D8%B1 +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%96%D0%B7_%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%BD%D0%B8%D0%BC_%D0%B7%D0%B0%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%BC +
, http://ca.dbpedia.org/resource/MOSFET_de_porta_flotant +
, http://de.dbpedia.org/resource/Floating-Gate-Transistor +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%A2%D1%80%D0%B0%D0%BD%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80_%D1%81_%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D0%B2%D0%B0%D1%8E%D1%89%D0%B8%D0%BC_%D0%B7%D0%B0%D1%82%D0%B2%D0%BE%D1%80%D0%BE%D0%BC +
, https://global.dbpedia.org/id/54xcC +
, http://id.dbpedia.org/resource/Memori_gerbang_mengambang +
, http://dbpedia.org/resource/Floating-gate_MOSFET +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Artifact100021939 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Instrumentality103575240 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Whole100003553 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Object100002684 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatTransistors +
, http://dbpedia.org/class/yago/Transistor104471632 +
, http://dbpedia.org/class/yago/SemiconductorDevice104171831 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Device103183080 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Conductor103088707 +
|
| rdfs:comment |
In elettronica, il Floating Gate MOSFET, s … In elettronica, il Floating Gate MOSFET, spesso abbreviato con l'acronimo FGMOS, è un transistor ad effetto di campo la cui struttura è simile a quella di un MOSFET. Si tratta di un convenzionale transistore MOS con l'aggiunta di un ulteriore terminale di gate, detto Floating Gate, situato tra il substrato ed il Control Gate e separato da essi dal biossido di silicio SiO2. Questa struttura è un condensatore, ed è capace di contenere carica elettrica per periodi molto lunghi, il che ne ha permesso l'utilizzo come cella memoria in numerose applicazioni elettroniche. Alcune tra le numerose applicazioni del FGMOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash.MOS sono le memorie EPROM, EEPROM e flash.
, Memori gerbang mengambang adalah perangkat … Memori gerbang mengambang adalah perangkat yang dapat menyimpan besaran fisika dalam waktu yang cukup lama. Dalam memori gerbang mengambang, besaran fisika masih dapat dideteksi. Jenis besaran fisika yang disimpan berbentuk bilangan biner 0 dan 1. Besaran fisika ini disimpan sebagai informasi digital. Memori gerbang mengambang digunakan dalam berbagai peralatan elektronik. Bentuk fisiknya antara lain diska lepas USB dan kartu memori. Memori gerbang mengambang memiliki ukuran yang sangat kecil. Kelebihannya adalah dapat menyimpan data dalam jumlah yang sangat besar. Pembuatan memori gerbang mengambang merupakan hasil dari perkembangan teori kuantum. Prinsip kerja dari memori gerbang mengambang didasarkan pada fenomen penerowongan kuantum dan gaya coulomb.men penerowongan kuantum dan gaya coulomb.
, Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezi … Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird. Er wurde 1967 von Dawon Kahng und Simon Min Sze in den Bell Laboratories entwickelt und stellte bis zum Anfang der 2000er Jahre in integrierten Schaltungen bei den Flash-Speichern, Floating-Gate-PROMs, EPROMs und EEPROMs das elementare Speicherelement dar.EPROMs das elementare Speicherelement dar.
, МОН-транзи́стор з плавни́м затво́ром (англ … МОН-транзи́стор з плавни́м затво́ром (англ. Floating-gate MOSFET, FGMOS) являє собою польовий транзистор, структура якого аналогічна звичайному МДН-транзистору. Затвор транзистора розташований у глибині діелектрика на деякому віддаленні від усіх контактів транзистора, що не дозволяє електронам з маленькою енергією, потрапляти на нього. Поруч з ним розташований керівний затвор. Якщо до нього прикласти високу напругу, то багато електронів набувають настільки високої енергії, що можуть проходити крізь діелектрик і осідати на плавному затворі (інжекція «гарячих» електронів), і його заряд з нейтрального стає негативним.Електрони, що потрапили на плавний затвор, можуть залишатися там протягом десятків років, причому їхня кількість не буде зменшуватися, якщо на транзистор не подається напруга. Яккщо на транзистор не подається напруга. Як
, 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅 … 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。 FGMOS的应用包括EPROM中的数字存储元件、EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。EEPROM和闪存、模拟存储元件、、单晶体管DAC以及神经网络中的神经元计算元件等。
, 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは … 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、ニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、
, The floating-gate MOSFET (FGMOS), also kno … The floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG. Since the FG is surrounded by highly resistive material, the charge contained in it remains unchanged for long periods of time, nowadays typically longer than 10 years. Usually Fowler-Nordheim tunneling and hot-carrier injection mechanisms are used to modify the amount of charge stored in the FG.ify the amount of charge stored in the FG.
, Транзи́стор с пла́вающим затво́ром — разновидность полевого МОП-транзистора, используемая в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, EEPROM.
|
| rdfs:label |
MOSFET de porta flotant
, Memori gerbang mengambang
, Транзистор із плавним затвором
, Транзистор с плавающим затвором
, Floating-Gate-Transistor
, 浮遊ゲートMOSFET
, 浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管
, Floating-gate MOSFET
, Floating Gate MOSFET
|
