| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Nos materiais semicondutores à temperatura … Nos materiais semicondutores à temperatura de zero Kelvin (zero absoluto), todos elétrons encontram-se na banda de valência. Neste estado o semicondutor tem características de um isolante elétrico. A medida que sua temperatura aumenta, os elétrons absorvem energia passando para a banda de condução. Esta "quantidade" de energia necessária para que o elétron efetue essa transição é chamada de gap de energia (em inglês band gap), ou banda proibida. À medida que a temperatura do semicondutor aumenta, o número de elétrons que passam para a banda de condução também aumenta, passando o semicondutor a conduzir mais eletricidade, caso seja exposto a uma diferença de potencial. Para entendermos como se dá a condução elétrica em um semicondutor primeiramente precisamos entender como se comportam os átomos num sólido. Dois átomos separados possuem, cada um, seus estados de energia quantizados, conforme descreve a mecânica quântica. Ao aproximarmos esses dois átomos suas funções de onda começam a se sobrepor. As camadas mais internas desses átomos são pouco influenciadas pela proximidade entre eles devido ao fato dos elétrons estarem mais ``presos" ao núcleo atômico. Entretanto as camadas mais externas são bastantes influenciadas pela distância, fazendo com que as autofunções dos átomos se sobreponham, e, ao se sobrepor, os níveis de energia se modificam. Um sólido é composto de vários átomos muito próximos um ao outro, de maneira que as autofunções de cada átomo influencia a do átomo vizinho. O efeito da aproximação faz com que os elétrons das camadas mais externas de um átomo compartilhem níveis de energia. Quando consideramos átomos de uma mesma espécie, o efeito da proximidade faz com que seus níveis de energia se desdobrem vezes. A distância entre os átomos vai ser responsável pela sobreposição dos níveis de energia, sendo assim, devido ao grande número de átomos próximos num sólido, os níveis de energia vão ser tão próximos um do outro que na verdade parecerão uma banda contínua de energia. Os elétrons afetados são aqueles que estão na banda de valência, ou seja, aqueles menos ligados ao núcleo. A sobreposição das funções de onda dos elétrons faz com que os níveis de energia se alarguem, fazendo surgir bandas de energia e bandas proibidas, ou seja, intervalos de energia proibida entre uma banda e outra. No sólido trabalha-se com a configuração da célula unitária de uma rede cristalina, com a análise desta célula podemos entender o comportamento do sólido. Vamos a um exemplo de como se efetua essa idéia. O diamante é formado por átomos de carbono, cada um com quatro elétrons de valência, e cada célula unitária do diamante possui dois carbonos. A última camada do carbono corresponde a , onde o orbital s desta camada pode suportar dois elétrons de spin oposto e o orbital pode suportar até seis elétrons devido a sua tripla degenerância proveniente do número quântico espacial , que pode assumir os valores . Sendo assim, a proximidade entre dois átomos de carbono vão fazer com que o orbital dê origem a dois níveis de energia e o orbital a seis níveis de energia, e estes níveis serão ocupados por oito elétrons de valência, quatro de cada átomo. Devido a proximidade, o orbital do carbono dará origem a uma banda de energia, enquanto o orbital dará origem a três bandas de energia, onde em cada banda pode conter dois elétrons. Sendo assim, a banda de valência da célula unitária do diamante estará completamente cheia. Ao aplicarmos uma diferença de potencial no diamante, esta dará energia aos elétrons da banda de valência, mas como a camada está cheia, não há espaços para os elétrons "andarem", já que cada banda só pode ter dois elétrons devido ao princípio da exclusão, e como a proximidade entre os átomos fazem com que os níveis de energia se alarguem, as camadas mais energéticas acima estão separadas da banda de valência por uma região proibida, então se a energia não for suficiente para fazer o elétron pular para estes níveis, não ocorrerá a formação de corrente, então o diamante é considerado isolante. Para um sólido conduzir corrente, ele não pode ter sua camada de valência cheia, assim haverá espaços dentro da banda para ele se mover. Então para dizer se um sólido é condutor ou não, deve-se levar em conta a estrutura da rede e seus respectivos constituintes. Um semicondutor se comporta como um isolante, a diferença é que a região da banda proibida, também conhecida como GAP, é muito pequena. A zero graus Kelvin, o semicondutor se comporta como um isolante perfeito, mas devido ao pequeno GAP, a agitação térmica devido ao aumento da temperatura é capaz de fazer com que os elétrons da banda de valência pulem para a banda superior, denominada banda de condução. Ao passar para a banda de condução esses elétrons deixam buracos na camada de valência, e esses buracos também são responsáveis pela condutividade elétrica do material.s pela condutividade elétrica do material.
, In solid-state physics, a band gap, also c … In solid-state physics, a band gap, also called an energy gap, is an energy range in a solid where no electronic states can exist. In graphs of the electronic band structure of solids, the band gap generally refers to the energy difference (in electron volts) between the top of the valence band and the bottom of the conduction band in insulators and semiconductors. It is the energy required to promote a valence electron bound to an atom to become a conduction electron, which is free to move within the crystal lattice and serve as a charge carrier to conduct electric current. It is closely related to the HOMO/LUMO gap in chemistry. If the valence band is completely full and the conduction band is completely empty, then electrons cannot move within the solid because there are no available states. If the electrons are not free to move within the crystal lattice, then there is no generated current due to no net charge carrier mobility. However, if some electrons transfer from the valence band (mostly full) to the conduction band (mostly empty), then current can flow (see carrier generation and recombination). Therefore, the band gap is a major factor determining the electrical conductivity of a solid. Substances with large band gaps are generally insulators, those with smaller band gaps are semiconductors, while conductors either have very small band gaps or none, because the valence and conduction bands overlap to form a continuous band.n bands overlap to form a continuous band.
, バンドギャップ（英語: band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶の … バンドギャップ（英語: band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。 ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド（価電子帯）の頂上から、最も低い空のバンド（伝導帯）の底までの間のエネルギー準位（およびそのエネルギーの差）を指す。 E-k空間上において電子はこの状態を取ることができない。バンドギャップの存在に起因する半導体の物性は半導体素子において積極的に利用されている。 バンドギャップを表現する図は、E-k空間においてバンドギャップ周辺だけに着目した図、さらにk空間を無視してエネルギー準位だけを表現した図も良く用いられる。に着目した図、さらにk空間を無視してエネルギー準位だけを表現した図も良く用いられる。
, 응집물질물리학에서 띠틈(band gap 밴드 갭[*]), 띠간격, 또는 에너 … 응집물질물리학에서 띠틈(band gap 밴드 갭[*]), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말한다. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없다. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있다. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리킨다. 띠틈을 표현할 때 E-k 공간에서 띠틈 주변만 주목하거나, 파수 공간을 무시하고 에너지 준위만을 표현한 그림도 자주 사용된다.하거나, 파수 공간을 무시하고 에너지 준위만을 표현한 그림도 자주 사용된다.
, Ĉe solid-stata fiziko (kaj rilataj aplikit … Ĉe solid-stata fiziko (kaj rilataj aplikitaj kampoj), la benda breĉo estas la energia malsameco inter la supro de la kaj la subo de la ĉe kaj duonkonduktaĵoj. Ofte ĝi nomiĝas "bendbreĉo". Vidu en kaj duonkonduktaĵo por pli detala priskribo de benda strukturo. La benda breĉo en duonkonduktaĵoj estas grava pro kelkaj kialoj. La konduktiveco de senkontaminaĵa duonkonduktaĵo forte dependas de la benda breĉo. Tio ĉi estas ĉar la solaj disponeblaj portantoj de konduktado estas tiuj elektronoj kiuj sukcesas ricevi sufiĉan termikan energion ekcitiĝi de la valenta bendo en la konduktan bendon. De , la probableco de okazado de tiuj ĉi ekcitaĵoj estas proporcia al: kie: exp estas la eksponenta funkcioEg estas la bende breĉa energiok estas la konstanto de BoltzmannT estas la temperaturo Je multaj aparatoj tiu ĉi speco de konduktiveco estas maldezirinda, kaj pli granda bendbreĉo donas pli bona funkciado. Je infraruĝaj fotodiodoj, malgrande bendbreĉaj duonkonduktaĵoj uziĝas por allasi detektado de malalt-energiaj fotonoj. La ebleco tajlori la bendbreĉo de aparato eblas en duonkonduktaĵaj alojoj (tiel kiel GaAlAs, InGaAS, InAlAS, ktp...), kaj foje referiĝas kiel bendbreĉa inĝenierado. Tio ĉi ekspluatiĝas en la konstrukcio de (HDT-oj) kaj laseraj diodoj. La diferenco inter duonkonduktaĵo kaj izolaĵo estas iome ambigua. Fakte, laŭ unu difino, duonkonduktaĵo estas speco de izolaĵo. La kvanto de 3 eV foje doniĝas. ankaŭ rolas en determinado de neformala klasado de materialoj. Benda breĉo kutime malpliiĝas kun pliiĝa temperaturo, en procezo rilata al . Bendbreĉoj povas esti aŭ aŭ . Bendbreĉoj de kelkaj kutimaj materialoj ĉe ĉambra temperaturo: kutimaj materialoj ĉe ĉambra temperaturo:
, Заборо́нена зо́на — у зонній теорії криста … Заборо́нена зо́на — у зонній теорії кристалів проміжок енергій, в якому не існує делокалізованих одноелектронних станів. Найчастіше цей термін застосовується для проміжку заборонених значень енергії між валентною зоною та зоною провідності в напівпровідниках і діелектриках.ідності в напівпровідниках і діелектриках.
, Przerwa energetyczna, przerwa zabroniona, … Przerwa energetyczna, przerwa zabroniona, pasmo zabronione, symbol Eg, Wg – zakres energii elektronów w ciele stałym cechujący się silnym rozpraszaniem elektronów na atomach, co sprawia, że w układzie nie ma elektronów o energii z tego przedziału. Istnienie i szerokość przerwy energetycznej oraz położenie względem niej poziomu Fermiego ma podstawowe znaczenie dla właściwości półprzewodników. Jeżeli mieści się on w przerwie energetycznej, to układ w odpowiednio niskiej temperaturze jest izolatorem. Własności układu w wyższych temperaturach zależą od szerokości przerwy i położenia poziomu Fermiego.ości przerwy i położenia poziomu Fermiego.
, De verboden zone, bandkloof of band gap is … De verboden zone, bandkloof of band gap is in de vastestoffysica en materiaalkunde het energieverschil tussen de bovenkant van de valentieband en de onderkant van de geleidingsband in isolatoren en halfgeleiders. De elektrische en optische eigenschappen van een vaste stof worden hoofdzakelijk bepaald door de grootte van de verboden zone. De grootte van de verboden zone wordt meestal gegeven in elektronvolt (eV). Stoffen met een grote verboden zone zijn in het algemeen isolatoren, die met kleinere afstanden halfgeleiders. Geleiders hebben een zeer kleine verboden zone of helemaal geen, omdat de valentie- en geleidingsbanden elkaar raken of overlappen. Elektronen bevinden zich in de stof in een toestand met bepaalde energie en bezetten de laagst mogelijke energieband. Vanwege het uitsluitingsprincipe van Pauli kunnen er geen twee elektronen in de stof bestaan met dezelfde eigenschappen. Aangezien er miljarden atomen zitten in een vaste stof, verspreiden de elektronen zich over een band van energie. Ofwel, doordat de golffuncties van naburige atomen in een vaste stof met elkaar overlappen hebben de mogelijke energieniveaus van de stof de neiging om banden te vormen. Niet alle mogelijke energieniveaus zijn "toegestaan", daardoor zit er tussen verschillende banden een 'verboden zone' of energiekloof. Het niveau tot waar bij 0 kelvin alle energieniveaus gevuld zijn met elektronen wordt het fermi-niveau genoemd. Een elektron kan door toevoeging van energie (door warmte of energie van fotonen) van de valentieband naar de geleidingsband gaan. Hier heeft het elektron veel meer ruimte en kan bewegen, wat elektrische geleiding veroorzaakt. De temperatuur of golflengte die nodig is om de elektronen in de valentieband van genoeg energie te voorzien, is uit te rekenen met respectievelijk: en Hierin is de energie, de boltzmannconstante, de temperatuur, de constante van Planck, de lichtsnelheid en de golflengte. Zo kan worden berekend dat zichtbaar licht elektronen over een band gap van maximaal 3,26 eV kan heen helpen. Energiesprong tussen de valentieband en de hoger gelegen geleidingsband van een materiaal:
* isolator > 5 eV
* halfgeleider ~ 1 eV
* geleider < 0 eV (overlapping van valentie- en geleidingsband) Band gap Eg voor materialen met covalente bindingen:
* diamant: 5,3 eV
* zinksulfide: 3,6 eV
* galliumarsenide: 1,42 eV
* silicium: 1,14 eV
* germanium: 0,67 eV In een coderingssysteem voor halfgeleiders wordt de grootte van de band gap met de volgende letters als beginletter aangeduid:
* A germanium: 0,6 à 1,0 eV
* B silicium: 1,0 à 1,3 eV
* C galliumarsenide: 1,3 à ...
* R samengestelde materialen; cadmiumsulfide: 2,42 eV Een component met de codering BC148 is dan bijvoorbeeld een siliciumtransistor.s dan bijvoorbeeld een siliciumtransistor.
, La banda prohibida (en anglès bandgap), a … La banda prohibida (en anglès bandgap), a la física de l'estat sòlid i altres camps relacionats, és la diferència d'energia entre la part superior de la banda de valència i la part inferior de la banda de conducció. És present a aïllants i semiconductors. La conductivitat elèctrica d'un semiconductor intrínsec (pur) depèn en gran manera de l'amplada del gap. Els únics portadors útils per conduir són els electrons que tenen prou energia tèrmica per poder saltar la banda prohibida, la qual es defineix com la diferència d'energia entre la banda de conducció i la banda de valència. La probabilitat que un estat d'energia estigui ocupat per un electró es calcula mitjançant les estadístiques de Fermi-Dirac. Una aproximació, la de Maxwell-Boltzmann, és vàlida també si es compleix , on és el nivell de Fermi. L'aproximació de Maxwell-Boltzmann ve donada per: on: I és la funció exponencial Eg és l'energia de banda prohibida k és la constant de Boltzmann T és la temperatura La conductivitat és un efecte no desitjat, i els materials amb una amplada de banda prohibida major ofereixen un millor comportament. En els fotodíode és d'infrarojos s'usa un gap petit per permetre la detecció de fotons de baixa energia.re la detecció de fotons de baixa energia.
, Als Bandlücke (englisch band gap), auch Ba … Als Bandlücke (englisch band gap), auch Bandabstand bzw. verbotene Zone, wird der energetische Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband eines Festkörpers bezeichnet. Dessen elektrische und optische Eigenschaften werden wesentlich durch die Größe der Bandlücke bestimmt. Die Größe der Bandlücke wird üblicherweise in Elektronenvolt (eV) angegeben.herweise in Elektronenvolt (eV) angegeben.
, La banda prohibida, brecha de bandas o br … La banda prohibida, brecha de bandas o brecha energética (en inglés bandgap), en la física del estado sólido y otros campos relacionados, es la diferencia de energía entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducción. Esta cantidad se encuentra presente en aislantes y semiconductores, su predicción puede llegar a ser un reto para muchos de los métodos teóricos relacionados con la teoría de bandas. La banda prohibida es una de las primordiales contribuciones en el campo de la mecánica cuántica. La conductividad eléctrica de un semiconductor intrínseco (puro) depende en gran medida de la anchura del gap. Los únicos portadores útiles para conducir son los electrones que tienen suficiente energía térmica para poder saltar la banda prohibida, la cual se define como la diferencia de energía entre la banda de conducción y la banda de valencia. La probabilidad de que un estado de energía esté ocupado por un electrón se calcula mediante las estadísticas de Fermi-Dirac. Una aproximación, la de Maxwell-Boltzmann, es válida también si se cumple , donde es el nivel de Fermi. La aproximación de Maxwell-Boltzmann viene dada por: donde: e es la función exponencialEg es la energía de banda prohibidak es la constante de BoltzmannT es la temperatura La conductividad es un efecto no deseado, y los materiales con un ancho de banda prohibida mayor ofrecen un mejor comportamiento. En los fotodiodos de infrarrojos se usa un gap pequeño para permitir la detección de fotones de baja energía.r la detección de fotones de baja energía.
, 帶隙（band gap）、帶溝，或稱能隙（energy gap）、能帶隙（energ … 帶隙（band gap）、帶溝，或稱能隙（energy gap）、能帶隙（energy band gap）、禁带宽度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 對一個本質半導體而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階的機率。又假設，是所謂的費米能階，電子佔據的機率可以利用波茲曼近似簡化為： 在上式中，是能隙的寬度、是波茲曼常數，而則是溫度。 半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如异质结双极性晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。lar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。
, Запрещённая зо́на — область значений энерг … Запрещённая зо́на — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. Данный термин используется в физике твёрдого тела. Ширину запрещённой зоны обозначают (от англ.: g = gap — «промежуток», «зазор») и обычно численно выражают в электрон-вольтах. Величина параметра различна для разных материалов, она во многом определяет их электрические и оптические свойства. По ширине запрещённой зоны твёрдые вещества разделяют на проводники — тела, где запрещённая зона отсутствует, то есть электроны могут иметь произвольную энергию, полупроводники — в этих веществах величина составляет от долей эВ до 3—4 эВ и диэлектрики — с шириной запрещённой зоны более 4—5 эВ (граница между полупроводниками и диэлектриками условная). Как эквивалент термина «запрещённая зона» иногда применяется словосочетание «энергетическая щель»; использовать прилагательное «запретная» вместо «запрещённая» не принято.апретная» вместо «запрещённая» не принято.
, Bandgapet är inom fasta tillståndets fysik … Bandgapet är inom fasta tillståndets fysik en grundläggande storhet för halvledare och isolatorer. Den anger den minsta mängd energi som krävs för att föra en elektron från de högsta ockuperade tillstånden till de lägsta oockuperade tillstånden, med andra ord avståndet mellan ledningsbandets botten och valensbandets topp. För metaller är denna skillnad noll; banden överlappar varandra. Bandgapet ger en förklaring av elektriska egenskaper som låg konduktivitet och optiska egenskaper som transparens.et och optiska egenskaper som transparens.
, فرجة الطاقة أو فجوة النطاق أو فجوة الطاقة … فرجة الطاقة أو فجوة النطاق أو فجوة الطاقة عبارة عن مجال طاقي في الجسم الصلب لا يمكن للإلكترونات فيه أن توجد. بالنظر إلى مخططات تركيب النطاق الإلكتروني للأجسام الصلبة نجد أن فجوة النطاق تمثل الفرق الطاقي، والذي غالباً ما يعبر عنه بالإلكترون فولت eV، بين أعلى نطاق التكافؤ وأسفل نطاق التوصيل. تبرز خاصة فجوة النطاق في العوازل وأشباه الموصلات حيث تحدد قيمة الفجوة الكثير من الخصائص البصرية والكهربائية للجسم الصلب، أما في الموصلات الكهربائية فإن نطاقي التكافؤ والتوصيل متداخلان، لذلك ليس لديها فجوة نطاق.لتوصيل متداخلان، لذلك ليس لديها فجوة نطاق.
, La banda proibita o energia di gap o band … La banda proibita o energia di gap o band gap di un isolante o di un semiconduttore è l'intervallo di energia interdetto agli elettroni. Ovvero, in un isolante (o semiconduttore non drogato), non può esistere un elettrone, in uno stato stazionario, che abbia un'energia compresa tra gli estremi nella banda proibita. Generalmente la banda permessa di energia inferiore si chiama banda di valenza, mentre quella superiore si chiama banda di conduzione. Il gap energetico tra banda di valenza e conduzione è utilizzato per classificare i materiali in merito alle caratteristiche elettroniche: si considerano conduttori quelli che esibiscono bande sovrapposte o con un piccolissimo gap, mentre sono definiti isolanti quelli che presentano un'ampia zona interdetta. A metà strada si collocano i semiconduttori, simili agli isolanti, ma con una banda interdetta relativamente poco ampia. Nella banda proibita avvengono i processi di elettrone - lacuna. Il procedimento attraverso cui si modificano le posizioni fisiche e le interazioni energetiche di elettroni e lacune viene chiamato Band-gap engineering. Il silicio non drogato ha una banda proibita di circa 1,12 eV a temperatura ambiente.a di circa 1,12 eV a temperatura ambiente.
|
| rdfs:comment |
バンドギャップ（英語: band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶の … バンドギャップ（英語: band gap、禁止帯、禁制帯）とは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。 ただし半導体、絶縁体の分野においては、バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド（価電子帯）の頂上から、最も低い空のバンド（伝導帯）の底までの間のエネルギー準位（およびそのエネルギーの差）を指す。 E-k空間上において電子はこの状態を取ることができない。バンドギャップの存在に起因する半導体の物性は半導体素子において積極的に利用されている。 バンドギャップを表現する図は、E-k空間においてバンドギャップ周辺だけに着目した図、さらにk空間を無視してエネルギー準位だけを表現した図も良く用いられる。に着目した図、さらにk空間を無視してエネルギー準位だけを表現した図も良く用いられる。
, La banda prohibida, brecha de bandas o br … La banda prohibida, brecha de bandas o brecha energética (en inglés bandgap), en la física del estado sólido y otros campos relacionados, es la diferencia de energía entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducción. Esta cantidad se encuentra presente en aislantes y semiconductores, su predicción puede llegar a ser un reto para muchos de los métodos teóricos relacionados con la teoría de bandas. La banda prohibida es una de las primordiales contribuciones en el campo de la mecánica cuántica. donde:n el campo de la mecánica cuántica. donde:
, Запрещённая зо́на — область значений энерг … Запрещённая зо́на — область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. Данный термин используется в физике твёрдого тела. Ширину запрещённой зоны обозначают (от англ.: g = gap — «промежуток», «зазор») и обычно численно выражают в электрон-вольтах. Как эквивалент термина «запрещённая зона» иногда применяется словосочетание «энергетическая щель»; использовать прилагательное «запретная» вместо «запрещённая» не принято.апретная» вместо «запрещённая» не принято.
, De verboden zone, bandkloof of band gap is … De verboden zone, bandkloof of band gap is in de vastestoffysica en materiaalkunde het energieverschil tussen de bovenkant van de valentieband en de onderkant van de geleidingsband in isolatoren en halfgeleiders. De elektrische en optische eigenschappen van een vaste stof worden hoofdzakelijk bepaald door de grootte van de verboden zone. De grootte van de verboden zone wordt meestal gegeven in elektronvolt (eV). en Energiesprong tussen de valentieband en de hoger gelegen geleidingsband van een materiaal: Band gap Eg voor materialen met covalente bindingen:g voor materialen met covalente bindingen:
, La banda proibita o energia di gap o band … La banda proibita o energia di gap o band gap di un isolante o di un semiconduttore è l'intervallo di energia interdetto agli elettroni. Ovvero, in un isolante (o semiconduttore non drogato), non può esistere un elettrone, in uno stato stazionario, che abbia un'energia compresa tra gli estremi nella banda proibita. Generalmente la banda permessa di energia inferiore si chiama banda di valenza, mentre quella superiore si chiama banda di conduzione. Il silicio non drogato ha una banda proibita di circa 1,12 eV a temperatura ambiente.a di circa 1,12 eV a temperatura ambiente.
, Ĉe solid-stata fiziko (kaj rilataj aplikit … Ĉe solid-stata fiziko (kaj rilataj aplikitaj kampoj), la benda breĉo estas la energia malsameco inter la supro de la kaj la subo de la ĉe kaj duonkonduktaĵoj. Ofte ĝi nomiĝas "bendbreĉo". Vidu en kaj duonkonduktaĵo por pli detala priskribo de benda strukturo. kie: exp estas la eksponenta funkcioEg estas la bende breĉa energiok estas la konstanto de BoltzmannT estas la temperaturo Benda breĉo kutime malpliiĝas kun pliiĝa temperaturo, en procezo rilata al . Bendbreĉoj povas esti aŭ aŭ . Bendbreĉoj de kelkaj kutimaj materialoj ĉe ĉambra temperaturo: kutimaj materialoj ĉe ĉambra temperaturo:
, In solid-state physics, a band gap, also c … In solid-state physics, a band gap, also called an energy gap, is an energy range in a solid where no electronic states can exist. In graphs of the electronic band structure of solids, the band gap generally refers to the energy difference (in electron volts) between the top of the valence band and the bottom of the conduction band in insulators and semiconductors. It is the energy required to promote a valence electron bound to an atom to become a conduction electron, which is free to move within the crystal lattice and serve as a charge carrier to conduct electric current. It is closely related to the HOMO/LUMO gap in chemistry. If the valence band is completely full and the conduction band is completely empty, then electrons cannot move within the solid because there are no available sthe solid because there are no available st
, 응집물질물리학에서 띠틈(band gap 밴드 갭[*]), 띠간격, 또는 에너 … 응집물질물리학에서 띠틈(band gap 밴드 갭[*]), 띠간격, 또는 에너지 틈(energy gap)이란 반도체, 절연체의 띠구조에서 전자에 점유된 가장 높은 에너지띠 (원자가띠)의 맨위부터 가장 낮은 공간띠 (전도띠)의 바닥까지 사이의 에너지 준위나 그 에너지 차이를 말한다. E-k 공간상에 있고, 전자는 이 상태를 취할 수 없다. 띠틈의 존재에 기인하는 반도체 물성은 반도체소자에서 적극적으로 이용하고 있다. 그리고 넓은 의미로는 결정의 띠구조에 대하여 전자가 존재할 수 없는 영역 전체를 가리킨다. 띠틈을 표현할 때 E-k 공간에서 띠틈 주변만 주목하거나, 파수 공간을 무시하고 에너지 준위만을 표현한 그림도 자주 사용된다.하거나, 파수 공간을 무시하고 에너지 준위만을 표현한 그림도 자주 사용된다.
, Nos materiais semicondutores à temperatura … Nos materiais semicondutores à temperatura de zero Kelvin (zero absoluto), todos elétrons encontram-se na banda de valência. Neste estado o semicondutor tem características de um isolante elétrico. A medida que sua temperatura aumenta, os elétrons absorvem energia passando para a banda de condução. Esta "quantidade" de energia necessária para que o elétron efetue essa transição é chamada de gap de energia (em inglês band gap), ou banda proibida. À medida que a temperatura do semicondutor aumenta, o número de elétrons que passam para a banda de condução também aumenta, passando o semicondutor a conduzir mais eletricidade, caso seja exposto a uma diferença de potencial.seja exposto a uma diferença de potencial.
, 帶隙（band gap）、帶溝，或稱能隙（energy gap）、能帶隙（energ … 帶隙（band gap）、帶溝，或稱能隙（energy gap）、能帶隙（energy band gap）、禁带宽度（width of forbidden band），在固態物理學中泛指半導體或絕緣體的價帶頂端至傳導帶底端的能量差距。 對一個本質半導體而言，其導電性與能隙的大小有關，只有獲得足夠能量的電子才能從價帶被激發，跨過能隙並躍遷至傳導帶。利用費米-狄拉克統計可以得到電子佔據某個能階的機率。又假設，是所謂的費米能階，電子佔據的機率可以利用波茲曼近似簡化為： 在上式中，是能隙的寬度、是波茲曼常數，而則是溫度。 半導體材料的能隙可以利用一些工程手法加以調整，特別是在化合物半導體中，例如控制砷化鎵鋁（AlGaAs）或砷化鎵銦（InGaAs）各種元素間的比例，或是利用如分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy, MBE）成長出多層的磊晶材料。這類半導體材料在高速半導體元件或是光電元件，如异质结双极性晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。lar Transistor, HBT）、雷射二極體，或是太陽能電池上已經成為主流。
, La banda prohibida (en anglès bandgap), a … La banda prohibida (en anglès bandgap), a la física de l'estat sòlid i altres camps relacionats, és la diferència d'energia entre la part superior de la banda de valència i la part inferior de la banda de conducció. És present a aïllants i semiconductors. on: I és la funció exponencial Eg és l'energia de banda prohibida k és la constant de Boltzmann T és la temperatura constant de Boltzmann T és la temperatura
, Przerwa energetyczna, przerwa zabroniona, pasmo zabronione, symbol Eg, Wg – zakres energii elektronów w ciele stałym cechujący się silnym rozpraszaniem elektronów na atomach, co sprawia, że w układzie nie ma elektronów o energii z tego przedziału.
, Заборо́нена зо́на — у зонній теорії криста … Заборо́нена зо́на — у зонній теорії кристалів проміжок енергій, в якому не існує делокалізованих одноелектронних станів. Найчастіше цей термін застосовується для проміжку заборонених значень енергії між валентною зоною та зоною провідності в напівпровідниках і діелектриках.ідності в напівпровідниках і діелектриках.
, Bandgapet är inom fasta tillståndets fysik … Bandgapet är inom fasta tillståndets fysik en grundläggande storhet för halvledare och isolatorer. Den anger den minsta mängd energi som krävs för att föra en elektron från de högsta ockuperade tillstånden till de lägsta oockuperade tillstånden, med andra ord avståndet mellan ledningsbandets botten och valensbandets topp. För metaller är denna skillnad noll; banden överlappar varandra. Bandgapet ger en förklaring av elektriska egenskaper som låg konduktivitet och optiska egenskaper som transparens.et och optiska egenskaper som transparens.
, Als Bandlücke (englisch band gap), auch Ba … Als Bandlücke (englisch band gap), auch Bandabstand bzw. verbotene Zone, wird der energetische Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband eines Festkörpers bezeichnet. Dessen elektrische und optische Eigenschaften werden wesentlich durch die Größe der Bandlücke bestimmt. Die Größe der Bandlücke wird üblicherweise in Elektronenvolt (eV) angegeben.herweise in Elektronenvolt (eV) angegeben.
, فرجة الطاقة أو فجوة النطاق أو فجوة الطاقة … فرجة الطاقة أو فجوة النطاق أو فجوة الطاقة عبارة عن مجال طاقي في الجسم الصلب لا يمكن للإلكترونات فيه أن توجد. بالنظر إلى مخططات تركيب النطاق الإلكتروني للأجسام الصلبة نجد أن فجوة النطاق تمثل الفرق الطاقي، والذي غالباً ما يعبر عنه بالإلكترون فولت eV، بين أعلى نطاق التكافؤ وأسفل نطاق التوصيل. تبرز خاصة فجوة النطاق في العوازل وأشباه الموصلات حيث تحدد قيمة الفجوة الكثير من الخصائص البصرية والكهربائية للجسم الصلب، أما في الموصلات الكهربائية فإن نطاقي التكافؤ والتوصيل متداخلان، لذلك ليس لديها فجوة نطاق.لتوصيل متداخلان، لذلك ليس لديها فجوة نطاق.
|
