| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Recombinatie en ladingdragen in de vastest … Recombinatie en ladingdragen in de vastestoffysica van halfgeleiders zijn de processen waarbij verplaatsbare ladingdragers (elektronen) en elektronengaten worden gevormd of opgevuld. Recombinatie en ladingdragerprocessen zijn de basis voor de werking van vele halfgeleiders, zoals fotodioden, LEDs en laserdioden. Ze zijn ook onmisbaar voor een volledige analyse van pn-overgangapparaten, zoals bipolaire transistors en pn-overgangdioden. Het elektronengatpaar is de fundamentale eenheid van generatie en recombinatie, overeenkomend met een elektronverplaatsing tussen de valentieband en de geleidingsband.ssen de valentieband en de geleidingsband.
, Rekombinacja – w fizyce to połączenie się … Rekombinacja – w fizyce to połączenie się pary cząstek lub jonów o przeciwnych ładunkach elektrycznych, jest to proces odwrotny do jonizacji. Zjawisku rekombinacji jonu dodatniego i elektronu towarzyszy uwolnienie nadwyżki energii elektronu, zazwyczaj przez wypromieniowanie fotonu. W półprzewodnikach zachodzą dwa mechanizmy rekombinacji par dziura-elektron:
* Rekombinacja bezpośrednia polega na przechodzeniu elektronów z pasma przewodnictwa na jeden z wolnych stanów w paśmie walencyjnym, wskutek czego znika elektron z pasma przewodnictwa i dziura z pasma walencyjnego. Uwolniona w tym procesie energia jest emitowana w postaci fotonu (rekombinacja promienista) albo przekazywana innemu nośnikowi (efekt Augera) w trakcie rekombinacji niepromienistej.
* Rekombinacja pośrednia jest to proces, w którym przejście elektronu z pasma przewodnictwa do pasma walencyjnego odbywa się w dwóch etapach, elektron przechodzi przez stany kwantowe w przerwie energetycznej wynikające z defektów sieci krystalicznej, nazywanych pułapkami. Zjawisko rekombinacji pośredniej zostało opisane przez W. Shockleya, W.T. Reada oraz R.N. Halla, i nosi nazwę rekombinacji SRH (Shockley-Read-Hall). Przy dużych koncentracjach domieszek, powyżej 1019 cm-3, zaczyna być decydująca rekombinacja Augera. Rekombinacja Augera występuje równocześnie zarówno w rekombinacji bezpośredniej, jak i pośredniej. Energia wytracona w procesie zjawiska Augera zostaje przekazana elektronowi w paśmie przewodnictwa lub dziurze w paśmie walencyjnym. Nośniki te jednak tracą energię w wyniku oddziaływania z siecią krystaliczną, co towarzyszy generacji fononów.taliczną, co towarzyszy generacji fononów.
, 在固体物理学中，载流子的复合（英語：recombination）指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。这一过程在许多光电半导体材料中都会涉及。在一些具有PN结的器件，例如二极管和双极性晶体管中，为了研究其详细的工作原理，分析载流子的复合过程也是必要的。
, Рекомбинация — исчезновение пары свободных … Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда (электрона и дырки) в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации:
* межзонная — непосредственный переход электронов из зоны проводимости в валентную зону (в последней имеются дырки), существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов;
* через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках;
* на поверхностных состояниях (поверхностная рекомбинации); проявляется в образцах специальной геометрии с больши́м значением поверхности на единицу объёма. При рекомбинации носителей выделяется энергия, передаваемая частицам или квазичастицам. В зависимости от типа таких частиц-«приёмников энергии» выделяются:
* — энергия уносится фотонами;
* — энергия передается фононам или другим частицам (оже-рекомбинация). Процесс обратный рекомбинации называется генерацией; она состоит в возбуждении электрона из валентной зоны (где формируется дырка) в зону проводимости при нагреве, освещении образца или ударе кристаллической решётки уже наличествующим свободным электроном с достаточной энергией.ободным электроном с достаточной энергией.
, إعادة الاتحاد في الفيزياء والفلك هو أرتباط … إعادة الاتحاد في الفيزياء والفلك هو أرتباط أيون موجب الشحنة بإلكترون (سالب الشحنة) فتتشكل الذرة أو الجزيء وتعود الذرة إلى حالتها المتعادلة كهربائيا. وتمثل عملية إعادة الاتحاد معكوس عملية التأين التي تفقد خلالها الذرة أحد إلكتروناتها أو أكثر وتصبح أيونا مشحوناً.د إلكتروناتها أو أكثر وتصبح أيونا مشحوناً.
, In the solid-state physics of semiconducto … In the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes. The electron–hole pair is the fundamental unit of generation and recombination in inorganic semiconductors, corresponding to an electron transitioning between the valence band and the conduction band where generation of electron is a transition from the valence band to the conduction band and recombination leads to a reverse transition.combination leads to a reverse transition.
, 半導体においてキャリア生成と放射再結合とは、電荷キャリア（電子と正孔）が生成または消滅する過程のこと。 電子-正孔ペアの生成は価電子帯から伝導帯への電子遷移であり、再結合は逆の遷移である。
, Генера́ція носії́в заря́ду — це процес утв … Генера́ція носії́в заря́ду — це процес утворення вільних електронів і дірок під впливом різних енергетичних факторів: теплової енергії, енергії світла, енергії електричного поля. Протилежним явищем є рекомбінація. Електрон-діркова пара — фундаментальна одиниця генерації та рекомбінації, що відповідає електроному переходу з валентної зони до зони провідності.ходу з валентної зони до зони провідності.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Electronic_band_diagram.svg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://www.pvlighthouse.com.au/calculators/Recombination%20calculator/Recombination%20calculator.aspx +
, https://www.pveducation.org/pvcdrom/design-of-silicon-cells/surface-recombination +
, http://www.pvlighthouse.com.au/calculators/Band%20gap%20calculator/Band%20gap%20calculator.aspx +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
2080260
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
27994
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1121297243
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Stimulated_emission +
, http://dbpedia.org/resource/Crystal_defect +
, http://dbpedia.org/resource/Electronic_band_structure +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi_level +
, http://dbpedia.org/resource/Perovskite_solar_cell +
, http://dbpedia.org/resource/Absolute_zero +
, http://dbpedia.org/resource/Shockley%E2%80%93Read%E2%80%93Hall_%28SRH%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Charge_carrier_density +
, http://dbpedia.org/resource/Photon +
, http://dbpedia.org/resource/William_Thornton_Read +
, http://dbpedia.org/resource/Polarization_%28waves%29 +
, http://dbpedia.org/resource/File:Shockley-Read-Hall_model_inorganic_semiconductors.png +
, http://dbpedia.org/resource/Bipolar_junction_transistor +
, http://dbpedia.org/resource/File:Electronic_band_diagram.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Transistor +
, http://dbpedia.org/resource/William_Shockley +
, http://dbpedia.org/resource/Thermal_equilibrium +
, http://dbpedia.org/resource/Radiative_recombination +
, http://dbpedia.org/resource/Exciton +
, http://dbpedia.org/resource/Robert_N._Hall +
, http://dbpedia.org/resource/Photoconductivity +
, http://dbpedia.org/resource/Maser +
, http://dbpedia.org/resource/Density_of_states +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/File:Diffusion_center.gif +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Charge_carriers +
, http://dbpedia.org/resource/Phosphor +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_hole +
, http://dbpedia.org/resource/Band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/Optoelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Passivation_%28chemistry%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Direct_bandgap +
, http://dbpedia.org/resource/Phase_%28waves%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor_device +
, http://dbpedia.org/resource/Laser_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Frequency +
, http://dbpedia.org/resource/P-n_junction +
, http://dbpedia.org/resource/Carrier_lifetime +
, http://dbpedia.org/resource/Electron +
, http://dbpedia.org/resource/Conduction_band +
, http://dbpedia.org/resource/Solid-state_physics +
, http://dbpedia.org/resource/Thermodynamics +
, http://dbpedia.org/resource/Cage_effect +
, http://dbpedia.org/resource/Spontaneous_emission +
, http://dbpedia.org/resource/KT_%28energy%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Luminescence +
, http://dbpedia.org/resource/Dopant +
, http://dbpedia.org/resource/Photodiode +
, http://dbpedia.org/resource/Crystal_momentum +
, http://dbpedia.org/resource/Valence_band +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Diode +
, http://dbpedia.org/resource/Quantum_efficiency +
, http://dbpedia.org/resource/Energy_state +
, http://dbpedia.org/resource/Solar_cell +
, http://dbpedia.org/resource/Light-emitting_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Optoelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Organic_solar_cell +
, http://dbpedia.org/resource/Momentum +
, http://dbpedia.org/resource/Degeneracy_%28quantum_mechanics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Absorption_%28electromagnetic_radiation%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Population_inversion +
, http://dbpedia.org/resource/Deep-level_trap +
, http://dbpedia.org/resource/Photodetector +
, http://dbpedia.org/resource/Crystal_lattice +
, http://dbpedia.org/resource/Auger_recombination +
, http://dbpedia.org/resource/Direction_%28geometry%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Charge_carrier +
, http://dbpedia.org/resource/Fermi%E2%80%93Dirac_statistics +
, http://dbpedia.org/resource/Laser +
, http://dbpedia.org/resource/Direct_and_indirect_band_gaps +
, http://dbpedia.org/resource/Einstein_coefficients +
, http://dbpedia.org/resource/Stokes_shift +
, http://dbpedia.org/resource/Mass_action_law_%28electronics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Auger_effect +
, http://dbpedia.org/resource/Quasi_Fermi_level +
, http://dbpedia.org/resource/Temperature +
, http://dbpedia.org/resource/Phonon +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
, http://dbpedia.org/resource/Template:More_citations_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:See_also +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Main +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Optoelectronics +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Charge_carriers +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Carrier_generation_and_recombination?oldid=1121297243&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Electronic_band_diagram.svg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Diffusion_center.gif +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Shockley-Read-Hall_model_inorganic_semiconductors.png +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Carrier_generation_and_recombination +
|
| owl:sameAs |
http://nl.dbpedia.org/resource/Recombinatie_%28natuurkunde%29 +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%93%D0%B5%D0%BD%D0%B5%D1%80%D0%B0%D1%86%D1%96%D1%8F_%D0%BD%D0%BE%D1%81%D1%96%D1%97%D0%B2_%D0%B7%D0%B0%D1%80%D1%8F%D0%B4%D1%83 +
, http://www.wikidata.org/entity/Q351558 +
, http://ca.dbpedia.org/resource/Generaci%C3%B3_i_recombinaci%C3%B3_de_portadors +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%A0%D0%B5%D0%BA%D0%BE%D0%BC%D0%B1%D0%B8%D0%BD%D0%B0%D1%86%D0%B8%D1%8F_%28%D1%84%D0%B8%D0%B7%D0%B8%D0%BA%D0%B0_%D0%BF%D0%BE%D0%BB%D1%83%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%BE%D0%B4%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%B2%29 +
, http://ar.dbpedia.org/resource/%D8%B9%D9%88%D8%AF%D8%A9_%D8%A7%D8%B1%D8%AA%D8%A8%D8%A7%D8%B7 +
, http://pl.dbpedia.org/resource/Rekombinacja_%28fizyka%29 +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E5%BE%A9%E5%90%88_%28%E7%89%A9%E7%90%86%E5%AD%B8%29 +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.06ksy3 +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E3%82%AD%E3%83%A3%E3%83%AA%E3%82%A2%E7%94%9F%E6%88%90%E3%81%A8%E5%86%8D%E7%B5%90%E5%90%88 +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D8%AA%D9%88%D9%84%DB%8C%D8%AF_%D9%88_%D8%A8%D8%A7%D8%B2%D8%AA%D8%B1%DA%A9%DB%8C%D8%A8_%D8%AD%D8%A7%D9%85%D9%84 +
, https://global.dbpedia.org/id/3EnPB +
, http://dbpedia.org/resource/Carrier_generation_and_recombination +
|
| rdfs:comment |
Recombinatie en ladingdragen in de vastest … Recombinatie en ladingdragen in de vastestoffysica van halfgeleiders zijn de processen waarbij verplaatsbare ladingdragers (elektronen) en elektronengaten worden gevormd of opgevuld. Recombinatie en ladingdragerprocessen zijn de basis voor de werking van vele halfgeleiders, zoals fotodioden, LEDs en laserdioden. Ze zijn ook onmisbaar voor een volledige analyse van pn-overgangapparaten, zoals bipolaire transistors en pn-overgangdioden.ipolaire transistors en pn-overgangdioden.
, Рекомбинация — исчезновение пары свободных … Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда (электрона и дырки) в среде с выделением энергии. В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации:
* межзонная — непосредственный переход электронов из зоны проводимости в валентную зону (в последней имеются дырки), существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов;
* через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках;
* на поверхностных состояниях (поверхностная рекомбинации); проявляется в образцах специальной геометрии с больши́м значением поверхности на единицу объёма.м значением поверхности на единицу объёма.
, In the solid-state physics of semiconducto … In the solid-state physics of semiconductors, carrier generation and carrier recombination are processes by which mobile charge carriers (electrons and electron holes) are created and eliminated. Carrier generation and recombination processes are fundamental to the operation of many optoelectronic semiconductor devices, such as photodiodes, light-emitting diodes and laser diodes. They are also critical to a full analysis of p-n junction devices such as bipolar junction transistors and p-n junction diodes.ction transistors and p-n junction diodes.
, 半導体においてキャリア生成と放射再結合とは、電荷キャリア（電子と正孔）が生成または消滅する過程のこと。 電子-正孔ペアの生成は価電子帯から伝導帯への電子遷移であり、再結合は逆の遷移である。
, 在固体物理学中，载流子的复合（英語：recombination）指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。这一过程在许多光电半导体材料中都会涉及。在一些具有PN结的器件，例如二极管和双极性晶体管中，为了研究其详细的工作原理，分析载流子的复合过程也是必要的。
, إعادة الاتحاد في الفيزياء والفلك هو أرتباط … إعادة الاتحاد في الفيزياء والفلك هو أرتباط أيون موجب الشحنة بإلكترون (سالب الشحنة) فتتشكل الذرة أو الجزيء وتعود الذرة إلى حالتها المتعادلة كهربائيا. وتمثل عملية إعادة الاتحاد معكوس عملية التأين التي تفقد خلالها الذرة أحد إلكتروناتها أو أكثر وتصبح أيونا مشحوناً.د إلكتروناتها أو أكثر وتصبح أيونا مشحوناً.
, Генера́ція носії́в заря́ду — це процес утв … Генера́ція носії́в заря́ду — це процес утворення вільних електронів і дірок під впливом різних енергетичних факторів: теплової енергії, енергії світла, енергії електричного поля. Протилежним явищем є рекомбінація. Електрон-діркова пара — фундаментальна одиниця генерації та рекомбінації, що відповідає електроному переходу з валентної зони до зони провідності.ходу з валентної зони до зони провідності.
, Rekombinacja – w fizyce to połączenie się … Rekombinacja – w fizyce to połączenie się pary cząstek lub jonów o przeciwnych ładunkach elektrycznych, jest to proces odwrotny do jonizacji. Zjawisku rekombinacji jonu dodatniego i elektronu towarzyszy uwolnienie nadwyżki energii elektronu, zazwyczaj przez wypromieniowanie fotonu. W półprzewodnikach zachodzą dwa mechanizmy rekombinacji par dziura-elektron:chanizmy rekombinacji par dziura-elektron:
|
| rdfs:label |
Генерація носіїв заряду
, 復合 (物理學)
, عودة ارتباط
, Рекомбинация (физика полупроводников)
, Carrier generation and recombination
, Rekombinacja (fizyka)
, Generació i recombinació de portadors
, キャリア生成と再結合
, Recombinatie (natuurkunde)
|
| rdfs:seeAlso |
http://dbpedia.org/resource/Electronic_band_structure +
, http://dbpedia.org/resource/Absorption_%28electromagnetic_radiation%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Deep-level_trap +
, http://dbpedia.org/resource/Stimulated_emission +
|
