| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Еліпсометрія — високочутливий і точний пол … Еліпсометрія — високочутливий і точний поляризаційно-оптичний метод дослідження поверхонь і меж поділу різних середовищ (твердих, рідких, газоподібних), заснований на вивченні зміни стану поляризації світла після взаємодії його з поверхнею меж поділу цих середовищ. Еліпсометрія — сукупність методів вивчення поверхонь рідких і твердих тіл за станом поляризації світлового пучка, відбитого цією поверхнею і заломленого на ній. Плоскополяризоване світло, що падає на поверхню, набуває при віддзеркаленні і заломленні еліптичної поляризації унаслідок наявності тонкого перехідного шару на межі поділу середовищ. Залежність між оптичними постійними шару і параметрами еліптично поляризованого світла встановлюється на підставі формул Френеля. На принципах еліпсометрії ґрунтуються методи чутливих безконтактних досліджень поверхні рідини або твердих речовин, процесів абсорбції, корозії та ін. Як джерело світла в еліпсометрії використовується монохроматичне випромінювання, інколи лазерне, яке дає можливість досліджувати мікронеоднорідності на поверхні об'єкту, що вивчається. Термін «еліпсометрія» запропонував у 1944 р. Ротен, оскільки йдеться про вивчення еліптичної поляризації, що виникає в загальному випадку при накладенні взаємно перпендикулярних коливань, на які завжди можна розкласти поле світлової хвилі відносно площини її падіння. Хоча вказані зміни можна спостерігати як у , так і в прохідному світлі, в даний час в переважному числі робіт вивчається поляризація відбитого світла. Тому зазвичай в еліпсометрії мають на увазі вивчення змін поляризації світла при відбиванні.ня змін поляризації світла при відбиванні.
, La elipsometría espectroscópica es una téc … La elipsometría espectroscópica es una técnica de análisis óptico que se basa en el cambio del estado de polarización de la luz que se incide sobre un material. Dicho análisis es no destructivo y es útil para la determinación de espesores de películas delgadas, y constantes ópticas de materiales (índices de refracción, coeficiente de extinción). de refracción, coeficiente de extinción).
, القياس الإهليلجي هو تقنية بصرية لقياس خصائ … القياس الإهليلجي هو تقنية بصرية لقياس خصائص السطوح والأغشية الرقيقة. يعطي هذا القياس قيم سماكة وقرينة انكسار المادة التي يتكون منها الغشاء أو السطح، كما يمكن باستخدام تمثيل طيفي استنتاج مكونات المادة أو كمية الشوائب فيها أو طبيعتها البلورية أو ناقليتها الكهربائية أو شكل السطح (مثال ) وخشونته. تستعمل هذه التقنية بشكل واسع في مجال البصريات والإلكترونيات، كونها لا تتلف العينة المدروسة ولا تدخل عليها إي تغيير، وكون دقتها تصل إلى أجزاء من النانومترات بالنسبة للسماكة أي ما يعادل طبقة ذرية واحدة، وخمسة بالألف بالنسبة لقرينة الانكسار.حدة، وخمسة بالألف بالنسبة لقرينة الانكسار.
, Ellipsometry is an optical technique for i … Ellipsometry is an optical technique for investigating the dielectric properties (complex refractive index or dielectric function) of thin films. Ellipsometry measures the change of polarization upon reflection or transmission and compares it to a model. It can be used to characterize composition, roughness, thickness (depth), crystalline nature, doping concentration, electrical conductivity and other material properties. It is very sensitive to the change in the optical response of incident radiation that interacts with the material being investigated. A spectroscopic ellipsometer can be found in most thin film analytical labs. Ellipsometry is also becoming more interesting to researchers in other disciplines such as biology and medicine. These areas pose new challenges to the technique, such as measurements on unstable liquid surfaces and microscopic imaging.e liquid surfaces and microscopic imaging.
, Ellipsometer adalah alat untuk mengukur ke … Ellipsometer adalah alat untuk mengukur ketebalan dari lapisan tipis film. Alat ini sering digunakan dalam microsistem, contohnya untuk mengukur ketebalan endapan setelah proses pengendapan(deposition). Cara kerja alat ini adalah mempolarisasi secara elips sinar laser kemudian memantulkannya ke objek yang dicari ketebalannya seperti wafer yang sudah dilapisi oleh endapan SiO2. Pantulan dari cahaya terpolarisasi ini diukur intensitasnya dengan CCD. Ketelitian dari ellipsometer sangat tinggi, dapat mencapai tingkat , bahkan sampai nanometer.
* l
*
* sat , bahkan sampai nanometer.
* l
*
* s
, Эллипсометрия — высокочувствительный и точ … Эллипсометрия — высокочувствительный и точный поляризационно-оптический метод исследования поверхностей и границ раздела различных сред (твердых, жидких, газообразных), основанный на изучении изменения состояния поляризации света после взаимодействия его с поверхностью границ раздела этих сред. Термин «эллипсометрия» предложил в 1944 г Ротен, поскольку речь идет об изучении эллиптической поляризации, возникающей в общем случае при наложении взаимно перпендикулярных колебаний, на которые всегда можно разложить поле световой волны относительно плоскости её падения. Хотя указанные изменения можно наблюдать как в отражённом, так и в проходящем свете, в настоящее время в подавляющем числе работ изучается поляризация отражённого света. Поэтому обычно в эллипсометрии подразумевают изучение изменений поляризации света при отражении. Эллипсометрия — совокупность методов изучения поверхностей жидких и твердых тел по состоянию поляризации светового пучка, отражённого этой поверхностью и преломлённого на ней. Падающий на поверхность монохроматический плоскополяризованный свет приобретает при отражении и преломлении эллиптическую поляризацию вследствие наличия тонкого переходного слоя на границе раздела сред. Зависимость между оптическими постоянными слоя и параметрами эллиптически поляризованного света устанавливается на основании формул Френеля. На принципах эллипсометрии построены методы чувствительных бесконтактных исследований поверхности жидкости или твердых веществ, процессов абсорбции. коррозии и др. Эллипсометр — прибор, предназначенный для измерения параметров эллипса поляризованного излучения. Наряду с эллипсометрами существуют спектроэллипсометры, магнитоэллипсометры, спектромагнитоэллипсометры, электроэллипсометры и спектроэлектроэллипсометры, определения которых можно найти в ГОСТ 23778-79. В частности широко распространены такие приборы, как спектральные эллипсометры (или спектроэллипсометры), которые предназначены для измерения параметров эллипса поляризованного оптического излучения в зависимости от длин волн излучения в заданном интервале спектра. В качестве источника света в них используются лампы различных типов (для исследования в разных участках спектра), светодиоды, а также лазеры. Кроме того, в России создан прибор на светодиодах — светодиодный спектральный эллипсометр, который также, как лазерный, даёт возможность исследовать не только микро- , но и наноразмерные неоднородности на поверхности изучаемого объекта. Светодиодные источники света имеют ряд преимуществ перед традиционными ламповыми. Это: - высокое отношение сигнал/шум сигнала на выходе;- высокая надежность и экономичность;- отсутствие необходимости использования светофильтров для выделения части спектра;- малые габариты и низкая себестоимость; К преимуществам же спектральных эллипсометров с классическими ламповым источником света можно отнести: - Высокая яркость источника (типичная мощность до 150 Вт, в отдельных случаях до 1 кВт);- Широкий рабочий спектральный диапазон — от дальнего УФ до среднего ИК; Данные особенности позволяют проводить анализ многослойных покрытий с толщиной плёнок от нескольких ангстрем до десятков микрометров.скольких ангстрем до десятков микрометров.
, L’ellipsométrie est une technique optique … L’ellipsométrie est une technique optique de caractérisation et d'analyse de surface, fondée sur le changement d'état de polarisation de la lumière, par réflexion de la lumière sur la surface plane d'un échantillon. Bien que son principe soit connu depuis le début du XXe siècle, c'est surtout à partir des années 1990, avec l'apparition d'ellipsomètres spectroscopiques, que son utilisation s'est généralisée, en particulier dans le domaine de la micro-électronique. La technique présente l’avantage d’être très simple et rapide à mettre en œuvre, d’être non destructive, de permettre des suivis in situ et en temps réel et d’être applicable à une très large gamme d’échantillons.Elle est largement mise en œuvre pour la caractérisation des milieux isotropes. On peut citer parmi ses nombreuses applications :
* mesure des constantes optiques des matériaux ;
* mesure de l'épaisseur de couches minces (du nanomètre au micromètre) telles que les couches antireflets, couches d'or, de silice ou de silicium dans les circuits intégrés ;
* suivi in situ de la croissance d'une couche ;
* caractérisation des interfaces liquide-solide ou liquide-liquide ;
* analyse des couches de protection (électrodéposition, dépôt plasma, polymères), traitement de surface par recuit (application dans la métallurgie) ;
* mesure de rugosité d'une surface ;
* mesure, par scatterométrie, des propriétés (matériaux, géométrie) d'un motif périodique.tériaux, géométrie) d'un motif périodique.
, Elipsometrie je optická metoda analýzy ten … Elipsometrie je optická metoda analýzy tenkých vrstev. Měřením změn polarizace světla při odrazu od vzorku lze určit zejména optické konstanty (index lomu a index absorpce) a tloušťky jednotlivých vrstev vzorku. Základní princip elipsometrie poprvé použil Paul Drude. V nejjednodušší variantě jde o přímé měření optických konstant vzorku bez tenké vrstvy. Pro jednu vlnovou délku a jeden úhel dopadu svazku jsou získány dva parametry (Ψ a Δ) popisující změnu polarizace při odrazu od vzorku jako komplexní poměr odrazivosti p- a s- (k rovině dopadu paralelní a kolmé) složky polarizace. V takovém případě pak lze pomocí Fresnelových vztahů přímo spočítat obě složky indexu lomu materiálu vzorku. Pro složitější vzorek je nutné vytvořit numerický model jeho optických vlastností a změny polarizace světla při odrazu od vzorku. Pak jsou parametry modelu vzorku upravovány (fitovány) tak, až vypočtené změny odpovídají naměřeným změnám. V tomto případě je určení optických parametrů vzorku nepřímé. Při tzv. zobecněné elipsometrii je možné analyzovat i optickou anizotropii vzorku. Elipsometrie nevyžaduje na rozdíl od spektrofotometrie referenční měření. Díky použití polarizovaného světla je výhodou elipsometrie malá citlivost vůči kolísání signálu a nevyžaduje ochranu před rozptýleným světlem. Pokud je použito více vlnových délek, jde o spektroskopickou elipsometrii. Je tím krom možnosti určení závislosti optických vlastností látky na vlnové délce také možné velmi zvýšit přesnost určení tloušťky i zvětšit obor její měřitelnosti (na ideálním vzorku u spektroskopické elipsometrie ve viditelném světle od sub-nanometrových tlouštěk po mikrometry). V praxi se též často používá měření při různých úhlech dopadu. Počet naměřených experimentálních bodů pak může být velmi vysoký (tisíce). Spolu s výpočetní náročností nelineárního fitování proto nastal hlavní rozvoj elipsometrie až s rozvojem počítačů. Nejběžnější jsou elipsometry pracující s viditelným, ultrafialovým a infračerveným světlem. Existují však i přístroje pracující v různých oblastech elektromagnetického spektra od mikrovln po měkké rentgenové záření. Existují zobrazovací elipsometry, které dokáží určit parametry Ψ a Δ jako mapu pro celou zkoumanou plochu vzorku, obvykle však jen pro jednu vlnovou délku. Příbuznou, jednodušší metodou je . délku. Příbuznou, jednodušší metodou je .
, 橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜 … 橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜的介電性質（複數折射率或介電常數）。它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學和生物學。橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。 分析自樣品反射之偏振光的改變，橢圓偏振技術可得到膜厚比探測光本身波長更短的薄膜資訊，小至一個單原子層，甚至更小。橢圓儀可測得複數折射率或介電函數張量，可以此獲得基本的物理參數，並且這與各種樣品的性質，包括形態、晶體質量、化學成分或導電性，有所關聯。它常被用來鑑定單層或多層堆疊的薄膜厚度，可量測厚度由數埃（Angstrom）或數奈米到幾微米皆有極佳的準確性。 之所以命名為橢圓偏振，是因為一般大部分的偏振多是橢圓的。此技術已發展近百年，現在已有許多標準化的應用。然而，橢圓偏振技術對於在其他學科如生物學和醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。
, Die Ellipsometrie ist ein Messverfahren de … Die Ellipsometrie ist ein Messverfahren der Materialforschung und der Oberflächenphysik, mit dem dielektrische Materialeigenschaften (komplexe Permittivität beziehungsweise Real- und Imaginärteil des komplexen Brechungsindex) sowie die Schichtdicke dünner Schichten bestimmt werden können. Ellipsometrie lässt sich für die Untersuchung unterschiedlicher Materialien anwenden, beispielsweise organische oder anorganische Proben (Metalle, Halbleiter, Isolatoren und auch Flüssigkristalle). Der genutzte Frequenzbereich überstreicht das Spektrum vom Mikrowellenbereich über den Terahertzbereich, den Infrarotbereich über den sichtbaren Frequenzbereich bis zum Bereich des ultravioletten Lichts (UV, 146 nm).ch des ultravioletten Lichts (UV, 146 nm).
, A elipsometria é uma técnica de caracteriz … A elipsometria é uma técnica de caracterização espectroscópica não destrutiva e não invasiva de materiais que permite obter propriedades ópticas de materiais líquidos e sólidos sem necessidade de contato. Ela pode ser realizada desde amostras de tamanhos muito pequenos (devido a se basear em uma radiação incidente focada) até amostras com elevada área, realizando um mapeamento da superfície. Essa técnica pode ser aplicada a diversas áreas do conhecimento, como no estudo de semicondutores, supercondutores, metais, orgânicos, compósitos, biomateriais e microeletrônica. Quando aplicada a filmes finos, é capaz de analisar propriedades dielétricas (índice de refração complexo e funções dielétricas do material), e caracterizar rugosidade, espessura das camadas, composição, condutividade elétrica, bandgap, natureza cristalina e concentração de dopagem. As medidas de elipsometria se baseiam na mudança da polarização da luz após interagir com a superfície do material (reflexão e transmissão), e este resultado é ajustado a partir de modelos teóricos. Os resultados obtidos são bastante precisos, tanto para monocamadas quanto para multicamadas de filmes finos, que podem ter espessuras da ordem de angstrons, nanômetros ou micrômetros, dependendo das especificações e capacidade do equipamento utilizadoções e capacidade do equipamento utilizado
, Ellipsometrie is een niet-destructieve opt … Ellipsometrie is een niet-destructieve optische meettechniek die gepolariseerd licht gebruikt om de diëlektrische eigenschappen van een monsteroppervlak te bepalen.De techniek kan zowel toegepast worden in de micro-elektronica als in de biologie. Uit de polarisatierichting van het gereflecteerde licht kan informatie bekomen worden over de oppervlakte laag met een dikte zo dun als de gebruikte golflengte of nog dunner (tot een atoomdiameter).Zo kunnen onder meer laagdikte, morfologie en chemische samenstelling bepaald worden. De benaming is afgeleid van het feit dat de meest voorkomende polarisatie van licht elliptisch van vorm is.arisatie van licht elliptisch van vorm is.
, 타원계측법(Ellipsometry)은 다양한 방식으로 빛의 편광 특성 변화를 … 타원계측법(Ellipsometry)은 다양한 방식으로 빛의 편광 특성 변화를 확인하여 빛의 파장에 따른 물질의 복소 굴절률(complex refrective index)을 측정하는 방법을 말하며, 타원법, 또는 타원해석법이라고도 한다. 타원법이라는 용어는 대부분의 편광 상태가 타원편광인데서 유래하였다. 독일의 물리학자 드루드(Paul Karl Ludwig Drude, 1863년 7월 12일 –1906년 7월 5일)에 의해 빛이 시료에서 반사되면 물질의 광학적 성질과 층의 두께 등에 의해 반사광의 편광상태가 달라진다는 사실이 발견되었다. 이 변화를 측정해 정보를 얻게 되는데, 이를 통해 물질의 기본적인 물리량인 복소 굴절률이나 유전함수 텐서를 측정하고 물질의 형태, 결정상태, 화학적 구조, 전기 전도도 등도 유도할 수 있다. 일반적으로 수 옹스트롬이나 수십 나노미터부터 수 마이크로미터까지의 단층/다층 박막의 측정에 주로 활용되며, 정밀도가 높아 나노 과학의 발전과 함께 오늘날 여러 분야에서 활용되고 있다. 광원으로 모노크로메이터를 사용하여 특정 파장을 빛(단색광)을 선택하여 굴절률을 측정하는 분광 타원계측법이 있으며 특정 파장의 레이저를 광원으로 사용하는 계측법이 생산 공정에 사용되기도 한다.정 파장의 레이저를 광원으로 사용하는 계측법이 생산 공정에 사용되기도 한다.
, 偏光解析法またはエリプソメトリー(ellipsometry)とは偏光を利用した分析手法。
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Ellipsometer_at_LAAS.jpg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
1177592
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
24879
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1093079024
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Radiometry +
, http://dbpedia.org/resource/Light_source +
, http://dbpedia.org/resource/Infrared +
, http://dbpedia.org/resource/Exciton +
, http://dbpedia.org/resource/Wiktionary:Homogeneity +
, http://dbpedia.org/resource/Uniaxial +
, http://dbpedia.org/resource/Stray_light +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_density +
, http://dbpedia.org/resource/Refractive_index +
, http://dbpedia.org/resource/Electrical_conductor +
, http://dbpedia.org/resource/Homogeneity_%28physics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Materials_science +
, http://dbpedia.org/resource/Biology +
, http://dbpedia.org/resource/Angstrom +
, http://dbpedia.org/resource/Fresnel_equations +
, http://dbpedia.org/resource/Petrographic_microscope +
, http://dbpedia.org/resource/Elliptical_polarization +
, http://dbpedia.org/resource/HeNe_laser +
, http://dbpedia.org/resource/Wavelength +
, http://dbpedia.org/resource/Polarization_%28waves%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Atom +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Spectroscopy +
, http://dbpedia.org/resource/Cubic_crystal +
, http://dbpedia.org/resource/Plasmon +
, http://dbpedia.org/resource/Band_gap +
, http://dbpedia.org/resource/Monochromatic +
, http://dbpedia.org/resource/Diffraction-limited_system +
, http://dbpedia.org/resource/Wave_plate +
, http://dbpedia.org/resource/Electrical_conductivity +
, http://dbpedia.org/resource/Specular_reflection +
, http://dbpedia.org/resource/Brewster_angle +
, http://dbpedia.org/resource/Stokes_vector +
, http://dbpedia.org/resource/Polarizer +
, http://dbpedia.org/resource/Doping_%28semiconductor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Visible_spectrum +
, http://dbpedia.org/resource/Thin_film +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Optical_metrology +
, http://dbpedia.org/resource/Isotropic +
, http://dbpedia.org/resource/Polarimetry +
, http://dbpedia.org/resource/Transmitted_light +
, http://dbpedia.org/resource/Effective_mass_%28solid-state_physics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Micrometre +
, http://dbpedia.org/resource/Forouhi%E2%80%93Bloomer_model +
, http://dbpedia.org/resource/Absorption_%28electromagnetic_radiation%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Laser +
, http://dbpedia.org/resource/Dielectric +
, http://dbpedia.org/resource/Reflected_light +
, http://dbpedia.org/resource/In_situ +
, http://dbpedia.org/resource/Magnetic_field +
, http://dbpedia.org/resource/Photo-reflectance +
, http://dbpedia.org/resource/Spectroscopy +
, http://dbpedia.org/resource/Charge_carrier +
, http://dbpedia.org/resource/Scattered_radiation +
, http://dbpedia.org/resource/Organic_light-emitting_diode +
, http://dbpedia.org/resource/Phonon +
, http://dbpedia.org/resource/Nondestructive_testing +
, http://dbpedia.org/resource/Dielectric_function +
, http://dbpedia.org/resource/Crystalline +
, http://dbpedia.org/resource/File:Ellipsometry_setup.svg +
, http://dbpedia.org/resource/Surface_roughness +
, http://dbpedia.org/resource/Phase_%28waves%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Charge-coupled_device +
, http://dbpedia.org/resource/Ultraviolet +
, http://dbpedia.org/resource/Low-%CE%BA_dielectric +
, http://dbpedia.org/resource/Paul_Drude +
, http://dbpedia.org/resource/Metrology +
, http://dbpedia.org/resource/Mueller_matrix +
, http://dbpedia.org/resource/Amorphous +
, http://dbpedia.org/resource/Angle_of_incidence_%28optics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Optical +
, http://dbpedia.org/resource/Nanometer +
, http://dbpedia.org/resource/Reflection_%28physics%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/File:Ellipsometer_at_LAAS.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/Imaging_ellipsometry +
, http://dbpedia.org/resource/Jones_matrix +
, http://dbpedia.org/resource/Electromagnetic_radiation +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_mobility +
, http://dbpedia.org/resource/Sol_gel +
, http://dbpedia.org/resource/Photoelastic_modulator +
, http://dbpedia.org/resource/Microelectronics +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
, http://dbpedia.org/resource/Template:See_also +
, http://dbpedia.org/resource/Template:ISBN +
, http://dbpedia.org/resource/Template:More_footnotes +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Primary_source_inline +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Spectroscopy +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Radiometry +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Optical_metrology +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Technique +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Ellipsometry?oldid=1093079024&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Ellipsometer_at_LAAS.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Ellipsometry_setup.svg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Ellipsometry +
|
| owl:sameAs |
http://fr.dbpedia.org/resource/Ellipsom%C3%A9trie +
, http://cs.dbpedia.org/resource/Elipsometrie +
, http://id.dbpedia.org/resource/Elipsometer +
, http://sl.dbpedia.org/resource/Elipsometrija +
, http://ru.dbpedia.org/resource/%D0%AD%D0%BB%D0%BB%D0%B8%D0%BF%D1%81%D0%BE%D0%BC%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%8F +
, http://commons.dbpedia.org/resource/Ellipsometry +
, http://de.dbpedia.org/resource/Ellipsometrie +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E5%81%8F%E5%85%89%E8%A7%A3%E6%9E%90%E6%B3%95 +
, http://dbpedia.org/resource/Ellipsometry +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E6%A9%A2%E5%9C%93%E5%81%8F%E6%8C%AF%E6%8A%80%E8%A1%93 +
, http://simple.dbpedia.org/resource/Ellipsometry +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.04drcn +
, http://pt.dbpedia.org/resource/Elipsometria +
, https://global.dbpedia.org/id/53XBu +
, http://mk.dbpedia.org/resource/%D0%95%D0%BB%D0%B8%D0%BF%D1%81%D0%BE%D0%BC%D0%B5%D1%82%D1%80%D0%B8%D1%98%D0%B0 +
, http://da.dbpedia.org/resource/Ellipsometri +
, http://es.dbpedia.org/resource/Elipsometr%C3%ADa +
, http://hu.dbpedia.org/resource/Ellipszometria +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%95%D0%BB%D1%96%D0%BF%D1%81%D0%BE%D0%BC%D0%B5%D1%82%D1%80%D1%96%D1%8F +
, http://ar.dbpedia.org/resource/%D9%82%D9%8A%D8%A7%D8%B3_%D8%A5%D9%87%D9%84%D9%8A%D9%84%D8%AC%D9%8A +
, http://fa.dbpedia.org/resource/%D8%A8%DB%8C%D8%B6%DB%8C%E2%80%8C%D8%B3%D9%86%D8%AC%DB%8C +
, http://www.wikidata.org/entity/Q898774 +
, http://nl.dbpedia.org/resource/Ellipsometrie +
, http://yago-knowledge.org/resource/Ellipsometry +
, http://nn.dbpedia.org/resource/Ellipsometri +
, http://ta.dbpedia.org/resource/%E0%AE%A4%E0%AE%B3%E0%AE%B5%E0%AE%BF%E0%AE%B3%E0%AF%88%E0%AE%B5%E0%AF%81_%E0%AE%85%E0%AE%B3%E0%AE%B5%E0%AE%BF%E0%AE%AF%E0%AE%B2%E0%AF%8D +
, http://ko.dbpedia.org/resource/%ED%83%80%EC%9B%90%EA%B3%84%EC%B8%A1%EB%B2%95 +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/ontology/TopicalConcept +
, http://dbpedia.org/class/yago/SenseOrgan105299178 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Organ105297523 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Eye105311054 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatOptics +
, http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/BodyPart105220461 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Part109385911 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Thing100002452 +
|
| rdfs:comment |
橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜 … 橢圓偏振技術（ellipsometry）是一種多功能和強大的光學技術，可用以取得薄膜的介電性質（複數折射率或介電常數）。它已被應用在許多不同的領域，從基礎研究到工業應用，如半導體物理研究、微電子學和生物學。橢圓偏振是一個很敏感的薄膜性質測量技術，且具有非破壞性和非接觸之優點。 分析自樣品反射之偏振光的改變，橢圓偏振技術可得到膜厚比探測光本身波長更短的薄膜資訊，小至一個單原子層，甚至更小。橢圓儀可測得複數折射率或介電函數張量，可以此獲得基本的物理參數，並且這與各種樣品的性質，包括形態、晶體質量、化學成分或導電性，有所關聯。它常被用來鑑定單層或多層堆疊的薄膜厚度，可量測厚度由數埃（Angstrom）或數奈米到幾微米皆有極佳的準確性。 之所以命名為橢圓偏振，是因為一般大部分的偏振多是橢圓的。此技術已發展近百年，現在已有許多標準化的應用。然而，橢圓偏振技術對於在其他學科如生物學和醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。醫學領域引起研究人員的興趣，並帶來新的挑戰。例如以此測量不穩定的液體表面和顯微成像。
, L’ellipsométrie est une technique optique … L’ellipsométrie est une technique optique de caractérisation et d'analyse de surface, fondée sur le changement d'état de polarisation de la lumière, par réflexion de la lumière sur la surface plane d'un échantillon. Bien que son principe soit connu depuis le début du XXe siècle, c'est surtout à partir des années 1990, avec l'apparition d'ellipsomètres spectroscopiques, que son utilisation s'est généralisée, en particulier dans le domaine de la micro-électronique. La technique présente l’avantage d’être très simple et rapide à mettre en œuvre, d’être non destructive, de permettre des suivis in situ et en temps réel et d’être applicable à une très large gamme d’échantillons.Elle est largement mise en œuvre pour la caractérisation des milieux isotropes. On peut citer parmi ses nombreuses appls. On peut citer parmi ses nombreuses appl
, La elipsometría espectroscópica es una téc … La elipsometría espectroscópica es una técnica de análisis óptico que se basa en el cambio del estado de polarización de la luz que se incide sobre un material. Dicho análisis es no destructivo y es útil para la determinación de espesores de películas delgadas, y constantes ópticas de materiales (índices de refracción, coeficiente de extinción). de refracción, coeficiente de extinción).
, القياس الإهليلجي هو تقنية بصرية لقياس خصائ … القياس الإهليلجي هو تقنية بصرية لقياس خصائص السطوح والأغشية الرقيقة. يعطي هذا القياس قيم سماكة وقرينة انكسار المادة التي يتكون منها الغشاء أو السطح، كما يمكن باستخدام تمثيل طيفي استنتاج مكونات المادة أو كمية الشوائب فيها أو طبيعتها البلورية أو ناقليتها الكهربائية أو شكل السطح (مثال ) وخشونته. تستعمل هذه التقنية بشكل واسع في مجال البصريات والإلكترونيات، كونها لا تتلف العينة المدروسة ولا تدخل عليها إي تغيير، وكون دقتها تصل إلى أجزاء من النانومترات بالنسبة للسماكة أي ما يعادل طبقة ذرية واحدة، وخمسة بالألف بالنسبة لقرينة الانكسار.حدة، وخمسة بالألف بالنسبة لقرينة الانكسار.
, Die Ellipsometrie ist ein Messverfahren de … Die Ellipsometrie ist ein Messverfahren der Materialforschung und der Oberflächenphysik, mit dem dielektrische Materialeigenschaften (komplexe Permittivität beziehungsweise Real- und Imaginärteil des komplexen Brechungsindex) sowie die Schichtdicke dünner Schichten bestimmt werden können. Ellipsometrie lässt sich für die Untersuchung unterschiedlicher Materialien anwenden, beispielsweise organische oder anorganische Proben (Metalle, Halbleiter, Isolatoren und auch Flüssigkristalle). Der genutzte Frequenzbereich überstreicht das Spektrum vom Mikrowellenbereich über den Terahertzbereich, den Infrarotbereich über den sichtbaren Frequenzbereich bis zum Bereich des ultravioletten Lichts (UV, 146 nm).ch des ultravioletten Lichts (UV, 146 nm).
, Ellipsometer adalah alat untuk mengukur ke … Ellipsometer adalah alat untuk mengukur ketebalan dari lapisan tipis film. Alat ini sering digunakan dalam microsistem, contohnya untuk mengukur ketebalan endapan setelah proses pengendapan(deposition). Cara kerja alat ini adalah mempolarisasi secara elips sinar laser kemudian memantulkannya ke objek yang dicari ketebalannya seperti wafer yang sudah dilapisi oleh endapan SiO2. Pantulan dari cahaya terpolarisasi ini diukur intensitasnya dengan CCD. Ketelitian dari ellipsometer sangat tinggi, dapat mencapai tingkat , bahkan sampai nanometer.
* l
*
* sat , bahkan sampai nanometer.
* l
*
* s
, 偏光解析法またはエリプソメトリー(ellipsometry)とは偏光を利用した分析手法。
, 타원계측법(Ellipsometry)은 다양한 방식으로 빛의 편광 특성 변화를 … 타원계측법(Ellipsometry)은 다양한 방식으로 빛의 편광 특성 변화를 확인하여 빛의 파장에 따른 물질의 복소 굴절률(complex refrective index)을 측정하는 방법을 말하며, 타원법, 또는 타원해석법이라고도 한다. 타원법이라는 용어는 대부분의 편광 상태가 타원편광인데서 유래하였다. 독일의 물리학자 드루드(Paul Karl Ludwig Drude, 1863년 7월 12일 –1906년 7월 5일)에 의해 빛이 시료에서 반사되면 물질의 광학적 성질과 층의 두께 등에 의해 반사광의 편광상태가 달라진다는 사실이 발견되었다. 이 변화를 측정해 정보를 얻게 되는데, 이를 통해 물질의 기본적인 물리량인 복소 굴절률이나 유전함수 텐서를 측정하고 물질의 형태, 결정상태, 화학적 구조, 전기 전도도 등도 유도할 수 있다. 물질의 형태, 결정상태, 화학적 구조, 전기 전도도 등도 유도할 수 있다.
, Elipsometrie je optická metoda analýzy ten … Elipsometrie je optická metoda analýzy tenkých vrstev. Měřením změn polarizace světla při odrazu od vzorku lze určit zejména optické konstanty (index lomu a index absorpce) a tloušťky jednotlivých vrstev vzorku. Základní princip elipsometrie poprvé použil Paul Drude. V nejjednodušší variantě jde o přímé měření optických konstant vzorku bez tenké vrstvy. Pro jednu vlnovou délku a jeden úhel dopadu svazku jsou získány dva parametry (Ψ a Δ) popisující změnu polarizace při odrazu od vzorku jako komplexní poměr odrazivosti p- a s- (k rovině dopadu paralelní a kolmé) složky polarizace.padu paralelní a kolmé) složky polarizace.
, Еліпсометрія — високочутливий і точний пол … Еліпсометрія — високочутливий і точний поляризаційно-оптичний метод дослідження поверхонь і меж поділу різних середовищ (твердих, рідких, газоподібних), заснований на вивченні зміни стану поляризації світла після взаємодії його з поверхнею меж поділу цих середовищ.його з поверхнею меж поділу цих середовищ.
, Эллипсометрия — высокочувствительный и точ … Эллипсометрия — высокочувствительный и точный поляризационно-оптический метод исследования поверхностей и границ раздела различных сред (твердых, жидких, газообразных), основанный на изучении изменения состояния поляризации света после взаимодействия его с поверхностью границ раздела этих сред. - высокое отношение сигнал/шум сигнала на выходе;- высокая надежность и экономичность;- отсутствие необходимости использования светофильтров для выделения части спектра;- малые габариты и низкая себестоимость;а;- малые габариты и низкая себестоимость;
, Ellipsometry is an optical technique for i … Ellipsometry is an optical technique for investigating the dielectric properties (complex refractive index or dielectric function) of thin films. Ellipsometry measures the change of polarization upon reflection or transmission and compares it to a model. It can be used to characterize composition, roughness, thickness (depth), crystalline nature, doping concentration, electrical conductivity and other material properties. It is very sensitive to the change in the optical response of incident radiation that interacts with the material being investigated.acts with the material being investigated.
, Ellipsometrie is een niet-destructieve opt … Ellipsometrie is een niet-destructieve optische meettechniek die gepolariseerd licht gebruikt om de diëlektrische eigenschappen van een monsteroppervlak te bepalen.De techniek kan zowel toegepast worden in de micro-elektronica als in de biologie. Uit de polarisatierichting van het gereflecteerde licht kan informatie bekomen worden over de oppervlakte laag met een dikte zo dun als de gebruikte golflengte of nog dunner (tot een atoomdiameter).Zo kunnen onder meer laagdikte, morfologie en chemische samenstelling bepaald worden.en chemische samenstelling bepaald worden.
, A elipsometria é uma técnica de caracteriz … A elipsometria é uma técnica de caracterização espectroscópica não destrutiva e não invasiva de materiais que permite obter propriedades ópticas de materiais líquidos e sólidos sem necessidade de contato. Ela pode ser realizada desde amostras de tamanhos muito pequenos (devido a se basear em uma radiação incidente focada) até amostras com elevada área, realizando um mapeamento da superfície. Essa técnica pode ser aplicada a diversas áreas do conhecimento, como no estudo de semicondutores, supercondutores, metais, orgânicos, compósitos, biomateriais e microeletrônica. Quando aplicada a filmes finos, é capaz de analisar propriedades dielétricas (índice de refração complexo e funções dielétricas do material), e caracterizar rugosidade, espessura das camadas, composição, condutividade elétricaamadas, composição, condutividade elétrica
|
| rdfs:label |
Ellipsometrie
, 橢圓偏振技術
, Elipsometria
, Elipsometer
, Еліпсометрія
, Эллипсометрия
, Elipsometría
, 偏光解析法
, 타원계측법
, Elipsometrie
, Ellipsometry
, قياس إهليلجي
, Ellipsométrie
|
| rdfs:seeAlso |
http://dbpedia.org/resource/Fresnel_equations +
|
