| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。 半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。 掺杂材料的扩散常数可以通过确定。
, Der Diffusionsstrom ist ein elektrischer S … Der Diffusionsstrom ist ein elektrischer Strom, der – auch ohne Vorhandensein eines Kraftfeldes – entsteht, wenn sich freie Ladungsträger aufgrund ihrer Wärmebewegung so bewegen, dass evtl. bestehende Konzentrationsunterschiede ausgeglichen werden (Diffusion). Eine solche nicht konstante Dichte freier Ladungsträger tritt beispielsweise an pn-Übergängen von Halbleitern auf. Die Diffusionsstromdichte ist proportional
* zur Ladung q der einzelnen Ladungsträger und
* zum „Gefällevektor“ der (ortsabhängigen) Ladungsträgerkonzentration mit
* dem Diffusionskoeffizient D als Proportionalitätsfaktor. Dieser ist bei Halbleitern temperaturabhängig und proportional zur Beweglichkeit b der Ladungsträger. Damit hängt er von der Art der Ladungsträger und vom Material ab. Beispielsweise beträgt er für Elektronen in Silizium 35 cm²/s. Da im Allgemeinen die Ladungsträgerkonzentration sich nicht nur linear in einer Richtung ändert, ist praktisch auch der Diffusionsstrom nicht konstant. Der Diffusionsstrom wird durch einen Feldstrom ausgeglichen, wie es die Kontinuitätsgleichung beschreibt. Beispielsweise baut sich an Halbleitergrenzschichten durch den Diffusionsstrom eine Raumladung auf, die wiederum ein elektrisches Feld bewirkt (Diffusionsspannung). Dadurch entsteht ein Driftstrom (auch Feldstrom genannt), der dem Diffusionsstrom „entgegen fließt“. Damit gilt für die Gesamtstromdichte als Summe aus Feldstromdichte und Diffusionsstromdichte die Transportgleichung:fusionsstromdichte die Transportgleichung:
, Diffusion current Density is a current in … Diffusion current Density is a current in a semiconductor caused by the diffusion of charge carriers (electrons and/or electron holes). This is the current which is due to the transport of charges occurring because of non-uniform concentration of charged particles in a semiconductor. The drift current, by contrast, is due to the motion of charge carriers due to the force exerted on them by an electric field. Diffusion current can be in the same or opposite direction of a drift current. The diffusion current and drift current together are described by the drift–diffusion equation. It is necessary to consider the part of diffusion current when describing many semiconductor devices. For example, the current near the depletion region of a p–n junction is dominated by the diffusion current. Inside the depletion region, both diffusion current and drift current are present. At equilibrium in a p–n junction, the forward diffusion current in the depletion region is balanced with a reverse drift current, so that the net current is zero. The diffusion constant for a doped material can be determined with the Haynes–Shockley experiment. Alternatively, if the carrier mobility is known, the diffusion coefficient may be determined from the Einstein relation on electrical mobility. Einstein relation on electrical mobility.
, Il fenomeno della diffusione elettrica ha … Il fenomeno della diffusione elettrica ha luogo, in un semiconduttore, a causa di un gradiente di concentrazione dei portatori di carica. Consiste in un moto di cariche che si spostano da una regione dove sono in eccesso verso zone a minore densità di concentrazione, indipendentemente dall'eventuale presenza di campi elettrici. Questo moto di cariche si traduce in una corrente, chiamata corrente di diffusione, che ha la stessa direzione del gradiente di concentrazione dei portatori di carica, ma verso opposto poiché, in generale, è un fenomeno atto a ristabilire lo stato di equilibrio del materiale. La presenza di un gradiente di concentrazione dei portatori di carica in un semiconduttore può essere originata da molteplici cause, tra le quali: una concentrazione non uniforme di atomi droganti, l'esposizione del materiale ad un fascio di fotoni, l'iniezione costante di portatori di carica dovuta al contatto tra due cristalli che presentano diverse tipologie di drogaggio, come in una giunzione p-n.e di drogaggio, come in una giunzione p-n.
, 拡散電流（かくさんでんりゅう、英: diffusion current）とは、半導体 … 拡散電流（かくさんでんりゅう、英: diffusion current）とは、半導体中の電荷キャリア（ホールや電子）の拡散による電流のこと。拡散電流は、半導体中の荷電粒子の濃度の不均一性のために起こる電荷の移動による電流である。それとは対照的に、ドリフト電流は、電場によって電荷キャリアに働いた力による電荷キャリアの動きによるものである。拡散電流はドリフト電流の方向と同じまたは逆になりうる。拡散電流とドリフト電流はドリフト-拡散方程式によって記述される。 多くの半導体デバイスを記述するときに拡散電流の一部を考慮する必要がある。例えばp-n接合の空乏層近くの電流は拡散電流が主である。空乏層の内部では、拡散電流とドリフト電流の両方が存在する。p-n接合の平衡状態では、空乏層のある方向の電流はその逆向きの電流と釣り合っており、電流は実質0となる。 ドーピングした物質の拡散係数はで決定される。その他にもキャリア移動度が分かっている場合は、拡散係数はアインシュタインの関係式から決定される。ャリア移動度が分かっている場合は、拡散係数はアインシュタインの関係式から決定される。
, Дифузі́йний стру́м — електричний струм, ви … Дифузі́йний стру́м — електричний струм, викликаний неоднорідністю розподілузаряду. В основі дифузійного струму лежить хаотичний рух носіїв заряду, при якому вони переходятьіз області, де їх більше у область, де їх менше. Для носіїв заряду із зарядом q , де — густина струму, n — густина носіїв заряду, D — коефіцієнт дифузії, μ — хімічний потенціал. У випадку, коли носії заряду можна трактувати, як ідеальний газ,, і наведена вище формула спрощується до . Дифузійний струм відіграє важливу роль в роботі багатьох напівпровідникових приладів:діодів, транзисторів. Він виникає у неоднорідних напівпровідниках, наприклад, в p-n переході, у базі транзистора тощо., в p-n переході, у базі транзистора тощо.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Diffusion_center.gif?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageExternalLink
|
http://www.ee.ui.ac.id/~astha/courses/ts/teksem/msdiffus.htm +
, http://ece.utep.edu/courses/ee3329/ee3329/Studyguide/ToC/Fundamentals/CAction/diffusion.html +
, https://web.archive.org/web/20110810113859/http:/www.ece.utep.edu/courses/ee3329/ee3329/Studyguide/ToC/Fundamentals/CAction/diffusion.html +
, https://web.archive.org/web/20111214105649/http:/www.ee.ui.ac.id/~astha/courses/ts/teksem/msdiffus.htm +
, https://web.archive.org/web/20170813183914/http:/www.ece.utep.edu/courses/ee3329/ee3329/Studyguide/ToC/Fundamentals/CAction/diffusion.html%7Carchive-date=13 +
, http://www.ece.utep.edu/courses/ee3329/ee3329/Studyguide/ToC/Fundamentals/CAction/diffusion.html%7Cwork=Diffusion%7Caccessdate=10 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
22714557
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
11271
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1119319465
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Electrons +
, http://dbpedia.org/resource/Einstein_relation_%28kinetic_theory%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Random_walk +
, http://dbpedia.org/resource/Depletion_region +
, http://dbpedia.org/resource/Absolute_temperature +
, http://dbpedia.org/resource/Boltzmann_constant +
, http://dbpedia.org/resource/Conduction_band +
, http://dbpedia.org/resource/Rita_G._Lerner +
, http://dbpedia.org/resource/Diffusion_constant +
, http://dbpedia.org/resource/Potential_gradient +
, http://dbpedia.org/resource/File:Diffusion_center.gif +
, http://dbpedia.org/resource/Drift%E2%80%93diffusion_equation +
, http://dbpedia.org/resource/Ohm%27s_law +
, http://dbpedia.org/resource/Fick%27s_law +
, http://dbpedia.org/resource/Electric_potential +
, http://dbpedia.org/resource/Diffusion_coefficient +
, http://dbpedia.org/resource/Drift_current +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Current_density +
, http://dbpedia.org/resource/Haynes%E2%80%93Shockley_experiment +
, http://dbpedia.org/resource/Fick%27s_Law +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Charge_carriers +
, http://dbpedia.org/resource/P%E2%80%93n_junction +
, http://dbpedia.org/resource/Free_electron_model +
, http://dbpedia.org/resource/Electric_current +
, http://dbpedia.org/resource/Electric_field +
, http://dbpedia.org/resource/Maximal_Entropy_Random_Walk +
, http://dbpedia.org/resource/Alternating_current +
, http://dbpedia.org/resource/Semiconductor +
, http://dbpedia.org/resource/Direct_current +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Electric_current +
, http://dbpedia.org/resource/Electron_holes +
, http://dbpedia.org/resource/Convection%E2%80%93diffusion_equation +
, http://dbpedia.org/resource/Diffusion +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Further +
, http://dbpedia.org/resource/Template:ISBN +
, http://dbpedia.org/resource/Template:NumBlk +
, http://dbpedia.org/resource/Template:EquationNote +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Formula_missing_descriptions +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Cite_web +
, http://dbpedia.org/resource/Template:EquationRef +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Electric_current +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductors +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Charge_carriers +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Current +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Diffusion_current?oldid=1119319465&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Diffusion_center.gif +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Diffusion_current +
|
| owl:sameAs |
http://de.dbpedia.org/resource/Diffusionsstrom +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.05zjl01 +
, http://www.wikidata.org/entity/Q1224527 +
, http://uk.dbpedia.org/resource/%D0%94%D0%B8%D1%84%D1%83%D0%B7%D1%96%D0%B9%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D1%81%D1%82%D1%80%D1%83%D0%BC +
, http://zh.dbpedia.org/resource/%E6%89%A9%E6%95%A3%E7%94%B5%E6%B5%81 +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E6%8B%A1%E6%95%A3%E9%9B%BB%E6%B5%81 +
, http://yago-knowledge.org/resource/Diffusion_current +
, https://global.dbpedia.org/id/Go96 +
, http://it.dbpedia.org/resource/Diffusione_elettrica +
, http://dbpedia.org/resource/Diffusion_current +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/class/yago/PhysicalEntity100001930 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Part113809207 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Relation100031921 +
, http://dbpedia.org/ontology/Person +
, http://dbpedia.org/class/yago/Conductor114821043 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Semiconductor114821248 +
, http://dbpedia.org/class/yago/WikicatSemiconductors +
, http://dbpedia.org/class/yago/Substance100019613 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Matter100020827 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Material114580897 +
, http://dbpedia.org/class/yago/Abstraction100002137 +
|
| rdfs:comment |
扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。 半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。 掺杂材料的扩散常数可以通过确定。
, 拡散電流（かくさんでんりゅう、英: diffusion current）とは、半導体 … 拡散電流（かくさんでんりゅう、英: diffusion current）とは、半導体中の電荷キャリア（ホールや電子）の拡散による電流のこと。拡散電流は、半導体中の荷電粒子の濃度の不均一性のために起こる電荷の移動による電流である。それとは対照的に、ドリフト電流は、電場によって電荷キャリアに働いた力による電荷キャリアの動きによるものである。拡散電流はドリフト電流の方向と同じまたは逆になりうる。拡散電流とドリフト電流はドリフト-拡散方程式によって記述される。 多くの半導体デバイスを記述するときに拡散電流の一部を考慮する必要がある。例えばp-n接合の空乏層近くの電流は拡散電流が主である。空乏層の内部では、拡散電流とドリフト電流の両方が存在する。p-n接合の平衡状態では、空乏層のある方向の電流はその逆向きの電流と釣り合っており、電流は実質0となる。 ドーピングした物質の拡散係数はで決定される。その他にもキャリア移動度が分かっている場合は、拡散係数はアインシュタインの関係式から決定される。ャリア移動度が分かっている場合は、拡散係数はアインシュタインの関係式から決定される。
, Der Diffusionsstrom ist ein elektrischer S … Der Diffusionsstrom ist ein elektrischer Strom, der – auch ohne Vorhandensein eines Kraftfeldes – entsteht, wenn sich freie Ladungsträger aufgrund ihrer Wärmebewegung so bewegen, dass evtl. bestehende Konzentrationsunterschiede ausgeglichen werden (Diffusion). Eine solche nicht konstante Dichte freier Ladungsträger tritt beispielsweise an pn-Übergängen von Halbleitern auf. Die Diffusionsstromdichte ist proportional
* zur Ladung q der einzelnen Ladungsträger und
* zum „Gefällevektor“ der (ortsabhängigen) Ladungsträgerkonzentration mitabhängigen) Ladungsträgerkonzentration mit
, Il fenomeno della diffusione elettrica ha … Il fenomeno della diffusione elettrica ha luogo, in un semiconduttore, a causa di un gradiente di concentrazione dei portatori di carica. Consiste in un moto di cariche che si spostano da una regione dove sono in eccesso verso zone a minore densità di concentrazione, indipendentemente dall'eventuale presenza di campi elettrici.all'eventuale presenza di campi elettrici.
, Дифузі́йний стру́м — електричний струм, ви … Дифузі́йний стру́м — електричний струм, викликаний неоднорідністю розподілузаряду. В основі дифузійного струму лежить хаотичний рух носіїв заряду, при якому вони переходятьіз області, де їх більше у область, де їх менше. Для носіїв заряду із зарядом q , де — густина струму, n — густина носіїв заряду, D — коефіцієнт дифузії, μ — хімічний потенціал. У випадку, коли носії заряду можна трактувати, як ідеальний газ,, і наведена вище формула спрощується до ., і наведена вище формула спрощується до .
, Diffusion current Density is a current in … Diffusion current Density is a current in a semiconductor caused by the diffusion of charge carriers (electrons and/or electron holes). This is the current which is due to the transport of charges occurring because of non-uniform concentration of charged particles in a semiconductor. The drift current, by contrast, is due to the motion of charge carriers due to the force exerted on them by an electric field. Diffusion current can be in the same or opposite direction of a drift current. The diffusion current and drift current together are described by the drift–diffusion equation.described by the drift–diffusion equation.
|
| rdfs:label |
Diffusionsstrom
, Diffusion current
, 拡散電流
, Diffusione elettrica
, 扩散电流
, Дифузійний струм
|
