| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
تغييرات الفولتية المستحثة ضوئيًا هي طريقة … تغييرات الفولتية المستحثة ضوئيًا هي طريقة لتحليل شبه الموصل باستخدام الليزر أو مصدر للأشعة تحت الحمراء لحث تغييرات فولتية في الجهاز عند مسح حزم الضوء هذه فوق سطحه. هذه الطريقة تعتمد على إنشاء أزواج من إلكترون/ثغرة إلكترون في عينة شبه الموصل عند تعريضها للفوتونات. في عينة شبه الموصل عند تعريضها للفوتونات.
, Light-induced voltage alteration (LIVA) is … Light-induced voltage alteration (LIVA) is a semiconductor analysis technique that uses a laser or infrared light source to induce voltage changes in a device while scanning the beam of light across its surface. The technique relies upon the generation of electron-hole pairs in the semiconductor material when exposed to photons.onductor material when exposed to photons.
, La variazione di tensione indotta dalla lu … La variazione di tensione indotta dalla luce è una tecnica di analisi dei guasti dei semiconduttori che usa una sorgente laser o una luce nelle lunghezza d'onda dell'infrarosso per indurre delle alterazioni di tensione in un dispositivo mentre si esplora con un fascio di luce la sua superficie. La tecnica si basa sulla generazione di coppie elettrone-lacuna nel materiale semiconduttore quando sia esposto ai fotoni.miconduttore quando sia esposto ai fotoni.
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
8455821
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
1520
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
948041768
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/Laser +
, http://dbpedia.org/resource/Infrared +
, http://dbpedia.org/resource/Failure_analysis +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_analysis +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Tech-stub +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Redirect +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Reflist +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Citation +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_analysis +
|
| http://purl.org/linguistics/gold/hypernym
|
http://dbpedia.org/resource/Technique +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Light-induced_voltage_alteration?oldid=948041768&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Light-induced_voltage_alteration +
|
| owl:sameAs |
http://www.wikidata.org/entity/Q4008790 +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.0274206 +
, https://global.dbpedia.org/id/3i5Am +
, http://ar.dbpedia.org/resource/%D8%AA%D8%BA%D9%8A%D9%8A%D8%B1%D8%A7%D8%AA_%D8%A7%D9%84%D9%81%D9%88%D9%84%D8%AA%D9%8A%D8%A9_%D8%A7%D9%84%D9%85%D8%B3%D8%AA%D8%AD%D8%AB%D8%A9_%D8%B6%D9%88%D8%A6%D9%8A%D8%A7 +
, http://dbpedia.org/resource/Light-induced_voltage_alteration +
, http://it.dbpedia.org/resource/Variazioni_di_tensione_indotte_dalla_luce +
|
| rdf:type |
http://dbpedia.org/ontology/TopicalConcept +
|
| rdfs:comment |
La variazione di tensione indotta dalla lu … La variazione di tensione indotta dalla luce è una tecnica di analisi dei guasti dei semiconduttori che usa una sorgente laser o una luce nelle lunghezza d'onda dell'infrarosso per indurre delle alterazioni di tensione in un dispositivo mentre si esplora con un fascio di luce la sua superficie. La tecnica si basa sulla generazione di coppie elettrone-lacuna nel materiale semiconduttore quando sia esposto ai fotoni.miconduttore quando sia esposto ai fotoni.
, تغييرات الفولتية المستحثة ضوئيًا هي طريقة … تغييرات الفولتية المستحثة ضوئيًا هي طريقة لتحليل شبه الموصل باستخدام الليزر أو مصدر للأشعة تحت الحمراء لحث تغييرات فولتية في الجهاز عند مسح حزم الضوء هذه فوق سطحه. هذه الطريقة تعتمد على إنشاء أزواج من إلكترون/ثغرة إلكترون في عينة شبه الموصل عند تعريضها للفوتونات. في عينة شبه الموصل عند تعريضها للفوتونات.
, Light-induced voltage alteration (LIVA) is … Light-induced voltage alteration (LIVA) is a semiconductor analysis technique that uses a laser or infrared light source to induce voltage changes in a device while scanning the beam of light across its surface. The technique relies upon the generation of electron-hole pairs in the semiconductor material when exposed to photons.onductor material when exposed to photons.
|
| rdfs:label |
Light-induced voltage alteration
, تغييرات الفولتية المستحثة ضوئيا
, Variazioni di tensione indotte dalla luce
|
