| http://dbpedia.org/ontology/abstract
|
Deep reactive-ion etching (DRIE) is a high … Deep reactive-ion etching (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep-sided holes and trenches in wafers/substrates, typically with high aspect ratios. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features, but is also used to excavate trenches for high-density capacitors for DRAM and more recently for creating through silicon vias (TSVs) in advanced 3D wafer level packaging technology. In DRIE, the substrate is placed inside a reactor, and several gases are introduced. A plasma is struck in the gas mixture which breaks the gas molecules into ions. The ions accelerated towards, and react with the surface of the material being etched, forming another gaseous element. This is known as the chemical part of the reactive ion etching. There is also a physical part, if ions have enough energy, they can knock atoms out of the material to be etched without chemical reaction. DRIE is a special subclass of RIE. There are two main technologies for high-rate DRIE: cryogenic and Bosch, although the Bosch process is the only recognised production technique. Both Bosch and cryo processes can fabricate 90° (truly vertical) walls, but often the walls are slightly tapered, e.g. 88° ("reentrant") or 92° ("retrograde"). Another mechanism is sidewall passivation: SiOxFy functional groups (which originate from sulphur hexafluoride and oxygen etch gases) condense on the sidewalls, and protect them from lateral etching. As a combination of these processes deep vertical structures can be made.sses deep vertical structures can be made.
, Reaktives Ionentiefenätzen (englisch deep … Reaktives Ionentiefenätzen (englisch deep reactive ion etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzens (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukturen in Silicium mit einem Aspektverhältnis (Verhältnis von Tiefe zu Breite) von bis zu 50:1, wobei Strukturtiefen von einigen 100 Mikrometern erreicht werden können. Dies wird beispielsweise für die Herstellung von Silizium-Durchkontaktierungen eingesetzt/benötigt. Es gehört zu den Verfahren des Plasma-unterstützten Ätzens.Verfahren des Plasma-unterstützten Ätzens.
, La gravure ionique réactive profonde (en a … La gravure ionique réactive profonde (en anglais Deep Reactive Ion Etching DRIE) est un procédé de gravure ionique réactive fortement anisotrope utilisé en micro-électronique. Il sert à créer des trous et des tranchées profondes dans des wafers avec un rapport largeur/hauteur de 20/1 ou plus. Cette technique a été développée pour les microsystèmes électromécaniques (MEMS) qui nécessitent ce type de fonctionnalités mais est aussi utilisée pour creuser des tranchées pour les condensateurs à haute densité de la DRAM ainsi pour développer les TSV (Through Silicon Via) dans le cadre de l'intégration tridimensionnelle. Il existe de nombreuses méthodes pour la gravure des motifs à fort facteur d'aspect, le plus utilisé d'entre eux étant les procédés Bosch et cryogénique.. Le procédé de gravure classique par diffusion thermique conduit à un profil de concentration en atomes dopants qui diminue progressivement depuis la surface. Or la réalisation de jonctions PN impose au contraire l’obtention de jonctions abruptes. En d’autres termes, cela impose un passage brutal d'une zone à concentration homogène en dopant de type P à une zone homogène en concentration de dopant N. Pour tenter d'homogénéiser la zone diffusée, on pratique un traitement thermique après arrêt du processus de diffusion. Mais cela n'est pas toujours suffisant pour obtenir une jonction très abrupte. Ainsi, on procède parfois à l'implantation directe en profondeur d'atomes ionisés à l'aide d'un implanteur ionique. Il est ainsi possible d'obtenir dans une tranche de silicium, des zones parfaitement localisées où des jonctions sont abruptes, ainsi que des zones sur-dopées de propriétés résistives particulières. Les deux principales techniques de DRIE à haut taux sont cryogénique et Bosch. Les deux procédés permettent de fabriquer des flancs parfaitement verticaux mais souvent les flancs sont légèrement évasés, par exemple à 88° ou 92° : on parle alors de parois « rétrograde ». Il existe un autre mécanisme appelé passivation des parois : des groupes fonctionnels SiOxFy, produit à partir d'hexafluorure de soufre et d'oxygène gazeux, condensent sur les parois latérales et les protègent de la gravure. En combinant tous ces procédés, on peut alors réaliser des structures verticales profondes.liser des structures verticales profondes.
, 深掘りRIE（ふかほりアールアイイー、Deep RIE）とは、反応性イオンエッチング … 深掘りRIE（ふかほりアールアイイー、Deep RIE）とは、反応性イオンエッチング (RIE) の一つで、アスペクト比の高い（狭く深い）反応性イオンエッチングをいう。アスペクト比が高いことから高アスペクト比エッチングとも言われる。「深堀り」は誤字。「深掘りエッチング」とも呼ばれる。 半導体デバイスのDRAMなどでは耐圧を上げたり大きなコンデンサを作製する場合に使われる。また、MEMSにおけるバルクマイクロマシニングの主要な作製技術であり、多くのデバイスはこの方法を用いて作製されている。 深く掘る手法は通常高密度プラズマを使い、サンプルを低温に冷やす方法とボッシュプロセスと呼ばれるエッチング技術を用いる方法、その両方を用いるものがある。 高密度プラズマを発生する方法は主に、誘導結合プラズマ (ICP) RIEが用いられる。ECR-RIE (Electron Cyclotron Resonance-RIE) と呼ばれるマイクロ波を用いた方法もあるが、装置が高くなるためICP-RIEが主流となっている。 MEMSではより深いエッチングが要求されるので、ボッシュプロセスと呼ばれるエッチング側面の保護とエッチングを繰り返し行うエッチング方法が用いられる。と呼ばれるエッチング側面の保護とエッチングを繰り返し行うエッチング方法が用いられる。
, A corrosão profunda assistida por íons, co … A corrosão profunda assistida por íons, conhecida como DRIE (Deep reactive-ion etching), é uma técnica com a qual tornou-se possível fazer a remoção de material do substrato semicondutor com o objetivo de atingir altas profundidades e, a partir disso, construir certos componentes eletrônicos feitos na indústria de microeletrônica, além de estruturas tridimensionais presentes em microssistemas eletromecânicos (Microelectromechanical systems – MEMS). Neste processo, a corrosão do substrato é privilegiada de forma unidirecional (alto caráter anisotrópico), com altas taxas de corrosão e alta razão de aspecto. Dada corrosão profunda é realizada em ambiente de plasma frio quando o substrato é colocado em uma região chamada de bainha. O plasma frio ocorre a partir da ruptura dielétrica de gases, provocando o processo de ionização parcial, mediante a presença de uma diferença de potencial elétrico aplicada entre dois eletrodos, com geometrias variadas, conectados a duas fontes de tensão RF específicas (Frequência de Rádio– 13,56 MHz) dentro de um reator de plasma do tipo indutivo ou ICP (Inductively Coupled Plasma) à pressão baixa imposta por um sistema de vácuo.são baixa imposta por um sistema de vácuo.
, Djup reaktiv jonetsning (DRIE från engelsk … Djup reaktiv jonetsning (DRIE från engelskans deep reactive-ion etching), i sin vanligaste variant även känd som Bosch-processen, är en teknik för etsning av kisel som möjliggör vertikala hålväggar, även för relativt djupt etsade hål. Inom används etsning vanligen för att överföra mönster, vanligen från en mask av fotoresist till ett substrat, vanligen bestående av kisel. Tidigare liknande (plasma-baserade) etsningstekniker erbjöd ingen möjlighet att förhindra etsning i sidoled, dvs. lateral etsning. Lateral etsning innebär att mönsteröverföringens upplösning begränsas vid djupare etsning. För utveckling av mikroelektromekaniska system (MEMS) så skulle detta innebära en stor begränsning, eftersom små men relativt djupt etsade detaljer, dvs. strukturer med så kallad hög , inte skulle kunna skapas. Bosch-processen, som utvecklades i början av 1990-talet för just MEMS-produktion, innebar en avsevärd förbättring i och med att lateral etsning helt kunde förhindras. Därmed möjliggjordes en mycket god mönsteröverföring även vid djup etsning. Processen förblir än i dag en standardprocess inom mikrofabrikation. Värt att notera är att tekniken också nått stort genomslag för skapandet av högdensitetskondensatorer för dynamiska minnen och nyligen även för skapandet av genom-kiselkontakter vilket används vid avancerad flernivåpaketering. Även om Bosch-processen är den enda erkända produktionstekniken, så finns det ytterligare en teknik för höghastighets-DRIE, nämligen kryogenska etsningsprocesser. Både Bosch-processen och kryoprocesser kan skapa 90-gradiga (vertikala) väggar, men ofta är väggarna något sluttande, t.ex. 88° eller 92°. Ett nyckelmoment i DRIE är passiveringen av sidoväggarna: SiOxFy funktionella grupper (som härstammar från svavelhexafluorid och syrebaserade etsningsgaser) kondenseras på sidoväggarna och skyddar dem från lateral etsing. Genom att kombinera detta moment med ett etsningsmoment kan djupa, helt vertikala strukturer skapas.n djupa, helt vertikala strukturer skapas.
|
| http://dbpedia.org/ontology/thumbnail
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Bosch_process_PILLAR.jpg?width=300 +
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageID
|
2445044
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageLength
|
12850
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageRevisionID
|
1124152978
|
| http://dbpedia.org/ontology/wikiPageWikiLink
|
http://dbpedia.org/resource/File:Bosch_process_PILLAR.jpg +
, http://dbpedia.org/resource/Kelvin +
, http://dbpedia.org/resource/Etching_%28microfab%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Microelectromechanical_systems +
, http://dbpedia.org/resource/Through-silicon_via +
, http://dbpedia.org/resource/Dynamic_random_access_memory +
, http://dbpedia.org/resource/Cartier_%28jeweler%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Reactive-ion_etching +
, http://dbpedia.org/resource/Plasma_etch +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Etching_%28microfabrication%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Aspect_ratio +
, http://dbpedia.org/resource/Anisotropy +
, http://dbpedia.org/resource/Passivation_%28chemistry%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Microtechnology +
, http://dbpedia.org/resource/Hairspring +
, http://dbpedia.org/resource/Silicon +
, http://dbpedia.org/resource/Sputter +
, http://dbpedia.org/resource/Functional_group +
, http://dbpedia.org/resource/Wafer_%28semiconductor%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Isotropy +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_device_fabrication +
, http://dbpedia.org/resource/Ion +
, http://dbpedia.org/resource/Sulfur_hexafluoride +
, http://dbpedia.org/resource/Aspect_ratio_%28image%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Robert_Bosch_GmbH +
, http://dbpedia.org/resource/Chemical_reaction +
, http://dbpedia.org/resource/Nanometre +
, http://dbpedia.org/resource/Capacitor +
, http://dbpedia.org/resource/Integrated_circuit +
, http://dbpedia.org/resource/Isotropic +
, http://dbpedia.org/resource/Octafluorocyclobutane +
, http://dbpedia.org/resource/Teflon +
, http://dbpedia.org/resource/File:Bosch_process_sidewall.jpg +
|
| http://dbpedia.org/property/wikiPageUsesTemplate
|
http://dbpedia.org/resource/Template:Bosch +
, http://dbpedia.org/resource/Template:More_citations_needed +
, http://dbpedia.org/resource/Template:Short_description +
|
| http://purl.org/dc/terms/subject
|
http://dbpedia.org/resource/Category:Etching_%28microfabrication%29 +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Microtechnology +
, http://dbpedia.org/resource/Category:Semiconductor_device_fabrication +
|
| http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Deep_reactive-ion_etching?oldid=1124152978&ns=0 +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/depiction
|
http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Bosch_process_sidewall.jpg +
, http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/Bosch_process_PILLAR.jpg +
|
| http://xmlns.com/foaf/0.1/isPrimaryTopicOf
|
http://en.wikipedia.org/wiki/Deep_reactive-ion_etching +
|
| owl:sameAs |
http://de.dbpedia.org/resource/Reaktives_Ionentiefen%C3%A4tzen +
, http://pt.dbpedia.org/resource/Corros%C3%A3o_profunda_assistida_por_%C3%ADons +
, http://dbpedia.org/resource/Deep_reactive-ion_etching +
, http://rdf.freebase.com/ns/m.07dk4j +
, http://fr.dbpedia.org/resource/Gravure_ionique_r%C3%A9active_profonde +
, http://ja.dbpedia.org/resource/%E6%B7%B1%E6%8E%98%E3%82%8ARIE +
, http://www.wikidata.org/entity/Q486936 +
, https://global.dbpedia.org/id/4WRY7 +
, http://sv.dbpedia.org/resource/Djup_reaktiv_jonetsning +
|
| rdfs:comment |
Djup reaktiv jonetsning (DRIE från engelsk … Djup reaktiv jonetsning (DRIE från engelskans deep reactive-ion etching), i sin vanligaste variant även känd som Bosch-processen, är en teknik för etsning av kisel som möjliggör vertikala hålväggar, även för relativt djupt etsade hål. Inom används etsning vanligen för att överföra mönster, vanligen från en mask av fotoresist till ett substrat, vanligen bestående av kisel. Tidigare liknande (plasma-baserade) etsningstekniker erbjöd ingen möjlighet att förhindra etsning i sidoled, dvs. lateral etsning. Lateral etsning innebär att mönsteröverföringens upplösning begränsas vid djupare etsning. För utveckling av mikroelektromekaniska system (MEMS) så skulle detta innebära en stor begränsning, eftersom små men relativt djupt etsade detaljer, dvs. strukturer med så kallad hög , inte skulle kunnaurer med så kallad hög , inte skulle kunna
, Deep reactive-ion etching (DRIE) is a high … Deep reactive-ion etching (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep-sided holes and trenches in wafers/substrates, typically with high aspect ratios. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features, but is also used to excavate trenches for high-density capacitors for DRAM and more recently for creating through silicon vias (TSVs) in advanced 3D wafer level packaging technology. In DRIE, the substrate is placed inside a reactor, and several gases are introduced. A plasma is struck in the gas mixture which breaks the gas molecules into ions. The ions accelerated towards, and react with the surface of the material being etched, forming another gaseous element. This is known as the chemical part of the reactive nown as the chemical part of the reactive
, A corrosão profunda assistida por íons, co … A corrosão profunda assistida por íons, conhecida como DRIE (Deep reactive-ion etching), é uma técnica com a qual tornou-se possível fazer a remoção de material do substrato semicondutor com o objetivo de atingir altas profundidades e, a partir disso, construir certos componentes eletrônicos feitos na indústria de microeletrônica, além de estruturas tridimensionais presentes em microssistemas eletromecânicos (Microelectromechanical systems – MEMS). Neste processo, a corrosão do substrato é privilegiada de forma unidirecional (alto caráter anisotrópico), com altas taxas de corrosão e alta razão de aspecto. Dada corrosão profunda é realizada em ambiente de plasma frio quando o substrato é colocado em uma região chamada de bainha. O plasma frio ocorre a partir da ruptura dielétrica de gases, a partir da ruptura dielétrica de gases,
, La gravure ionique réactive profonde (en a … La gravure ionique réactive profonde (en anglais Deep Reactive Ion Etching DRIE) est un procédé de gravure ionique réactive fortement anisotrope utilisé en micro-électronique. Il sert à créer des trous et des tranchées profondes dans des wafers avec un rapport largeur/hauteur de 20/1 ou plus. Cette technique a été développée pour les microsystèmes électromécaniques (MEMS) qui nécessitent ce type de fonctionnalités mais est aussi utilisée pour creuser des tranchées pour les condensateurs à haute densité de la DRAM ainsi pour développer les TSV (Through Silicon Via) dans le cadre de l'intégration tridimensionnelle. Il existe de nombreuses méthodes pour la gravure des motifs à fort facteur d'aspect, le plus utilisé d'entre eux étant les procédés Bosch et cryogénique.. étant les procédés Bosch et cryogénique..
, 深掘りRIE（ふかほりアールアイイー、Deep RIE）とは、反応性イオンエッチング … 深掘りRIE（ふかほりアールアイイー、Deep RIE）とは、反応性イオンエッチング (RIE) の一つで、アスペクト比の高い（狭く深い）反応性イオンエッチングをいう。アスペクト比が高いことから高アスペクト比エッチングとも言われる。「深堀り」は誤字。「深掘りエッチング」とも呼ばれる。 半導体デバイスのDRAMなどでは耐圧を上げたり大きなコンデンサを作製する場合に使われる。また、MEMSにおけるバルクマイクロマシニングの主要な作製技術であり、多くのデバイスはこの方法を用いて作製されている。 深く掘る手法は通常高密度プラズマを使い、サンプルを低温に冷やす方法とボッシュプロセスと呼ばれるエッチング技術を用いる方法、その両方を用いるものがある。 高密度プラズマを発生する方法は主に、誘導結合プラズマ (ICP) RIEが用いられる。ECR-RIE (Electron Cyclotron Resonance-RIE) と呼ばれるマイクロ波を用いた方法もあるが、装置が高くなるためICP-RIEが主流となっている。 MEMSではより深いエッチングが要求されるので、ボッシュプロセスと呼ばれるエッチング側面の保護とエッチングを繰り返し行うエッチング方法が用いられる。と呼ばれるエッチング側面の保護とエッチングを繰り返し行うエッチング方法が用いられる。
, Reaktives Ionentiefenätzen (englisch deep … Reaktives Ionentiefenätzen (englisch deep reactive ion etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzens (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukturen in Silicium mit einem Aspektverhältnis (Verhältnis von Tiefe zu Breite) von bis zu 50:1, wobei Strukturtiefen von einigen 100 Mikrometern erreicht werden können. Dies wird beispielsweise für die Herstellung von Silizium-Durchkontaktierungen eingesetzt/benötigt. Es gehört zu den Verfahren des Plasma-unterstützten Ätzens.Verfahren des Plasma-unterstützten Ätzens.
|
| rdfs:label |
深掘りRIE
, Gravure ionique réactive profonde
, Reaktives Ionentiefenätzen
, Corrosão profunda assistida por íons
, Djup reaktiv jonetsning
, Deep reactive-ion etching
|
